專利名稱：一種陣列基板的制作方法、陣列基板和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板和液
晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Dsiplay,簡稱TFT-IXD)具有體積小、功耗低、制造成本相對較低和無福射等特點，在當(dāng)前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-LCD是由陣列基板和彩膜基板對合形成的，其中陣列基板目前較主流是采用5次掩模(5mask)或4次掩模(4mask)エ藝制造。每ー道光罩掩模制造エ藝中都需要經(jīng)歷清洗、干燥、成膜、光刻等幾個步驟，因現(xiàn)在有技術(shù)中制 程エ藝中的流程較多，不可避免的存在著制程時間較長，良率較低、成本高等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種エ藝流程少、低成本、高良品率的陣列基板的制作方法、陣列基板和液晶顯示裝置。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的一種陣列基板的制作方法，包括步驟A、采用第一道掩膜制程，在基材表面形成掃描線和TFT的閘極；B、在基材上依次鋪設(shè)絕緣層、第二金屬層和n+a-Si膜層，然后通過采用第二道掩膜制程，形成陣列基板的掃描線數(shù)據(jù)線、TFT的源極和漏極、及位于源極和漏極之間的導(dǎo)電溝道；C、對第二道掩膜制程形成的光阻進行灰化處理，曝露出導(dǎo)電溝道兩端的n+a-Si膜層，然后在陣列基板表面鋪設(shè)ー層a-Si膜層，形成的a-Si膜層跟導(dǎo)電溝道兩端的n+a-Si膜層可靠電連接；D、剝離光阻，將覆蓋在光阻表面的a-Si材料一井去除，剰余的a-Si膜層形成非摻雜有源層；E、采用第三道掩膜制程，保留非摻雜有源層覆蓋部分的n+a-Si膜層，形成摻雜有源層，然后在TFT的漏極表面形成透明導(dǎo)電層。優(yōu)選的，所述步驟E中，以非摻雜有源層為掩體，蝕刻掉非摻雜有源層覆蓋部分以外的n+a-Si膜層，形成摻雜有源層，然后再利用第三道掩膜制程在TFT表面形成透明導(dǎo)電層。此為ー種摻雜有源層的具體制作エ藝。優(yōu)選的，所述步驟E中，先采用掩膜制程在陣列基板表面形成透明導(dǎo)電層的圖案，然后通過曝光、顯影、蝕刻的方式去除非摻雜有源層覆蓋部分以外的n+a-Si材料，保留的n+a-Si材料形成摻雜有源層；然后鋪設(shè)ー層透明導(dǎo)電膠體，剝離剩余的光刻膠及其表面覆蓋的導(dǎo)電膠體，形成所述透明導(dǎo)電層。此為另一種摻雜有源層的具體制作エ藝。優(yōu)選的，所述步驟E中，利用掩膜制程在TFT的源極和漏極表面同步形成透明導(dǎo)電層。源極上也鋪設(shè)透明導(dǎo)電層，對源極來說可以起到保護作用，另外源極上的透明導(dǎo)電層可以跟漏極上的透明導(dǎo)電層同步形成，無須額外増加制程。優(yōu)選的，所述步驟A中，包括步驟Al、在基材上沉積第一金屬層；A2、在第一金屬層上涂布第一道光刻膠，然后通過曝光、顯影，做出陣列基板的掃描線和TFT的閘極的圖案，即形成第一道光阻；A3、對第一金屬層進行蝕刻，然后剝離第一道光阻，形成陣列基板的掃描線和TFT的閘極；所述步驟B包括BI、依次在基板上沉積絕緣層、第二金屬層和n+a-Si膜層； B2、在n+a-Si膜層上涂布第二道光刻膠，通過曝光、顯影，形成第二道光阻，第二道光阻在閘極上方區(qū)域形成缺ロ，缺ロ分為底部的第一方形缺ロ，以及位于開ロ處的第二方形缺ロ ；第二方形缺ロ寬度大于第一方形缺ロ的寬度；B3、以第二道光阻為掩體,蝕刻掉第一方形缺ロ處的n+a-Si膜層材料；B4、第一方形缺ロ處的n+a-Si膜層材料掉以后，繼續(xù)蝕刻暴露出來的第二金屬層，形成TFT的源極、漏極以及陣列基板的數(shù)據(jù)線；同時，切斷的n+a-Si膜層和第二金屬層之間也形成了跟第一方形缺ロ等寬的導(dǎo)電溝道；所述步驟C包括Cl、對第二道光阻進行灰化處理，使其厚度減薄，將第一方形缺ロ兩端覆蓋下的n+a-Si膜層暴露出來；C2、在基材上沉積a-Si膜層，a-Si膜層覆蓋暴露的η+a-Si膜層和導(dǎo)電溝道的表面；所述步驟E包括E1、以非摻雜有源層為掩體，蝕刻掉非摻雜有源層覆蓋區(qū)域以外的n+a-Si膜層材料，殘留的n+a-Si膜層形成摻雜的有源層；E2、采用第三道光刻膠，然后通過曝光、顯影，在非摻雜有源層所在的區(qū)域形成第三道光阻；E3、在基材上沉積透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層覆蓋在TFT的源極和漏極表面；E4、剝離第三道光阻，連同第三道光阻表面的透明導(dǎo)電層一井去除，形成TFT的像素電極。此為ー種具體的陣列基板的制作方法。優(yōu)選的，所述步驟E中，利用掩膜制程在TFT的源極和漏極表面同步形成透明導(dǎo)電層。源極表面也覆蓋透明導(dǎo)電層，可以對源極起到保護作用，另外源極上的透明導(dǎo)電層可以跟漏極上的透明導(dǎo)電層同步形成，無須額外増加制程。一種陣列基板，包括ー種TFT結(jié)構(gòu)，所述TFT結(jié)構(gòu)從底部算起，依次包括閘極、絕緣層、金屬層、摻雜有源層，所述閘極上方區(qū)域設(shè)有導(dǎo)電溝道，所述導(dǎo)電溝道切斷所述摻雜有源層和金屬層，切斷的金屬層分為源極和漏極，所述漏極表面覆蓋有透明導(dǎo)電層，所述摻雜有源層表面及導(dǎo)電溝道內(nèi)覆蓋有非摻雜有源層。優(yōu)選的，所述源極表面也覆蓋有透明導(dǎo)電層。源極上也鋪設(shè)透明導(dǎo)電層，對源極來說可以起到保護作用，另外源極上的透明導(dǎo)電層可以跟漏極上的透明導(dǎo)電層同步形成，無須額外増加制程。優(yōu)選的，所述TFT結(jié)構(gòu)關(guān)于導(dǎo)電溝道中心線軸對稱。采用對稱結(jié)構(gòu)可以簡化設(shè)計，降低設(shè)計成本。優(yōu)選的，所述摻雜有源層采用n+a-Si材料；所述非摻雜有源層采用a_Si材料。此為ー種具體的摻雜有源層和非摻雜有源層的材料。—種液晶顯示裝置，包括上述的一種陣列基板。本發(fā)明采用有摻雜有源層、非摻雜有源層在上方，而源極、漏極位于下方的結(jié)構(gòu)，采用一道掩膜制程就能同時形成源極、漏極和摻雜有源層，而通過光刻膠的灰化，將光刻膠厚度減薄，這樣位于導(dǎo)電溝道兩端位置較高的摻雜有源層就暴漏出來，此時再鋪設(shè)a-Si材料，將導(dǎo)電溝道兩端的摻雜有源層連接起來，最后將光刻膠全部剝離，導(dǎo)電溝道區(qū)域的a-Si材料保留，形成非摻雜有源層，因此采用本發(fā)明只需要一道掩膜制程就能同時形成源極、漏 極和摻雜有源層和非摻雜有源層，加上TFT閘極的一道掩膜制程，以及TFT像素電極的透明導(dǎo)電層也需要一道掩膜制程，本發(fā)明只需要三道掩膜制程就能制作出整個陣列基板，相比現(xiàn)有的四道、五道掩膜制程，減少了制程時間，降低了制造成本，步驟的簡化也有利于提升良品率。


圖I是本發(fā)明實施例ー步驟a示意圖；圖2是本發(fā)明實施例ー步驟b示意圖；圖3是本發(fā)明實施例ー步驟c示意圖；圖4是本發(fā)明實施例ー步驟d示意圖；圖5是本發(fā)明實施例ー步驟e示意圖；圖6是本發(fā)明實施例ー步驟f示意圖；圖7是本發(fā)明實施例ー步驟g示意圖；圖8是本發(fā)明實施例ー步驟h示意圖；圖9是本發(fā)明實施例ー步驟i示意圖；圖10是本發(fā)明實施例ー步驟j示意圖；圖11是本發(fā)明實施例ー步驟k示意圖；圖12是本發(fā)明實施例ー步驟I示意圖；圖13是本發(fā)明實施例ー步驟m示意圖；圖14是本發(fā)明實施例ー步驟η示意圖；圖15是本發(fā)明陣列基板整體示意圖；其中100、第一金屬層；110、閘極；210、第一道光阻；220、第二道光阻；230、第三道光阻；300、絕緣層；400、第二金屬層；410、漏極；420、源極；510、摻雜有源層；520、非摻雜有源層；600、透明導(dǎo)電層；700、導(dǎo)電溝道；810掃描線；820、數(shù)據(jù)線。
具體實施例方式本發(fā)明公開了ー種液晶顯示裝置，液晶顯示裝置包括一種陣列基板。如圖15所示，陣列基板上設(shè)有縱橫交錯的掃描線810和數(shù)據(jù)線820，以及薄膜晶體管(TFT)，TFT的源極跟數(shù)據(jù)線連接，閘極跟掃描線連接，漏極跟TFT的像素電極連接。如圖14所示，本發(fā)明的TFT結(jié)構(gòu)從底部算起，依次包括閘極110、絕緣層300、金屬層、摻雜有源層510，閘極上方區(qū)域設(shè)有導(dǎo)電溝道700，導(dǎo)電溝道切斷所述摻雜有源層和金屬層，切斷的金屬層分為源極420和漏極410，源極和漏極表面覆蓋有透明導(dǎo)電層600，所述摻雜有源層表面及導(dǎo)電溝道內(nèi)覆蓋有非摻雜有源層520。摻雜有源層采用n+a-Si材料；非摻雜有源層采用a-Si材料。本發(fā)明中，每個TFT結(jié)構(gòu)關(guān)于其導(dǎo)電溝道中心線軸對稱。當(dāng)然，透明導(dǎo)電層形成TFT的像素電極，因此透明導(dǎo)電層僅覆蓋漏極也是可行的，只不過源極上也鋪設(shè)透明導(dǎo)電層，對源極來說可以起到保護作用，另外源極上的透明導(dǎo)電層可以跟漏極上的透明導(dǎo)電層同步形成，無須額外増加制程，因此對 成本的影響也很小。本發(fā)明還公開了上述陣列基板的制造方法，下面結(jié)合附圖和較佳的實施例對本發(fā)明作進ー步說明。實施例一a、如圖I所述,在洗凈、干燥后的基材上沉積第一金屬層100 ；b、如圖2所示，在第一金屬層上涂布第一道光刻膠，然后通過曝光、顯影，做出陣列基板的掃描線和TFT的閘極的圖案，即形成第一道光阻210 ；C、如圖3所示，對第一金屬層進行蝕刻，然后剝離第一道光阻，形成陣列基板的掃描線和TFT的閘極；d、如圖4所示,依次在基板上沉積絕緣層(SiNx材質(zhì))、第二金屬層400和n+a_Si
膜層；e、如圖5所示，在n+a-Si膜層上涂布第二道光刻膠，通過曝光、顯影，形成第二道光阻，第二道光阻在閘極上方區(qū)域形成ー個“T”形缺ロ，缺ロ分為底部的第一方形缺ロ，以及位于開ロ處的第二方形缺ロ ；第二方形缺ロ寬度大于第一方形缺ロ的寬度；f、如圖6所示，以第二道光阻220為掩體，蝕刻掉第一方形缺ロ處的n+a-Si膜層材料；g、如圖7所不,第一方形缺ロ處的n+a-Si膜層材料掉以后，繼續(xù)蝕刻暴露出來的第二金屬層，形成TFT的源極、漏極以及陣列基板的數(shù)據(jù)線；同時，切斷的n+a-Si膜層和第ニ金屬層之間也形成了跟第一方形缺ロ等寬的導(dǎo)電溝道700 ；h、如圖8所示，對第二道光阻進行灰化處理，光阻的厚度減薄，第一方形缺ロ消失，此時第一方形缺ロ兩端覆蓋下的n+a-Si膜層暴露出來；i、如圖9所示，在基材上沉積a-Si膜層，a-Si膜層覆蓋暴露的n+a-Si膜層和導(dǎo)電溝道的表面；j、如圖10所示，剝離第二道光阻，將覆蓋在光阻表面的a-Si膜層ー并去除，殘留的a_Si I旲層形成非慘雜有源層520 ；k、如圖11所示，以非摻雜有源層為掩體，蝕刻掉非摻雜有源層覆蓋區(qū)域以外的n+a-Si膜層材料，殘留的n+a-Si膜層形成摻雜的有源層510 ；I、如圖12所示，采用第三道光刻膠，然后通過曝光、顯影，在非摻雜有源層所在的區(qū)域形成第三道光阻230 ；m、如圖13所示，在基材上沉積透明導(dǎo)電層600(如ΙΤ0)，透明導(dǎo)電層分別跟TFT的源極和漏極連接；η、如圖14所示，剝離第三道光阻，連同第三道光阻表面的透明導(dǎo)電層一井去除，形成TFT的像素電極；至此，整個陣列基板的必要部件全部形成，整個制程只需要采用三道光罩掩膜エ藝就能制作出整個陣列基板，相比現(xiàn)有的四道、五道掩膜制程，減少了制程時間，降低了制造成本，步驟的簡化也有利于提升良品率。當(dāng)然，第三道光阻可以覆蓋整個源極區(qū)域的ー側(cè)，后續(xù)沉積透明導(dǎo)電層并剝離第三道光阻以后，源極部分就不存在透明導(dǎo)電層，而僅在漏極部分形成透明導(dǎo)電層。實施方式ニ本實施方式跟實施方式一的區(qū)別從步驟k開始，形成非摻雜有源層以后，本實施方式先采用第三道光刻膠，然后通過曝光、顯影，保留非摻雜有源層所在區(qū)域的第三道光 阻，以第三道光阻為掩體，蝕刻掉暴漏的n+a-Si膜層，殘留的n+a-Si膜層形成摻雜的有源層；最后，在基材上沉積透明導(dǎo)電層(如ΙΤ0)，透明導(dǎo)電層分別跟TFT的源極和漏極連接，然后剝離第三道光阻，連同第三道光阻表面的透明導(dǎo)電層一井去除，形成TFT的像素電極。當(dāng)然，第三道光阻可以覆蓋整個源極區(qū)域的ー側(cè)，后續(xù)沉積透明導(dǎo)電層并剝離第三道光阻以后，源極部分就不存在透明導(dǎo)電層，而僅在漏極部分形成透明導(dǎo)電層。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進ー步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制作方法，包括步驟 A、采用第一道掩膜制程，在基材表面形成掃描線和TFT的閘極； B、在基材上依次鋪設(shè)絕緣層、第二金屬層和n+a-Si膜層，然后通過采用第二道掩膜制程，形成陣列基板的掃描線數(shù)據(jù)線、TFT的源極和漏極、及位于源極和漏極之間的導(dǎo)電溝道； C、對第二道掩膜制程形成的光阻進行灰化處理，曝露出導(dǎo)電溝道兩端的n+a-Si膜層，然后在陣列基板表面鋪設(shè)一層a-Si膜層，形成的a-Si膜層跟導(dǎo)電溝道兩端的n+a-Si膜層可靠電連接； D、剝離光阻，將覆蓋在光阻表面的a-Si材料一并去除，剩余的a-Si膜層形成非摻雜有源層； E、采用第三道掩膜制程，保留非摻雜有源層覆蓋部分的n+a-Si膜層，形成摻雜有源層，然后在TFT的漏極表面形成透明導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求I所述的一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟E中，以非摻雜有源層為掩體，蝕刻掉非摻雜有源層覆蓋部分以外的n+a-Si膜層，形成摻雜有源層，然后再利用第三道掩膜制程在TFT表面形成透明導(dǎo)電層。
3.如權(quán)利要求I所述的一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟E中，先采用掩膜制程在陣列基板表面形成透明導(dǎo)電層的圖案，然后通過曝光、顯影、蝕刻的方式去除非摻雜有源層覆蓋部分以外的n+a-Si材料，保留的n+a-Si材料形成摻雜有源層；然后鋪設(shè)一層透明導(dǎo)電膠體，剝離剩余的光刻膠及其表面覆蓋的導(dǎo)電膠體，形成所述透明導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求I所述的一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟A中，包括步驟 Al、在基材上沉積第一金屬層； A2、在第一金屬層上涂布第一道光刻膠，然后通過曝光、顯影，做出陣列基板的掃描線和TFT的閘極的圖案，即形成第一道光阻； A3、對第一金屬層進行蝕刻，然后剝離第一道光阻，形成陣列基板的掃描線和TFT的閘極； 所述步驟B包括 BI、依次在基板上沉積絕緣層、第二金屬層和n+a-Si膜層； B2、在n+a-Si膜層上涂布第二道光刻膠，通過曝光、顯影，形成第二道光阻，第二道光阻在閘極上方區(qū)域形成缺口，缺口分為底部的第一方形缺口，以及位于開口處的第二方形缺口 ；第二方形缺口寬度大于第一方形缺口的寬度； B3、以第二道光阻為掩體,蝕刻掉第一方形缺口處的n+a-Si膜層材料； B4、第一方形缺口處的n+a-Si膜層材料掉以后，繼續(xù)蝕刻暴露出來的第二金屬層，形成TFT的源極、漏極以及陣列基板的數(shù)據(jù)線；同時，切斷的n+a-Si膜層和第二金屬層之間也形成了跟第一方形缺口等寬的導(dǎo)電溝道； 所述步驟C包括 Cl、對第二道光阻進行灰化處理，使其厚度減薄，將第一方形缺口兩端覆蓋下的n+a-Si膜層暴露出來； C2、在基材上沉積a-Si膜層，a-Si膜層覆蓋暴露的n+a_Si膜層和導(dǎo)電溝道的表面；所述步驟E包括 E1、以非摻雜有源層為掩體，蝕刻掉非摻雜有源層覆蓋區(qū)域以外的n+a-Si膜層材料，殘留的n+a-Si膜層形成摻雜的有源層； E2、采用第三道光刻膠，然后通過曝光、顯影，在非摻雜有源層所在的區(qū)域形成第三道光阻； E3、在基材上沉積透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層覆蓋在TFT的源極和漏極表面； E4、剝離第三道光阻，連同第三道光阻表面的透明導(dǎo)電層一并去除，形成TFT的像素電極< >。
5.如權(quán)利要求I 4任一所述的一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟E中，利用掩膜制程在TFT的源極和漏極表面同步形成透明導(dǎo)電層。
6.一種陣列基板，包括一種TFT結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述TFT結(jié)構(gòu)從底部算起，依次包括閘極、絕緣層、金屬層、摻雜有源層，所述閘極上方區(qū)域設(shè)有導(dǎo)電溝道，所述導(dǎo)電溝道切斷所述摻雜有源層和金屬層，切斷的金屬層分為源極和漏極，所述漏極表面覆蓋有透明導(dǎo)電層，所述摻雜有源層表面及導(dǎo)電溝道內(nèi)覆蓋有非摻雜有源層。
7.如權(quán)利要求6所述的一種陣列基板，其特征在于，所述源極表面也覆蓋有透明導(dǎo)電層。
8.如權(quán)利要求7所述的一種陣列基板，其特征在于，所述TFT結(jié)構(gòu)關(guān)于導(dǎo)電溝道中心線軸對稱。
9.如權(quán)利要求6所述的一種陣列基板，其特征在于，所述摻雜有源層采用n+a-Si材料；所述非摻雜有源層采用a-Si材料。
10.一種液晶顯不裝置，包括如權(quán)利要求6 9任一所述的一種陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開一種陣列基板的制作方法、陣列基板和液晶顯示裝置，所述陣列基板的制作方法包括步驟A、采用第一道掩膜制程，在基材表面形成掃描線和TFT的閘極；B、采用第二道掩膜制程，形成陣列基板的掃描線數(shù)據(jù)線、TFT的源極和漏極、及位于源極和漏極之間的導(dǎo)電溝道；C、對第二道掩膜制程形成的光阻進行灰化處理，然后在陣列基板表面鋪設(shè)一層a-Si膜層；D、剝離光阻，形成非摻雜有源層；E、采用第三道掩膜制程，在TFT的漏極表面形成透明導(dǎo)電層。本發(fā)明只需要三道掩膜制程就能制作出整個陣列基板，相比現(xiàn)有的四道、五道掩膜制程，減少了制程時間，降低了制造成本，步驟的簡化也有利于提升良品率。
文檔編號G02F1/1362GK102723310SQ20121022511
公開日2012年10月10日 申請日期2012年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月2日
發(fā)明者王俊 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司