專利名稱：一種像素驅動電路的制作方法
技術領域：
本發明有關一種像素電路，特別是指一種能夠使有源矩陣有機發光顯示器(AMOLED, Active Matrix Organic Light Emitting Diode)亮度更加均勻的 AMOLED 像素驅動電路。
背景技術：
有機發光二極管(0LED )是主動發光器件，相比現在的主流平板顯示技術薄膜場效應晶體管液晶顯示器(TFT -IXD )，OLED具有對比度高，視角廣，功耗低及體積更薄等優點，有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術，是目前平板顯示技術中受到關注最多的技術之一。對主動有機發光顯示器(AMOLED)而言，圖I為現有技術的像素電路示意圖，圖 2為現有技術像素電路的工作時序圖，發光器件OLED的亮度是由驅動TFT (Thin FilmTransistor，薄膜場效應晶體管)產生的電流的大小來決定，以PTFT為例，OLED的驅動電流Ie由下式計算
Ie=(1/2)*u*Cox*(ff/L)* (Vsg+Vth)2(I)
其中，Vth是負值，u是載流子遷移率，Cox是單位面積電容，W/L是驅動TFT的寬長比，Vsg是驅動TFT的源極與柵極之間的電壓差，Vth是驅動TFT的閾值電壓。在LTPS (Low Temperature Poly Silicon,低溫多晶娃)工藝中，需要經過一道激光結晶的步驟，由于激光的寬度有限，無法一次同時掃描所有像素的TFT，因此需要通過多次的激光結晶步驟，方能將所有像素的TFT掃描過一次，但是每次激光的強度無法完全相同，因此在激光掃描不同的位置時，接受到的激光能量將會有所不同，進而使得不同時間被照射的TFT具有不同的閾值電壓，這樣使得每個像素中驅動OLED發光的電流不同，也造成不同的亮度，使得像素之間的亮度不一致，屏體一致性受到嚴重影響。因此，這種電路欲制作出均勻發光的顯示面板十分困難。

發明內容
有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種像素之間亮度一致、屏體一致性良好的像素驅動電路。為達到上述目的，本發明提供一種像素驅動電路，其包括有第一掃描線、第二掃描線及一數據線，該第一掃描線連接至一 TFT管T3的柵極和一 TFT管T4的柵極，該第二掃描線連接至一 TFT管T5的柵極、一 TFT管T2的柵極、一 TFT管T6的柵極和一電容C2的一端；該數據線連接至該TFT管T2的源極；該TFT管T4的源極連接一基準電壓線，該TFT管T6的漏極連接一 VDD線，該VDD線連接一電容Cl的一端，該電容Cl的另一端連接至一 TFT管Tl的柵極、電容C2的另一端、TFT管T5的源極和TFT管T4的漏極；該TFT管Tl的源極連接至TFT管T2的漏極和TFT管T6的源極，該TFT管T3的漏極連接至TFT管Tl的漏極和TFT管T5的漏極，該TFT管T3的源極連接至一有機發光二極管的陽極，該有機發光二極管的陰極連接至負電壓VSS。所述TFT管T3和TFT管T6是N溝道薄膜場效應晶體管，所述TFT管Tl、TFT管T2、TFT管T4與TFT管T5均為P溝道薄膜場效應晶體管。所述基準電壓線的電壓為負電壓，該電壓低于所述數據線的最小電壓。本發明還提供一種像素驅動電路，其包括第一掃描線、第二掃描線及一數據線，該第一掃描線連接至一 TFT管T3的柵極和一 TFT管T4的柵極，該第二掃描線連接至一 TFT管T5的柵極、一 TFT管T2的柵極、一 TFT管T6的柵極和一電容C2的一端；該數據線連接至該TFT管T2的漏極；該TFT管T4的漏極連接一基準電壓線，該TFT管T6的漏極連接一VDD線，該VDD線連接一電容Cl的一端，該電容Cl的另一端連接至一 TFT管Tl的柵極、電容C2的另一端、TFT管T5的漏極和TFT管T4的源極；該TFT管Tl的源極連接至TFT管T2的源極和TFT管T6的源極，該TFT管T3的漏極連接至該TFT管Tl的漏極和TFT管T5的源極，該TFT管T3的源極連接至一有機發光二極管的陽極，該有機發光二極管的陰極連接·至負電壓VSS。所述TFT管T3和TFT管T6是N溝道薄膜場效應晶體管，所述TFT管Tl、TFT管T2、TFT管T4與TFT管T5均為P溝道薄膜場效應晶體管。所述基準電壓線的電壓為負電壓，該電壓低于所述數據線的最小電壓。采用本發明的像素驅動電路，盡管閾值電壓不同，可以使得像素電路中流過OLED的電流一致，可以使得屏體亮度均勻一致，于是AMOLED顯示屏的一致性得到較大的改善。并且采用本發明的像素驅動電路，只有兩個驅動信號，較容易實現屏體的窄邊框，提高產品的美觀度和競爭力。


圖I為現有技術的像素電路的結構示意 圖2為現有技術像素電路的工作時序 圖3為本發明的有源矩陣有機發光顯示器的像素驅動電路結構 圖4為本發明像素驅動電路的工作時序 圖5為采用本發明像素驅動電路的顯示屏的連接方式圖。
具體實施例方式為便于對本發明的結構及達到的效果有進一步的了解，現結合附圖并舉較佳實施例詳細說明如下。圖3為本發明的一種有源矩陣有機發光顯示器的像素驅動電路示意圖，該像素驅動電路包括，第一掃描線so、第二掃描線SI及一數據線VDATA，該第一掃描線SO連接至一N溝道TFT管T3的柵極和一 P溝道TFT管T4的柵極，第二掃描線SI連接至一 P溝道TFT管T5的柵極、一 P溝道TFT管T2的柵極、一 N溝道TFT管T6的柵極和一電容C2的一端；該數據線VDATA連接至該TFT管T2的源極；該TFT管T4的源極連接一基準電壓線VREF，該TFT管T6的漏極連接一 VDD (器件內部的工作電壓)線，該VDD線連接一電容Cl的一端，該電容Cl的另一端連接至一 P溝道TFT管Tl的柵極、電容C2的另一端、TFT管T5的源極和TFT管T4的漏極；TFT管Tl的源極連接至TFT管T2的漏極和TFT管T6的源極，TFT管T3的漏極連接至TFT管Tl的漏極和TFT管T5的漏極，TFT管T3的源極連接至一 OLED的陽極，該OLED的陰極連接至最低電位VSS，其中VSS為負電壓。本發明的像素驅動電路還可以采用另一種結構，該像素驅動電路包括，第一掃描線S0、第二掃描線SI及一數據線VDATA，該第一掃描線SO連接至一 N溝道TFT管T3的柵極和一 P溝道TFT管T4的柵極，第二掃描線SI連接至一 P溝道TFT管T5的柵極、一 P溝道TFT管T2的柵極、一 N溝道TFT管T6的柵極和一電容C2的一端；該數據線VDATA連接至該TFT管T2的漏極；該TFT管T4的漏極連接一基準電壓線VREF，該TFT管T6的漏極連接一 VDD (器件內部的工作電壓)線，該VDD線連接一電容Cl的一端，該電容Cl的另一端連接至一 P溝道TFT管Tl的柵極、電容C2的另一端、TFT管T5的漏極和TFT管T4的源極；TFT管Tl的源極連接至TFT管T2的源極和TFT管T6的源極，TFT管T3的漏極連接至TFT管Tl的漏極和TFT管T5的源極，TFT管T3的源極連接至一 OLED的陽極，該OLED的陰極連接至最低電位VSS。
本發明中T3和T6是N型TFT，其余TFT管均是P型TFT。圖4為本發明像素驅動電路的工作時序圖，其工作方式如下
tl時段，準備階段。第一掃描線SO由原來的高電平變為低電平，第二掃描線SI保持高電平，像素電路中T3關斷，OLED停止發光，T4打開，VREF (一般是負電壓，具體地說該電壓小于VDATA的最小電壓)電壓傳至Tl的柵極12端，目的是消除上一幀的柵極電壓，以免對下一幀的閾值電壓采樣造成負面影響。tl和t2階段之間，VDATA數據電壓到達T2的源極(或者漏極)。t2時段，閾值電壓Vth采樣階段。第一掃描線SO由原來的低電平變為高電平，T3打開，T4關斷，由于OLED自身具有較大的電容，使得第二掃描線SI和第一掃描線SO都為高電平的瞬間OLED仍然處于關閉狀態。接下來第二掃描線SI由高電平變為低電平，T2和T5導通，T6關斷，OLED仍然不發光，VDATA電壓經過T2傳輸至Tl的源極11端，Tl的柵極和漏極連接在一起，VDATA電壓開始對Tl的柵極12端充電，直到完成充電12端電壓是VDATA+Vth (Vth 是負值)。t3時段，OLED發光階段。第二掃描線SI由低電平變為高電平，T2和T5關斷，T6導通，VDD經過T6傳輸至Tl的源極，則
Vsg+Vth= VDD - (VDATA+Vth)+Vth=VDD-VDATA(2)
根據公(2)，流過OELD的電流
Ie=K* (Vsg+Vth) 2=K (VDD-VDATA)2(3)
K是與關于電子遷移率、柵介質厚度和TFT尺寸相關的常量，Vth是負值。依據公式(3)，流過OLED電流的大小與Tl管的閾值電壓無關，實現了補償的目的。圖5是采用該像素驅動電路的顯示屏的連接方式，但是VREF線的走向絕不限于橫向，縱向依然可以，其他的驅動線和VDATA線亦是如此。因此，采用本發明的像素驅動電路，盡管閾值電壓不同，可以使得像素電路中流過OLED的電流一致，可以使得屏體亮度均勻一致，于是AMOLED顯示屏的一致性得到較大的改善。并且采用本發明的像素驅動電路，只有兩個驅動信號，較容易實現屏體的窄邊框，提高產品的美觀度和競爭力。當然，本發明中的PTFT管或者部分PTFT管也可以使用NTFT代替。
綜上所述，以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而并非限制本發明，盡管參照較佳實施例對本發明進行了詳細說明，任何所屬技術領域中具有通常知識的人，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當視權利要求范圍所界定者為準。 ·
權利要求
1.一種像素驅動電路，其特征在于，其包括有第一掃描線、第二掃描線及一數據線，該第一掃描線連接至一 TFT管T3的柵極和一 TFT管T4的柵極，該第二掃描線連接至一 TFT管T5的柵極、一 TFT管T2的柵極、一 TFT管T6的柵極和一電容C2的一端；該數據線連接至該TFT管T2的源極；該TFT管T4的源極連接一基準電壓線，該TFT管T6的漏極連接一VDD線，該VDD線連接一電容Cl的一端，該電容Cl的另一端連接至一 TFT管Tl的柵極、電容C2的另一端、TFT管T5的源極和TFT管T4的漏極；該TFT管Tl的源極連接至TFT管T2的漏極和TFT管T6的源極，該TFT管T3的漏極連接至TFT管Tl的漏極和TFT管T5的漏極，該TFT管T3的源極連接至一有機發光二極管的陽極，該有機發光二極管的陰極連接至負電壓VSS。
2.如權利要求I所述的像素驅動電路，其特征在于，所述TFT管T3和TFT管T6是N溝道薄膜場效應晶體管，所述TFT管Tl、TFT管T2、TFT管T4與TFT管T5均為P溝道薄膜場效應晶體管。
3.如權利要求I所述的像素驅動電路，其特征在于，所述基準電壓線的電壓為負電壓，該電壓小于所述數據線的最小電壓。
4.一種像素驅動電路，其特征在于，其包括第一掃描線、第二掃描線及一數據線，該第一掃描線連接至一 TFT管T3的柵極和一 TFT管T4的柵極，該第二掃描線連接至一 TFT管T5的柵極、一 TFT管T2的柵極、一 TFT管T6的柵極和一電容C2的一端；該數據線連接至該TFT管T2的漏極；該TFT管T4的漏極連接一基準電壓線，該TFT管T6的漏極連接一 VDD線，該VDD線連接一電容Cl的一端，該電容Cl的另一端連接至一 TFT管Tl的柵極、電容C2的另一端、TFT管T5的漏極和TFT管T4的源極；該TFT管Tl的源極連接至TFT管T2的源極和TFT管T6的源極，該TFT管T3的漏極連接至該TFT管Tl的漏極和TFT管T5的源極，該TFT管T3的源極連接至一有機發光二極管的陽極，該有機發光二極管的陰極連接至負電壓 VSS。
5.如權利要求4所述的像素驅動電路，其特征在于，所述TFT管T3和TFT管T6是N溝道薄膜場效應晶體管，所述TFT管Tl、TFT管T2、TFT管T4與TFT管T5均為P溝道薄膜場效應晶體管。
6.如權利要求4所述的像素驅動電路，其特征在于，所述基準電壓線的電壓為負電壓，該電壓小于所述數據線的最小電壓。
全文摘要
本發明公開了一種像素驅動電路，其包括有掃描線S0、掃描線S1及一數據線，該S0連接至TFT管T3的柵極和TFT管T4的柵極，S1連接至TFT管T5的柵極、TFT管T2的柵極、TFT管T6的柵極和電容C2的一端；數據線連接至該T2的源極；T4的源極連接基準電壓線，T6的漏極連接VDD線，該VDD線連接電容C1的一端，C1的另一端連接至TFT管T1的柵極、C2的另一端、T5的源極和T4的漏極；T1的源極連接至T2的漏極和T6的源極，T3的漏極連接至T1的漏極和T5的漏極，T3的源極連接至OLED的陽極，OLED的陰極連接至負電壓VSS。本發明可以使得屏體亮度均勻一致，并能實現屏體的窄邊框。
文檔編號G09G3/32GK102903328SQ20121035388
公開日2013年1月30日 申請日期2012年9月21日 優先權日2012年9月21日
發明者胡思明, 邱勇, 黃秀頎, 高孝裕, 永井肇 申請人:昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司