本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種有機發光顯示面板、有機發光顯示裝置及像素補償方法。

背景技術：

有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是一種利用有機半導體材料制成的、用直流電壓驅動的薄膜發光器件，其采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板制成，無需背光，當有電流通過時，這些有機材料就會發光。

通常，由于各種原因，例如各驅動晶體管的電特性的差異、高電勢驅動電壓隨顯示位置的不同而產生的差異以及OLED的惡化的差異，導致各像素的亮度存在差異，從而OLED顯示器的亮度不均勻。當這種差異變嚴重時，發生圖像殘留現象，圖像質量惡化。

為了改善OLED顯示器的顯示效果，一般都要對OLED進行像素補償。像素補償方法可以分為內部補償和外部補償兩大類，內部補償是指在像素內部利用薄膜晶體管構建的自電路進行補償的方法，外部補償是指通過外部的驅動電路或設備感知像素驅動電路的電學或光學特性然后進行補償的方法。現有的對像素驅動電路中對有機發光二極管的補償方法中，雖然實現了對有機發光二極管的補償，但通常不能保證有機發光二極管的亮度不變，使得有機發光顯示面板補償后的顯示效果仍然不理想。

技術實現要素：

本申請的目的在于提出一種有機發光顯示面板、有機發光顯示裝置及像素補償方法，來解決以上背景技術部分提到的技術問題。

第一方面，本申請提供了一種有機發光顯示面板，上述有機發光顯示面板包括：多個數據線組，每個數據線組包括至少一條數據線；像素陣列，包括M行N列的像素區域，M、N為正整數；多個像素驅動電路，各像素驅動電路與各數據線組電連接，且每個像素驅動電路包括有機發光二極管，各像素驅動電路與各像素區域一一對應；像素補償電路，用于向至少一個像素驅動電路提供偏置電流，并采集有機發光二極管的陽極電壓，基于偏置電流及陽極電壓生成補償后的數據電壓；像素補償電路包括電源模塊、采樣模塊以及數據電壓產生模塊；每條數據線通過開關元件分別與電源模塊、采樣模塊以及數據電壓產生模塊電連接；電源模塊用于向數據線組提供偏置電流信號，并通過數據線組將偏置電流信號傳輸至有機發光二極管的陽極；采樣模塊通過數據線組采集有機發光二極管的陽極電壓；數據電壓產生模塊基于陽極電壓及偏置電流，通過數據線組將補償后的數據電壓傳輸給像素驅動電路。

第二方面，本申請提供了一種像素補償方法，應用于上述有機發光顯示面板中的一種有機發光顯示面板，包括：在預充電階段，所述電源模塊向所述數據線組傳輸偏置電流，所述第一閾值補償單元基于所述數據線組將所述偏置電流傳輸至所述有機發光二極管的陽極，對所述數據線組及所述有機發光二極管進行預充電；在閾值偵測階段，所述第一閾值補償單元基于所述數據偵測信號線的信號將所述有機發光二極管的陽極電壓傳輸至所述數據線組，所述采樣模塊通過所述數據線組獲得所述陽極電壓；多次重復所述預充電階段及所述閾值偵測階段，確定所述有機發光二極管的電流-電壓-亮度曲線，確定不同工作電流對應的惡化電壓值；在數據寫入階段，所述數據電壓產生模塊向所述數據線組傳輸數據電壓，所述第一數據寫入單元基于所述掃描線的信號將所述數據電壓以及所述第一電源電壓傳輸至所述第一存儲單元，所述像素驅動電路完成數據寫入；在發光階段，所述第一重置單元及所述第一發光控制單元基于所述發光控制信號線的信號導通，所述第一驅動晶體管向所述有機發光二極管提供驅動電流，所述有機發光二極管發光。

第三方面，本申請提供了一種像素補償方法，應用于上述有機發光顯示面板中的一種有機發光顯示面板，包括：在重置階段，所述電源模塊向所述數據線傳輸第三電源電壓，所述第二數據寫入單元基于掃描線的信號將所述第三電源電壓傳輸至所述第二驅動晶體管的柵極，所述第二驅動晶體管完成重置；在閾值偵測階段，所述電源模塊向所述數據線分時傳輸電流信號和電壓信號，所述采樣模塊采集所述有機發光二極管的陽極電壓以及所述第二驅動晶體管的閾值電壓，所述數據電壓產生模塊根據所述陽極電壓以及所述閾值電壓產生數據電壓；在數據寫入階段，所述數據電壓產生模塊向所述數據線傳輸數據電壓，所述第二數據寫入單元基于所述掃描線的信號將所述數據電壓傳輸至所述第二驅動晶體管的柵極，完成數據寫入；在發光階段，所述第二發光控制單元基于所述發光控制信號線的信號導通，所述有機發光二極管發光。

第四方面，本申請提供了一種有機發光顯示裝置，該有機發光顯示裝置包括上述實施例所描述的有機發光顯示面板。

本申請提供的有機發光顯示面板、有機發光顯示裝置及像素補償方法，在像素補償電路中設置電源模塊、采樣模塊和數據電壓產生模塊，電源模塊向各像素驅動電路中的有機發光二極管提供偏置電流，以檢測各有機發光二極管的陽極電壓，考慮到在長時間使用有機發光二極管后，除了閾值電壓發生漂移外，其發光亮度也隨之改變，因此本實施例在對有機發光二極管進行補償的同時，可以保證有機發光二極管的亮度不變，從而提高了對有機發光二極管補償的精度，提高了有機發光顯示面板的顯示效果。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特征、目的和優點將會變得更明顯：

圖1是根據本申請的有機發光顯示面板的一個實施例的結構示意圖；

圖2是根據本申請的有機發光顯示面板的像素驅動電路的一個實施例的結構示意圖；

圖2a是根據本申請的有機發光顯示面板的像素驅動電路的一個實施方式的結構示意圖；

圖2b是根據本申請的有機發光顯示面板的像素驅動電路的另一個實施方式的結構示意圖；

圖3a是圖2a所示的像素驅動電路的補償驅動階段的時序示意圖；

圖3b是圖2a所示的像素驅動電路的正常驅動階段的一個實施方式的時序示意圖；

圖3c是圖2a所示的像素驅動電路的正常驅動階段的另一個實施方式的時序示意圖；

圖4是根據本申請的有機發光顯示面板的像素驅動電路的另一個實施例的結構示意圖；

圖4a是根據本申請的有機發光顯示面板的像素驅動電路的一個實施方式的結構示意圖；

圖5a是圖4a所示的像素驅動電路的補償驅動階段的工作時序圖；

圖5b是圖4a所示的像素驅動電路的正常驅動階段的工作時序圖；

圖6是根據本申請的像素補償方法的一個實施例的流程示意圖；

圖7是根據本申請的像素補償方法的一個實施例的流程示意圖；

圖8是根據本申請的有機發光顯示裝置的一個實施例的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本申請作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋相關發明，而非對該發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與有關發明相關的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本申請。

圖1示出了根據本申請的有機發光顯示面板的一個實施例的結構示意圖。如圖1所示，本實施例的有機發光顯示面板100包括：像素陣列11、像素補償電路12、數據線組13及開關元件。

其中，像素陣列包括M行N列的像素區域111，M、N為正整數。每個像素區域111內形成有一個像素驅動電路，各像素驅動電路與各數據線組13電連接。數據線組13中包括至少一條數據線，在一些可選的實現方式中，上述數據線組13包括兩條數據線。

每個像素驅動電路包括有機發光二極管，像素補償電路12用于向上述像素驅動電路提供偏置電流，并采集各像素驅動電路中的有機發光二極管的陽極電壓，然后根據上述偏置電流和上述陽極電壓生成補償后的數據信號，本實施例的外部補償電路可以對有機發光二極管的惡化電壓進行外部補償。

具體的，像素補償電路包括：電源模塊121、采樣模塊122以及數據電壓產生模塊123。各數據線組13通過開關元件分別與上述電源模塊121、采樣模塊122以及數據電壓產生模塊123電連接。上述開關元件包括第一開關陣列141、第二開關陣列142及第三開關陣列143。具體的，各數據線組13通過第一開關陣列141與電源模塊121電連接；各數據線組13通過第二開關陣列142與采樣模塊122電連接；各數據線組13通過第三開關陣列143與數據電壓產生模塊123電連接。第一開關陣列141包括響應第一開關控制信號進行接通或關斷的多個開關；第二開關陣列142包括響應第二開關控制信號進行接通或關斷的多個開關；第三開關陣列143包括響應第三開關控制信號進行接通或關斷的多個開關。

電源模塊121用于輸出偏置電流，以偵測有機發光二極管的惡化程度，該偏置電流信號通過第一開關陣列141中的各個開關傳輸至各數據線組13，并通過上述數據線組13傳輸至各像素驅動電路中的有機發光二極管；采樣模塊122通過第二開關陣列142中的各開關連通數據線組13，以采集上述有機發光二極管的陽極電壓；數據電壓產生模塊123根據電源模塊121提供的偏置電流以及采樣模塊122采集到的陽極電壓，產生補償后的數據信號，并通過第三開關陣列143中的各個開關連通各數據線組13，將補償后的數據信號傳輸給各像素驅動電路，實現對有機發光二極管的惡化電壓的外部補償。

本申請的上述實施例提供的有機發光顯示面板，在像素補償電路中設置電源模塊、采樣模塊和數據電壓產生模塊，電源模塊向各像素驅動電路中的有機發光二極管提供偏置電流，以檢測各有機發光二極管的陽極電壓，考慮到在長時間使用有機發光二極管后，除了閾值電壓發生漂移外，其發光亮度也隨之改變，因此本實施例在對有機發光二極管進行補償時，可以保證有機發光二極管的亮度不變，從而提高了對有機發光二極管補償的精度，提高了有機發光顯示面板的顯示效果。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述像素驅動電路還包括驅動晶體管，該驅動晶體管用于驅動有機發光二極管。上述電源模塊121還可以提供閾值電壓檢測信號，該閾值電壓檢測信號通過開關陣列141傳輸至數據線組13，數據線組13將上述閾值電壓檢測信號傳輸至驅動晶體管的柵極和漏極。上述采樣模塊122可以通過開關陣列142連通數據線組13，并通過數據線組13獲取驅動晶體管的柵極電壓和漏極電壓，從而根據柵極電壓和漏極電壓確定驅動晶體管的閾值電壓，從而可以進一步對驅動晶體管的閾值電壓進行內部補償。

本實現方式的像素驅動電路，還可以對驅動晶體管的閾值電壓進行內部補償，實現了同時對有機發光二極管和驅動晶體管的同時補償，進一步提高了有機發光顯示面板的顯示效果。

繼續參考圖2，其示出了根據本申請的有機發光顯示面板的像素驅動電路的一個實施例的結構示意圖。本實施例的有機發光顯示面板還包括掃描線SCAN、發光控制線EM、參考信號線VREF以及閾值偵測信號線SEN，其中，掃描線SCAN用于提供掃描信號，發光控制線EM用于提供發光控制信號，參考信號線VREF用于提供參考信號，其一般為固定電壓Vref，閾值偵測信號線SEN用于提供閾值偵測信號。本實施例的像素驅動電路包括：第一重置單元201、第一數據寫入單元202、第一存儲單元203、第一驅動晶體管204、第一發光控制單元205及第一閾值補償單元206。

其中，第一重置單元201與參考信號線VREF電連接，并基于發光控制線EM提供的發光控制信號將參考信號傳輸至第二節點N2，第二節點N2為第一重置單元201、第一數據寫入單元202以及第一存儲單元203的連接點。

第一數據寫入單元202與數據線組DL電連接，并基于掃描線SCAN提供的掃描信號，將數據線組DL中的數據信號傳輸上述第二節點N2及第一節點N1，第一節點N1為第一數據寫入單元202、第一存儲單元203以及第一驅動晶體管204的連接點，同時第一節點N1為第一驅動晶體管204的柵極。

第一存儲單元203分別與第一數據寫入單元202及第一驅動晶體管204電連接，其與第一數據寫入單元202的連接點為第二節點N2，其與第一驅動晶體管204的連接點為第一節點N1。第一存儲單元203用于存儲第一節點N1和第二節點N2的電壓。

第一發光控制單元205與發光控制信號線EM電連接，其與第一驅動晶體管204和有機發光二極管207電連接，用于基于發光控制信號線EM所提供的發光控制信號，控制有機發光二極管207發光。

第一閾值補償單元206與數據線組DL電連接，并基于閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號將數據線組DL上的信號傳輸至有機發光二極管207的陽極，同時，第一閾值補償單元206還可以通過閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號采集有機發光二極管207的陽極電壓，并將采集到的陽極電壓傳輸至數據線組DL。

有機發光二極管207的陽極分別與第一閾值補償單元206以及第一發光控制單元205電連接，有機發光二極管207的陰極與第一電源電壓端VSS電連接。第一驅動晶體管204的第二極與第二電源電壓端VDD電連接。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述數據線組DL包括一條數據線，具體的像素驅動電路的結構如圖2a所示。圖2a中，上述第一數據寫入單元202包括第一晶體管ST1和第二晶體管ST2，第一重置單元201包括第三晶體管ST3，第一存儲單元203包括第一存儲電容器Cst，第一發光控制單元205包括第四晶體管ST4，第一閾值偵測單元206包括第五晶體管ST5。

如圖2a所示，第一晶體管ST1的柵極、第二晶體管ST2的柵極與掃描線SCAN電連接，第一晶體管ST1的第一極與第一驅動晶體管DT的柵極電連接，第一晶體管ST1的第二極與第一驅動晶體管DT的第二極電連接，第二晶體管ST2的第一極與數據線電連接，第二晶體管ST2的第二極分別與第一重置單元201、第一存儲單元203電連接。

第三晶體管ST3的柵極與發光控制信號線EM電連接，第三晶體管ST3的第一極與參考信號線VREF電連接，第三晶體管ST3的第二極分別與第二晶體管ST2的第二極、第一存儲單元203電連接。

第四晶體管ST4的柵極與發光控制信號線EM電連接，第四晶體管ST4的第一極分別與第一驅動晶體管DT的第二極、第一晶體管ST1的第二極電連接，第四晶體管ST4的第二極與有機發光二極管的陽極電連接。

第五晶體管ST5的柵極與閾值偵測信號線電連接，第五晶體管ST5的第一極與數據線電連接，第五晶體管ST5的第二極與有機發光二極管的陽極電連接。

第一存儲電容器Cst的一端與第一節點N1電連接，第一存儲電容器Cst的另一端與第二節點N2電連接。

第一驅動晶體管DT以及晶體管ST1～ST5可以用P型MOSFET來實現。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述數據線組DL包括兩條數據線，分別為第一數據線DL1和第二數據線DL2，具體的像素驅動電路的結構如圖2b所示。圖2b中，第一數據寫入單元202包括第一晶體管ST1和第二晶體管ST2，第一重置單元201包括第三晶體管ST3，第一存儲單元203包括第一存儲電容器Cst，第一發光控制單元205包括第四晶體管ST4，第一閾值偵測單元206包括第五晶體管ST5。

與圖2a中所示像素驅動電路的不同之處在于，圖2b中，第二晶體管ST2的第一極與第一數據線DL1電連接，第五晶體管的第二極與第二數據線DL2電連接。則第一數據線DL1中向像素驅動電路提供數據信號，第二數據線DL2向像素驅動電路提供偵測電壓。與圖2a中經由單條數據線提供數據電壓和偵測電壓相比，以這種方式，通過分別配置用于提供數據電壓的第一數據線DL1和用于提供偵測電壓的第二數據線DL2，像素驅動電路的功耗能夠大幅減少。同時，也避免了在同一數據線中傳輸數據電壓和偵測電壓所產生的信號間干擾，改善了數據線的充放電效果。

圖2a所示的像素驅動電路的工作時間可以包括補償驅動階段和正常驅動階段，其中補償驅動階段可以分為預充電階段和閾值偵測階段，正常驅動階段可以分為數據寫入階段和發光階段。圖3a示出了圖2a所示的像素驅動電路在補償驅動階段的工作時序圖，圖3b示出了圖2a所示的像素驅動電路在正常驅動階段的工作時序圖。

如圖3a所示，補償驅動階段包括預充電階段CT1和閾值偵測階段CT2，預充電階段CT1用于利用偏置電流信號對數據線DL充電，閾值偵測階段CT2用于對有機發光二極管的陽極電壓進行采樣，即每個偏置電流對應一個陽極電壓，則多次重復補償驅動階段可以得到有機發光二極管的電流-電壓-亮度曲線，再將得到的電流-電壓-亮度曲線與有機發光二極管原始的電流-電壓-亮度曲線進行比較，就可以確定同一偏置電流下，有機發光二極管的惡化電壓的大小，從而可以對此惡化電壓進行補償。

在預充電階段CT1，掃描線SCAN提供的掃描信號以及發光控制信號線EM提供的發光控制信號均為高電平，閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號為低電平，則ST1～ST4截止，ST5導通。同時第一開關控制信號為高電平，第二開關控制信號以及第三開關控制信號均為低電平，則第一開關陣列導通，第二開關陣列及第三開關陣列截止。結果，數據線DL被電源模塊提供的偏置電流信號迅速充電，并傳輸至有機發光二極管的陽極。

在閾值偵測階段CT2，掃描線SCAN提供的掃描信號以及發光控制信號線EM提供的發光控制信號仍為高電平，閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號仍為低電平，則ST1～ST4仍然截止，ST5繼續導通。同時，第二開關控制信號為高電平，第一開關控制信號以及第三開關控制信號均為低電平，則第二開關陣列導通，第一開關陣列及第三開關陣列截止。采樣模塊122通過第二開關陣列連通數據線DL，采集有機發光二極管的陽極電壓。

多次重復預充電階段CT1和閾值偵測階段CT2，電源模塊121在不同的預充電階段CT1提供不同的偏置電流，從而采樣模塊122能夠采集到不同偏置電流對應的有機發光二極管的惡化電壓，從而能夠確定惡化的有機發光二極管的電流-電壓-亮度曲線。數據電壓產生模塊123可以產生補償上述惡化電壓的數據信號。

如圖3b所示，正常驅動階段包括數據寫入階段DT1和發光階段DT2。數據寫入階段DT1用于偵測圖2a所示的像素驅動電路中的第一驅動晶體管DT的閾值電壓，發光階段DT2用于發光。

在數據寫入階段DT1，掃描線SCAN提供的掃描信號為低電平，發光控制信號線EM提供的發光控制信號以及閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號為高電平，則第一晶體管ST1和第二晶體管ST2導通，ST3～ST5截止。同時，第三開關控制信號為高電平，第一開關控制信號以及第二開關控制信號為低電平，則第三開關陣列導通，第一開關陣列和第二開關陣列截止。數據電壓產生模塊123向數據線DL將被調制數字視頻數據(R’G’B’)轉換成數據電壓Vdata，并將其提供至數據線DL。可以理解的是，數據電壓Vdata中已對有機發光二極管惡化電壓進行補償。由于ST1和ST2導通，第二節點N2的電壓為Vdata。中間補償值Vdd-Vth.DT被通過第一驅動晶體管DT的柵極和漏極之間的短路施加給第一節點N1。中間補償值Vdd-Vth.DT用于補償第一驅動晶體管DT的惡化的差異，該中間補償值由高電勢驅動電壓Vdd中減去第一驅動晶體管DT的閾值電壓Vth.DT確定。第一存儲電容器Cst保持第一節點N1的處于中間補償值Vdd-Vth.DT的電勢，并且保持第二節點N2的處于數據電壓Vdata的電勢。

在發光階段DT2，掃描線SCAN提供的掃描信號以及閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號均為高電平，發光控制信號線EM提供的發光控制信號為低電平，則第三晶體管ST3和第四晶體管ST4導通，第一晶體管ST1、第二晶體管ST2以及第五晶體管ST5截止。第三開關控制信號為高電平，第一開關控制信號以及第二開關控制信號為低電平，則第三開關陣列繼續導通，第一開關陣列和第二開關陣列仍然截止。由于第三晶體管ST3導通，參考信號線提供的參考電壓Vref施加給第二節點N2，并且第二節點N2的電勢從數據電壓Vdata變成參考電壓Vref。由于第一節點N1與第二節點N2之間連接有第一存儲電容器，因此第二節點N2的電勢變化Vdata-Vref被反映到第一節點N1的電勢中，則第一節點N1的電勢由中間補償值Vdd-Vth.DT變為最終補償值Vdd-Vth.DT-(Vdata-Vref)。其中，上述最終補償值Vdd-Vth.DT-(Vdata-Vref)用于補償驅動第一驅動晶體管DT的惡化的差異。

綜上，圖2a所示的像素驅動電路的第一驅動晶體管DT的閾值電壓在內部被補償，從而削弱了有機發光顯示面板中各第一驅動晶體管DT的惡化的差異。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述正常驅動階段還可以包括圖3b中未示出的初始化階段，用于在預充電階段DT1之前，復位第一節點N1、第二節點N2以及第三節點N3。具體的工作時序圖如圖3c所示。在初始化階段IT，掃描線SCAN提供的掃描信號、發光控制線EM提供的發光控制信號以及閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號均為低電平，第一晶體管ST1～第五晶體管ST5均導通。同時，第三開關控制信號為高電平，第一開關控制信號以及第二開關控制信號為低電平，則第三開關陣列導通，第一開關陣列和第二開關陣列截止。數據電壓產生模塊123向數據線提供參考電壓Vref，則第一節點N1、第二節點N2和第三節點N3被初始化至參考電壓Vref。由于參考電壓Vref低于有機發光二極管的閾值電壓，因此有機發光二極管在初始化階段IT不發光。

圖2b所示的像素驅動電路的工作時間與圖2a所示的像素驅動電路的工作時間相同，相應的工作時序也相同，此處不再贅述。

繼續參考圖4，其示出了根據本申請的有機發光顯示面板的像素驅動電路的另一個實施例的結構示意圖。本實施例的數據線組包括一條數據線，本實施例的有機發光顯示面板包括掃描線SCAN、發光控制信號線EM以及閾值偵測信號線SEN。本實施例的像素驅動電路包括：第二數據寫入單元401、第二閾值補償單元402、第二存儲單元403、第二發光控制單元405、第二驅動晶體管404以及有機發光二極管406。

其中，第二數據寫入單元401與數據線DL電連接，并基于掃描線SCAN的信號將數據線DL上的信號傳輸至第二驅動晶體管404的柵極。

第二存儲單元403與第二驅動晶體管404的柵極以及第三電源電壓端電連接，用于存儲傳輸至第二驅動晶體管404的信號。

第二閾值補償單元402與數據線DL電連接，并基于閾值偵測信號線SEN的信號將數據線DL上的信號傳輸至第二驅動晶體管404的第二極。

第二發光控制單元405與發光控制信號線EM電連接，用于控制有機發光二極管406發光。

有機發光二極管406的陰極與第四電源電壓端電連接。

圖4a示出了上述像素驅動電路的具體結構，如圖4a所示，第二數據寫入單元401包括第六晶體管ST6，第六晶體管ST6的柵極與掃描線SCAN電連接，第六晶體管ST6的第一極與數據線DL電連接，第六晶體管ST6的第二極與第二驅動晶體管DT的柵極電連接。

第二閾值補償單元402包括第七晶體管ST7，第七晶體管ST7的柵極與閾值偵測信號線SEN電連接，第七晶體管ST7的第一極與數據線DL電連接，第七晶體管ST7的第二極與第二驅動晶體管DT的第二極電連接。

第二存儲單元403包括第二存儲電容器Cst，第二存儲電容器Cst的一端與第三電源電壓端電連接，第二存儲電容器Cst的另一端與第六晶體管ST6的第二極、第二驅動晶體管DT的柵極電連接。

第二發光控制單元405包括第八晶體管ST8，第八晶體管ST8的柵極與發光控制信號線EM電連接，第八晶體管ST8的第一極與第二驅動晶體管DT的第二極電連接，第八晶體管ST8的第二極與有機發光二極管的陽極電連接。

有機發光二極管的陰極與第四電源電壓端電連接。其中，第三電源電壓端為高電勢驅動電壓Vdd，第四電源電壓端為低電勢驅動電壓Vss。

其中，第六晶體管ST6的第二極、第二驅動晶體管DT的柵極以及第二存儲電容器Cst的一端的連接點為第一節點N1，第二驅動晶體管DT的第二極、第七晶體管ST7的第二極以及第八晶體管ST8的第一極的連接點為第二節點N2。第二驅動晶體管DT以及晶體管ST6～ST8可以用P型MOSFET來實現。

圖4a所示的像素驅動電路的工作時間包括補償驅動階段和正常驅動階段。補償驅動階段用于取樣有機發光二極管的惡化電壓和第二驅動晶體管DT的閾值電壓，以獲得補償有機發光二極管的惡化程度和第二驅動晶體管DT的惡化程度的補償數據電壓Sdata。正常驅動用于向像素驅動電路施加反映了補償數據電壓Sdata的被調制數字數據R’G’B’的數據電壓Vdata(R’G’B’)。

其中補償驅動階段可以包括重置階段和閾值偵測階段，正常驅動階段可以包括數據寫入階段和發光階段。閾值偵測階段又可以進一步包括第一偵測階段和第二偵測階段，第一偵測階段包括電流傳輸子階段和電壓采集子階段，第二偵測階段包括電壓傳輸子階段、浮置子階段和閾值電壓偵測子階段。

圖5a示出了圖4a所示的像素驅動電路在補償驅動階段的工作時序圖，圖5b示出了圖4a所示的像素驅動電路在正常驅動階段的工作時序圖。如圖5a所示，驅動補償階段包括初始化階段CT1、電流傳輸子階段CT2、電壓采集子階段CT3、電壓傳輸子階段CT4、浮置子階段CT5和閾值電壓偵測子階段CT6。如圖5b所示，正常驅動階段包括數據寫入階段DT1和發光階段DT2。初始化階段CT1用于利用高電勢驅動電壓Vdd對數據線DL和第一節點N1預充電，電流傳輸子階段CT2用于利用偏置電流對數據線DL以及有機發光二極管進行充電，電壓采集子階段CT3用于采集有機發光二極管的陽極電壓，電壓傳輸子階段CT4用于利用偵測電壓Vsen對數據線DL進行第一次充電，浮置子階段CT5用于浮置數據線DL然后利用比偵測電壓Vsen高的第二驅動晶體管DT的與閾值電壓Vth.DT對數據線DL進行第二次充電，閾值電壓偵測子階段CT6用于對數據線DL上的閾值電壓Vth.DT進行采樣。

上述電流傳輸子階段CT2和電壓采集子階段CT3可以重復執行多次，以確定有機發光二極管的電流-電壓-亮度曲線，從而確定在相同電流下有機發光二極管的惡化電壓。

在初始化階段CT1，掃描線SCAN提供的掃描信號以及發光控制信號線EM提供的發光控制信號均為低電平，閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號為高電平，則ST6以及ST8導通，ST7截止。同時第一開關控制信號為高電平，第二開關控制信號以及第三開關控制信號均為低電平，則第一開關陣列導通，第二開關陣列及第三開關陣列截止。電源模塊121向數據線DL提供高電勢驅動電壓Vdd，從而對數據線DL和第一節點N1預充電。

在電流傳輸子階段CT2，掃描線SCAN提供的掃描信號為高電平，閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號以及發光控制信號線EM提供的發光控制信號均為低電平，則ST7以及ST8導通，ST6截止。同時第一開關控制信號為高電平，第二開關控制信號以及第三開關控制信號均為低電平，則第一開關陣列導通，第二開關陣列及第三開關陣列截止。電源模塊121向數據線DL提供偏置電流，該偏置電流通過第七晶體管ST7以及第八晶體管ST8對數據線DL和有機發光二極管進行充電。

在電壓采集子階段CT3，掃描線SCAN提供的掃描信號仍然為高電平，閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號以及發光控制信號線EM提供的發光控制信號仍然為低電平，則ST7以及ST8繼續導通，ST6繼續截止。同時第二開關控制信號為高電平，第一開關控制信號以及第三開關控制信號均為低電平，則第二開關陣列導通，第一開關陣列及第三開關陣列截止。采樣模塊122通過數據線DL采集有機發光二極管的陽極電壓，確定有機發光二極管的惡化程度。

在電壓傳輸子階段CT4，掃描線SCAN提供的掃描信號以及閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號為低電平，及發光控制信號線EM提供的發光控制信號為高電平，則ST6以及ST7導通，ST8截止。同時第一開關控制信號為高電平，第二開關控制信號以及第三開關控制信號均為低電平，則第一開關陣列導通，第二開關陣列及第三開關陣列截止。結果，來自電源模塊121的偵測電壓Vsen對數據線DL進行第一次充電。可以理解的是，偵測電壓Vsen低于第二驅動晶體管DT的閾值電壓Vth.DT。

在浮置子階段CT5，掃描線SCAN提供的掃描信號以及閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號保持為低電平，及發光控制信號線EM提供的發光控制信號保持為高電平，則ST6以及ST7持續導通，ST8持續截止。同時第一開關控制信號第二開關控制信號以及第三開關控制信號均為低電平，則第一開關陣列、第二開關陣列及第三開關陣列均截止。數據線DL浮置，并且被第二驅動晶體管DT的柵極和漏極之間的短路連接，由于ST6以及ST7持續導通，則第三電源電壓通過第二驅動晶體管、ST6以及ST7對數據線DL進行第二次充電，則第二節點N2與第一節點N1之間的電壓之差為第二驅動晶體管DT的閾值電壓Vth.DT，也就是說，數據線DL第二次被充電到第二驅動晶體管DT的閾值電壓Vth.DT。

在閾值電壓偵測子階段CT6，掃描線SCAN提供的掃描信號以及閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號保持為低電平，及發光控制信號線EM提供的發光控制信號保持為高電平，則ST6以及ST7持續導通，ST8持續截止。同時第二開關控制信號為高電平，第一開關控制信號以及第三開關控制信號均為低電平，則第二開關陣列導通，第一開關陣列及第三開關陣列截止。采樣模塊122對第二節點N2和第一節點N1的電壓分別進行采樣，得到數據線DL上保存的第二驅動晶體管DT的閾值電壓Vth.DT進行。

這樣，在補償驅動階段，圖4a所示的像素驅動電路中的有機發光二極管的惡化電壓以及第二驅動晶體管DT的閾值電壓Vth.DT均被采集到，數據電壓產生模塊123可以根據上述惡化電壓及上述閾值電壓對有機發光二極管和第二驅動晶體管DT進行補償，從而實現均衡有機發光顯示面板中各像素的亮度。

如圖5b所示，圖4a所示的像素驅動電路的正常驅動階段包括數據寫入階段DT1和發光階段DT2。圖4a所示的像素驅動電路在正常驅動階段的工作原理與圖2a所示的像素驅動電路在正常驅動階段的工作原理相同，圖5b所示的工作時序圖與圖3b所示的工作時序圖相同。

在數據寫入階段DT1，掃描線SCAN提供的掃描信號為低電平，發光控制信號線EM提供的發光控制信號以及閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號為高電平，則第六晶體管ST6導通，第七晶體管ST7和第八晶體管ST8截止。同時，第三開關控制信號為高電平，第一開關控制信號以及第二開關控制信號為低電平，則第三開關陣列導通，第一開關陣列和第二開關陣列截止。數據電壓產生模塊123向數據線DL將被調制數字視頻數據(R’G’B’)轉換成數據電壓Vdata，并將其提供至數據線DL。可以理解的是，數據電壓Vdata中已對有機發光二極管惡化電壓進行補償。由于ST6導通，第一節點N1的電壓為Vdata。

在發光階段DT2，掃描線SCAN提供的掃描信號以及閾值偵測信號線SEN提供的閾值偵測信號均為高電平，發光控制信號線EM提供的發光控制信號為低電平，則第八晶體管ST8導通，第六晶體管ST6及第七晶體管ST7截止。第三開關控制信號為高電平，第一開關控制信號以及第二開關控制信號為低電平，則第三開關陣列繼續導通，第一開關陣列和第二開關陣列仍然截止。則第一節點N1的電勢仍為數據電壓Vdata，此時，有機發光二極管中流動的驅動電流Ioled如以下公式所示：

Ioled＝k(Vsg-Vth.DT)²/2＝k(Vdd-Vdata-Vth.DT)²/2。

由于數據電壓Vdata中已對第二驅動晶體管DT的閾值電壓Vth.DT進行補償，則有機發光二極管中流動的驅動電流Ioled不受第二驅動晶體管DT的惡化的影響，從而保證有機發光顯示面板中各有機發光二極管中流動的驅動電流一致，有機發光顯示面板的亮度均衡。

本申請還提供了一種對圖2所示的像素驅動電路的像素補償方法，具體參見圖6。如圖6所示，本實施例的像素補償方法包括以下步驟：

步驟601，在預充電階段，電源模塊向數據線組傳輸偏置電流信號，第一閾值補償單元基于數據線組將偏置電流信號傳輸至有機發光二極管的陽極，對數據線組及有機發光二極管進行預充電。

第一閾值補償單元可以包括第五晶體管，且閾值偵測信號線提供低電平信號，電源模塊提供的偏置電流信號可以通過數據線組傳輸至有機發光二極管的陽極，從而實現對數據線組及有機發光二極管進行預充電。

可以理解的是，當上述數據線組中只包括一條數據線時，電源模塊提供的偏置電流信號經上述數據線傳輸。當上述數據線組中包括兩條數據線時，與第二晶體管電連接的為第一數據線，與第五晶體管電連接的為第二數據線，則上述偏置電流信號經第二數據線傳輸至有機發光二極管的陽極。

步驟602，在閾值偵測階段，第一閾值補償單元基于數據偵測信號線的信號將有機發光二極管的陽極電壓傳輸至數據線組，采樣模塊通過數據線組獲得陽極電壓。

當電源模塊提供的偏置電流信號傳輸至有機發光二極管后，采樣模塊與數據線連通，同時第五晶體管仍然導通，則采樣模塊可以通過數據線組獲得有機發光二極管的陽極電壓。

步驟603，多次重復預充電階段及閾值偵測階段，確定有機發光二極管的電流-電壓-亮度曲線，確定不同工作電流對應的惡化電壓值。

經過上述步驟601和步驟602，可以得到對應的偏置電流值和陽極電壓值，在多次重復步驟601和步驟602后，可以多個對應的偏置電流值和陽極電壓值，從而可以確定有機發光二極管的電流-電壓-亮度曲線，然后將此確定的電流-電壓-亮度曲線與有機發光二極管原始的電流-電壓-亮度曲線進行比較，可以確定同一電流下，有機發光二極管的閾值電壓的偏移情況，即可以確定有機發光二極管的惡化電壓。

步驟604，在數據寫入階段，數據電壓產生模塊向數據線組傳輸數據電壓，第一數據寫入單元基于掃描線的信號將數據電壓以及第一電源電壓傳輸至第一存儲單元，像素驅動電路完成數據寫入。

由于第一存儲單元與第一節點N1和第二節點N2電連接，同時第一節點N1為第一驅動晶體管的柵極，第二節點N2為第一重置單元與第一數據寫入單元的電連接點。在數據寫入階段，掃描線提供的信號為低電平，則ST1和ST2都導通，數據電壓經數據線組傳輸至第二節點N2，第一電源電壓經第一驅動晶體管及ST1傳輸至第一節點N1，第一存儲單元分別存儲第一節點N1和第二節點N2的電壓。

步驟605，在發光階段，第一重置單元及第一發光控制單元基于發光控制信號線的信號導通，第一驅動晶體管向有機發光二極管提供驅動電流，有機發光二極管發光。

第一重置單元可以包括第三晶體管，第一發光控制單元可以包括第四晶體管。在發光階段，發光控制信號線提供的信號為低電平，第三晶體管及第四晶體管導通。由于第三晶體管與參考信號線電連接，參考信號線提供的參考電壓傳輸至第二節點N2，則第二節點N2的電壓由數據電壓下降為參考電壓。第一節點N1的電壓也相應的下降了數據電壓與參考電壓的差值，第一驅動晶體管導通，并向有機發光二極管提供驅動電流，有機發光二極管在驅動電流的作用下發光。

本申請的上述實施例提供的像素補償方法，可以有效的對像素驅動電路中各有機發光二極管的惡化差異進行補償，從而均衡了有機發光顯示面板的亮度。

本申請還提供了一種對圖4所示的像素驅動電路的像素補償方法，具體參見圖7。如圖7所示，本實施例的像素補償方法包括以下步驟：

步驟701，在重置階段，電源模塊向數據線傳輸第三電源電壓，第二數據寫入單元基于掃描線的信號將第三電源電壓傳輸至第二驅動晶體管的柵極，第二驅動晶體管完成重置。

第二數據寫入單元可以包括第六晶體管，在重置階段，第六晶體管導通，電源模塊向數據線傳輸第三電源電壓，該第三電源電壓通過第六晶體管傳輸至第二驅動晶體管的柵極，即第一節點，從而完成對第二驅動晶體管的重置。

步驟702，在閾值偵測階段，電源模塊向數據線分時傳輸電流信號和電壓信號，采樣模塊采集有機發光二極管的陽極電壓以及第二驅動晶體管的閾值電壓，數據電壓產生模塊根據陽極電壓以及閾值電壓產生數據電壓。

在閾值偵測階段，電源模塊即可以向數據線傳輸電流信號也可以向數據線傳輸電壓信號，上述電流信號可以用于采集有機發光二極管的陽極電壓，上述電壓信號可以用于采集第二驅動晶體管的閾值電壓，數據電壓產生模塊根據上述有機發光二極管的陽極電壓和第二驅動晶體管的閾值電壓，產生數據電壓。

步驟703，在數據寫入階段，數據電壓產生模塊向數據線傳輸數據電壓，第二數據寫入單元基于掃描線的信號將數據電壓傳輸至第二驅動晶體管的柵極，完成數據寫入。

在數據寫入階段，第六晶體管導通，數據電壓產生模塊提供的數據電壓可以傳輸至第二驅動晶體管的柵極，完成數據的寫入。

步驟704，在發光階段，第二發光控制單元基于發光控制信號線的信號導通，有機發光二極管發光。

第二發光控制單元包括第八晶體管，在發光階段，第八晶體管導通，第二驅動晶體管導通，向有機發光二極管提供驅動電流，有機發光二極管發光。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述閾值偵測階段還可以包括第一偵測階段，且第一偵測階段包括電流傳輸子階段和電壓采集子階段。

在電流傳輸子階段，電源模塊向數據線傳輸偏置電流信號，第二閾值偵測單元基于閾值偵測信號線的信號導通，第二發光控制單元基于發光控制信號線的信號導通，并將偏置電流信號傳輸至有機發光二極管的陽極。

在電壓采集子階段，第二閾值偵測單元基于閾值偵測信號線的信號以及第二發光控制單元基于發光控制信號線的信號將有機發光二極管的陽極電壓傳輸至數據線，采樣模塊通過數據線獲取有機發光二極管的陽極電壓。

在本實施例的一些可選的實現方式中，上述閾值偵測階段還可以包括第二偵測階段，且第二偵測階段包括電壓傳輸子階段、浮置子階段和閾值電壓偵測子階段。

在電壓傳輸子階段，電源模塊向數據線傳輸偵測電壓，第二數據寫入單元基于掃描線的信號將偵測電壓傳輸至第二驅動晶體管的柵極，第二閾值偵測單元基于閾值偵測信號線的信號將偵測電壓傳輸至第二驅動晶體管的第二極，數據線完成第一次充電。

在浮置子階段，數據線浮置，第二驅動晶體管的柵極和第二極短接，第二數據寫入單元基于掃描線的信號以及第二閾值偵測單元基于閾值偵測線的信號利用第三電源電壓端對數據線進行第二次充電。

在閾值電壓偵測子階段，像素驅動電路基于掃描線將第二驅動晶體管的柵極電壓、基于閾值偵測信號線將第二驅動晶體管的漏極電壓通過數據線傳輸給采樣模塊，采樣模塊完成對第二驅動晶體管閾值電壓的偵測。

本申請的上述實施例提供的像素補償方法，既可以對有機發光二極管的惡化電壓進行補償，又可以對驅動晶體管的閾值電壓進行補償，保證了有機發光顯示面板的顯示亮度，進一步均衡了有機發光顯示面板的亮度，提升了顯示效果。

如圖8所示，本申請還提供了一種有機發光顯示裝置800，包括圖1中描述的有機發光顯示面板。該有機發光顯示裝置800通過在有機發光顯示面板上設置外部補償電路以及像素驅動電路，既可以對有機發光二極管的惡化電壓進行補償，又可以對驅動晶體管的閾值電壓進行補償，保證了有機發光顯示面板的顯示亮度，進一步均衡了有機發光顯示面板的亮度，提升了顯示效果。可以理解的是，本實施例的有機發光顯示裝置800可以是具有顯示屏的各種電子設備，包括但不限于智能手機、平板電腦、電子書閱讀器、MP3播放器(Moving Picture Experts Group Audio Layer III，動態影像專家壓縮標準音頻層面3)、MP4(Moving Picture Experts Group Audio Layer IV，動態影像專家壓縮標準音頻層面4)播放器、膝上型便攜計算機和臺式計算機等等。

以上描述僅為本申請的較佳實施例以及對所運用技術原理的說明。本領域技術人員應當理解，本申請中所涉及的發明范圍，并不限于上述技術特征的特定組合而成的技術方案，同時也應涵蓋在不脫離所述發明構思的情況下，由上述技術特征或其等同特征進行任意組合而形成的其它技術方案。例如上述特征與本申請中公開的(但不限于)具有類似功能的技術特征進行互相替換而形成的技術方案。