專利名稱：液晶顯示裝置、陣列基板及其制作方法
技術領域：
本發明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種液晶顯示裝置、陣列基板及其制作方法。
背景技術：
液晶顯示面板的制作過程一般分為陣列(Array)制程、組立(Cell)制程以及模組(Module)制程。其中，陣列制程主要是產生薄膜晶體管玻璃基板(也稱為陣列基板)，其作為液晶顯示面板制作過程的第一道工序，所產生的薄膜晶體管玻璃基板的好壞對后續制程有著重大影響，甚至決定液晶顯示面板的好壞。陣列制程分為五道光罩制程(5PEP)，請一并參考圖I與圖2，圖I為現有技術陣列基板的畫素布局(Layout)結構示意圖，圖2為沿著圖I所示的陣列基板的A-B線切割 的剖面圖。現有技術的五道制程首先由第一金屬層(Ml) 11形成薄膜晶體管140的刪極(Gate) 110、掃貓線(Gate Line or Scan Line) 111和公共電極120 ;然后在第一金屬層11上形成第一絕緣層(Isolator Layer) 12,并在用于形成薄膜晶體管140的柵極110的第一金屬層11所對應的第一絕緣層12上形成一層半導體層13 ;繼而在第一絕緣層12以及半導體層13上形成第二金屬層14，用于形成數據線141、薄膜晶體管140的源極142和漏極143 ;并在第二金屬層14以及第一絕緣層12上形成第二絕緣層15 ;最后在第二絕緣層15上形成透明導電層16,用于形成畫素電極(Pixel Electrode,簡稱PE) 161。目前，隨著對具有高驅動頻率(Frame rate)或解析度(Resolution)的液晶顯示裝置的畫面品質的要求越來越高，因此必須減小掃瞄線111與數據線141的阻抗。請參閱圖3，圖3是現有技術中減小掃描線和數據線阻抗的陣列基板的畫素布局結構示意圖，其中，圖3是在圖I和圖2所示的陣列基板的基礎上進行改進，以達到減小掃瞄線110與數據線141阻抗的目的。如圖3所示，圖3是在圖I所示的第一金屬層11形成的掃瞄線110的局部區域增加了第二金屬層14，以此加快掃描線110傳遞掃描信號的能力，并透過導通孔(VIA) 17與透明導電層16形成的像素電極161將掃描信號在第一金屬層11與第二金屬層14間進行切換。同理，圖3在圖I所示的第二金屬14形成的數據線141的局部區域增加了第一金屬層11，以此加快數據線141傳遞數據信號的能力，并透過導通孔17與透明導電層16形成的像素電極161將數據線信號在第一金屬層11與第二金屬層14間進行切換。使用圖3所示的畫素布局方式的確可在不增加成本的情況下達到減小掃描線和數據線阻抗的目的，但需要透過導通孔17與透明導電層16才能將掃描信號或數據信號在其各自對應的第一金屬層與第二金屬層間切換。而透明導電層16具有較高阻值且透明導電層16與第一金屬層11或第二金屬層14之間的介面電阻較大。因此，使用圖3所示的結構來減小掃描線和數據線阻抗的效果并不佳，進一步的，在像素電極上大量增加的導通孔結構會減小像素電極的開口率與亮度，反而會影響液晶顯示裝置的畫面品質。

發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供一種液晶顯示裝置、陣列基板及其制作方法，能夠減小掃描線和數據線的阻抗，從而提高液晶顯示裝置的畫面品質。為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是提供一種陣列基板，該陣列基板包括基底；第一金屬層，設置在基底上，用以形成掃描線、薄膜晶體管的柵極以及公共電極；第一絕緣層，設置在第一金屬層上；透明導電層，設置在第一絕緣層上，用以形成薄膜晶體管的源極、漏極以及像素電極，且像素電極與薄膜晶體管的漏極連接；第二絕緣層，設置在透明導電層上，第二絕緣層在對應于薄膜晶體管的源極的位置處設置有第一導通孔；第二金屬層，設置在第二絕緣層上，用以形成數據線，數據線通過第一導通孔與薄膜晶體管的源極連接；其中，陣列基板進一步包括輔助電極，輔助電極由第一金屬層和第二金屬層中的至少之一者形成，以減小掃描線和/或數據線的阻抗。其中，輔助電極由第一金屬層形成，輔助電極通過穿透第一絕緣層和第二絕緣層 的第二導通孔與數據線連接，用以減小數據線的阻抗，輔助電極對應設置在數據線的下方，且輔助電極沿著數據線的延伸方向設置在掃描線和公共電極之間。其中，輔助電極由第二金屬層形成，輔助電極通過穿越第一絕緣層和第二絕緣層的第三導通孔與掃描線連接，用以減小掃描線的阻抗，輔助電極對應設置在掃描線的上方，且輔助電極沿著掃描線的延伸方向設置在兩相鄰的數據線之間。其中，輔助電極包括第一輔助電極以及第二輔助電極，第一輔助電極由第一金屬層形成，第二輔助電極由第二金屬層形成，其中第一輔助電極通過穿透第一絕緣層和第二絕緣層的第二導通孔與數據線連接，用以減小數據線的阻抗，第一輔助電極對應設置在數據線的下方，且第一輔助電極沿著數據線的延伸方向設置在掃描線和公共電極之間；第二輔助電極通過穿越第一絕緣層和第二絕緣層的第三導通孔與掃描線連接，用以減小掃描線的阻抗，第二輔助電極對應設置在掃描線的上方，且第二輔助電極沿著掃描線的延伸方向設置在兩相鄰的數據線之間。為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是提供一種液晶顯示裝置，其包括如上述任一項所述的陣列基板。為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是提供一種陣列基板的制作方法，該制作方法包括提供一基底；在基底上設置第一金屬層，用以形成掃描線、薄膜晶體管的柵極以及公共電極；在第一金屬層上設置第一絕緣層；在第一絕緣層上設置透明導電層，用以形成薄膜晶體管的源極、漏極以及像素電極，薄膜晶體管的漏極與像素電極連接；在透明導電層上設置第二絕緣層，并且在第二絕緣層對應于薄膜晶體管的源極的位置處設置有第一導通孔；在第二絕緣層上設置第二金屬層，用以形成數據線，數據線通過第一導通孔與薄膜晶體管的源極連接；其中，進一步設置輔助電極，輔助電極由第一金屬層和第二金屬層中的至少之一者形成，以減小掃描線和/或數據線的阻抗。其中，在第一金屬層上設置第一絕緣層的步驟包括在薄膜晶體管的柵極對應的第一絕緣層上形成一半導體層，其中，薄膜晶體管的源極和漏極分別與半導體層連接。
其中，輔助電極由第一金屬層形成，在數據線的下方設置輔助電極，且輔助電極沿著數據線的延伸方向設置在掃描線和公共電極之間，通過穿透第一絕緣層和第二絕緣層的第二導通孔連接輔助電極與數據線。其中，輔助電極由第二金屬層形成，在掃描線的上方設置輔助電極，且輔助電極沿著掃描線的延伸方向設置在兩相鄰的數據線之間，通過穿透第一絕緣層和第二絕緣層的第三導通孔連接輔助電極與掃描線。其中，輔助電極包括第一輔助電極以及第二輔助電極，第一輔助電極由第一金屬層形成，第二輔助電極由第二金屬層形成，其中在數據線的下方設置第一輔助電極，且第一輔助電極沿著數據線的延伸方向設置在掃描線和公共電極之間，通過穿透第一絕緣層和第二絕緣層的第二導通孔連接第一輔助電極與數據線；
在掃描線的上方設置第二輔助電極，且第二輔助電極沿著掃描線的延伸方向設置在兩相鄰的數據線之間，通過穿透第一絕緣層和第二絕緣層的第三導通孔連接第二輔助電極與掃描線。本發明的有益效果是區別于現有技術的情況，本發明通過設置輔助電極，并且該輔助電極由制作掃描線和數據線的第一金屬層和第二金屬層中的至少之一者形成，使得在傳輸掃描信號或者數據信號時，掃描信號或者數據信號由輔助電極以及掃描線或者輔助電極以及數據線共同傳輸，因此，擴寬了信號傳輸的路徑，從而減小了數據線或者掃描線的阻抗，從而提聞液晶顯不裝置的畫面品質。


圖I是現有技術陣列基板的畫素布局結構示意圖；圖2是沿著圖I所示的陣列基板的A-B線切割的剖面圖；圖3是現有技術中減小掃描線和數據線阻抗的陣列基板的畫素布局結構示意圖；圖4是本發明一種陣列基板的畫素布局結構示意圖；圖5是圖4所示的陣列基板沿著E-F虛線切割的剖面圖；圖6是圖4所示的陣列基板沿著A-B虛線切割的剖面圖；圖7是圖4所示的陣列基板沿著C-D虛線切割的剖面圖；圖8是本發明陣列基板的制作方法實施例的流程圖；圖9是圖8的陣列基板的五道光罩制程的示意圖。
具體實施例方式請一并參閱圖4和圖5,圖4是本發明一種陣列基板的畫素布局結構不意圖；圖5是圖4所示的陣列基板沿著E-F虛線切割的剖面圖。首先請參閱圖4，圖4只顯示了陣列基板500的基底50上的一個畫素布局結構，如圖4所示，該畫素布局結構由平行設置的兩條掃描線511、平行設置的兩條數據線571、薄膜晶體管540、公共電極512以及像素電極543組成。本實施例中，兩條掃描線511分別和兩條數據線571垂直，以形成一長方形區域，并在該長方形區域內設置像素電極543。其中，掃描線511連接薄膜晶體管540的柵極510，數據線571連接薄膜晶體管540的源極541，并且薄膜晶體管540的漏極542連接像素電極543。其中，在兩掃描線511之間并在像素電極543的下方設置公共電極512，公共電極512與像素電極543之間形成一電容結構。其中，陣列基板500中各元件的具體位置請參閱圖5。如圖5所不，陣列基板500包括基底50、第一金屬層51、第一絕緣層52、透明導電層54、第二絕緣層55以及第二金屬層57。其中，第一金屬層51設置在基底50上,用以形成薄膜晶體管540的柵極510、掃描線511 (如圖4所示)以及公共電極512。第一絕緣層52設置在第一金屬層51上。透明導電層54設置在第一絕緣層52上，其中，透明導電層54用以形成薄膜晶體管540的源極541、漏極542以及像素電極543，且像素電極543與薄膜晶體管540的漏極542連接。第二絕緣層55設置在透明導電層54上，并且第二絕緣層55在對應于薄膜晶體管540的源極541的位置處設置有第一導通孔56。第二金屬層57設置在對應于薄膜晶體管540的源極541的第二絕緣層55上，并且第二金屬層57用以形成數據線571。其中，數據線571通過第一導通孔56與薄膜晶體管540的源極541連接。 本實施例中，在薄膜晶體管540的柵極510對應的第一絕緣層52上進一步設置一半導體層53，并且半導體層53與源極541以及漏極542連接，其中，半導體層53對薄膜晶體管540起到開關的作用。具體地薄膜晶體管540的柵極510作為控制電極，當掃描線511向薄膜晶體管540的柵極510提供掃描信號時，半導體層53導通，使薄膜晶體管540處于導通狀態，作為薄膜晶體管540的輸入電極的源極541和作為輸出電極的漏極542通過半導體層53電性連接；當薄膜晶體管540的柵極510沒有輸入掃描信號時，半導體層53不導通，使薄膜晶體管540處于關閉狀態，源極541和漏極542電性絕緣。進一步的，為了提高液晶顯示裝置的畫面品質，必須減小掃描線511和/或數據線571的阻抗。請一并參考圖4、圖6和圖7，本實施例中，陣列基板50進一步包括輔助電極501,并且該輔助電極501由第一金屬層和第二金屬層中的至少之一者形成。圖6是圖4所不的陣列基板沿著A-B虛線切割的首I]面圖；圖7是圖4所不的陣列基板沿著C-D虛線切割的剖面圖。請先參閱圖4，輔助電極501 (圖6所示)包括第一輔助電極513,并且第一輔助電極513設置在掃描線511和公共電極512之間并對應于數據線571的下方。其中，第一輔助電極513的具體結構請參閱圖6。如圖6所示，第一輔助電極513對應設置在數據線571的下方，具體為第一輔助電極513設置在第一絕緣層52的下方，且第一輔助電極513沿著數據線571的延伸方向設置在掃描線511和公共電極512之間，并且通過穿透第一絕緣層52和第二絕緣層55的第二導通孔58與數據線571連接。本實施例中，第一輔助電極513優選由第一金屬層形成，以此可以減小材料的成本。因此，在數據信號傳導的過程，數據信號除了在數據線571中傳遞外，在設置有第一輔助電極513的區域，可透過導通孔58將數據線571的數據信號輸送到第一輔助電極513進行傳遞。以此拓寬了數據信號傳導的路徑。因此減小了數據線571的阻抗，從而提高液晶顯示裝置的畫面品質。請再參閱圖4，同理，在掃描線511的上方設置輔助電極501能夠減小掃描線511的阻抗，從而提高液晶顯示裝置的畫面品質。因此，輔助電極501進一步包括第二輔助電極572，其中，第二輔助電極572的具體結構請參閱圖7。如圖7所示，第二輔助電極572設置在掃描線511的上方，具體為第二輔助電極572設置在第二絕緣層55的上，且第二輔助電極572沿著掃描線511的延伸方向設置在兩相鄰的數據線571之間。并且第二輔助電極572通過穿透第一絕緣層52和第二絕緣層55的第三導通孔59與掃描線511連接。本實施例中，第二輔助電極572優選由第二金屬層形成，以此可以減小材料的成本。因此，在掃描信號傳導的過程，掃描信號除了在掃描線511中傳遞外，在設置有第二輔助電極572的區域，可透過第三導通孔59將掃描線511的掃描信號輸送到第二輔助電極572進行傳遞。以此拓寬了掃描信號傳導的路徑。因此減小了掃描線511的阻抗，從而提聞了液晶顯不裝置的畫面品質。承前所述，在掃描線511的上方設置第二輔助電極572以及在數據線571的下方 設置第一輔助電極513能夠減小掃描線511以及數據線571的阻抗，從而提高液晶顯示裝置的畫面品質。在其他優選實施例中，考慮到成本的問題，也可以只在掃描線511的上方設置輔助電極501，或者只在數據線571的下方設置輔助電極501。當只在掃描線511的上方設置輔助電極501時，輔助電極501由第二金屬層形成，輔助電極501對應設置在掃描線511的上方，且輔助電極501沿著掃描線511的延伸方向設置在兩相鄰的數據線571之間，輔助電極501通過穿透第一絕緣層52和第二絕緣層55的第三導通孔59與掃描線511連接，具體的輔助電極501的結構與上述所述的第二輔助電極572的結構相同，在此不再贅述。同理，輔助電極501也可以減小掃描線511的阻抗，從而提聞液晶顯不裝置的畫面品質。當只在數據線571的下方設置輔助電極501時，輔助電極501由第一金屬層形成，輔助電極501對應設置在數據線571的下方，且輔助電極501沿著數據線571的延伸方向設置在掃描線511和公共電極512之間。輔助電極501通過穿透第一絕緣層52和第二絕緣層55的第二導通孔58與數據線571連接。具體的輔助電極501的結構與上述所述的第一輔助電極513的結構相同，在此不再贅述。同理，輔助電極501也可以減小掃描線571的阻抗，從而提高液晶顯示裝置的畫面品質。本發明更提供了一種液晶顯示裝置，其中，該液晶顯示裝置包括圖4-圖7所示的任一實施例的陣列基板。請一并參閱圖8和圖9，圖8是本發明陣列基板的制作方法實施例的流程圖；圖9是圖8所示的陣列基板的五道光罩制程的示意圖。首先參閱圖8，本發明陣列基板的制作方法包括以下步驟步驟SlO :提供一基底；步驟Sll :在基底上設置第一金屬層，用以形成掃描線、薄膜晶體管的柵極以及公共電極；步驟S12 :在第一金屬層上設置第一絕緣層；步驟S13 :在第一絕緣層上設置透明導電層，用以形成薄膜晶體管的源極、漏極以及像素電極，薄膜晶體管的漏極與像素電極連接；
步驟S14:在透明導電層上設置第二絕緣層，并且在第二絕緣層對應于薄膜晶體管的源極的位置處設置有第一導通孔；步驟S15 :在第二絕緣層上設置第二金屬層，用以形成數據線，數據線通過第一導通孔與薄膜晶體管的源極連接。請一起參閱圖9，在步驟SlO中，提供一塊干凈的、表面平滑的玻璃作為陣列基板的基底50。通過在基底50上進行鍍膜、蝕刻等工藝，從而在基底50上形成掃描線、數據線、像素電極和薄膜晶體管等主要元件。在步驟Sll中，在基底50上設置第一金屬層51,并對第一金屬層51進行刻蝕，以形成薄膜晶體管的柵極510和掃描線511 (如圖4所示)以及公共電極512。其中，薄膜晶體管的柵極510和掃描線511相互電連接(圖中未示連接關系)，以在后續制程中通過掃描線511向薄膜晶體管的柵極510提供掃描信號。
在步驟S12中，在形成薄膜晶體管的柵極510、掃描線511以及公共電極512后，在薄膜晶體管的柵極510和公共電極512上形成第一絕緣層52。進一步的，在形成第一絕緣層52后，在薄膜晶體管的柵極510對應的第一絕緣層52上形成一半導體層53。在步驟S13中，在第一絕緣層52上設置透明導電層54，并對透明導電層54進行刻蝕，以形成薄膜晶體管的源極541、漏極542以及像素電極543。其中，公共電極512和薄膜晶體管的柵極510與透明導電層54之間通過第一絕緣層52電性絕緣。薄膜晶體管的漏極542與像素電極543連接，以在后續制程中通過漏極542向像素電極543輸入數據信號進行顯示。薄膜晶體管的源極541和漏極542分別與半導體層53連接。其中，半導體層53對薄膜晶體管起到開關的作用。具體地薄膜晶體管的柵極510作為控制電極，當掃描線511向薄膜晶體管的柵極510提供掃描信號時，半導體層53導通，使薄膜晶體管處于導通狀態，作為薄膜晶體管的輸入電極的源極541和作為輸出電極的漏極542通過半導體層53電性連接；當薄膜晶體管的柵極510沒有輸入掃描信號時，半導體層53不導通，使薄膜晶體管處于關閉狀態，源極541和漏極542電性絕緣。在步驟S14中，在完成透明導電層54的設置后，在透明導電層54上設置第二絕緣層55，本實施例中，第二絕緣層55可以是鈍化層，也可以是其他具有絕緣特性的絕緣層，在此不做具體限制。此時，薄膜晶體管的源極541覆上了第二絕緣層55，而源極541作為薄膜晶體管的輸入電極，需要對其輸入所需的數據信號。因此，需對第二絕緣層55進行干蝕刻以形成第一導通孔56，其中，第一導通孔56設置在第二絕緣層55對應于薄膜晶體管的源極541的位置處，以方便對源極541輸入數據信號。其中，干蝕刻是指利用等離子進行薄膜刻蝕的技術。本實施例中，采用反應離子刻蝕的干蝕刻方式通過活性離子對第二絕緣層55進行物理轟擊和化學反應，以在第二絕緣層55上形成對應薄膜晶體管的源極541的第一導通孔56。而在本發明的備選實施例中，也可以利用物理性蝕刻或化學性蝕刻的干蝕刻方式對第二絕緣層55進行蝕刻以形成第一導通孔56，在此不進行具體限制。在步驟S15中，在第二絕緣層55上設置第二金屬層57，并對第二金屬層57進行刻蝕以形成數據線571，數據線571通過第一導通孔56與薄膜晶體管的源極541連接。經過上述步驟后，基底50上已形成了掃描線511、數據線571、公共電極512以及像素電極543，而所形成的半導體層53、柵極510、源極541以及漏極542則構成了基底50所需的薄膜晶體管。在掃描線511向薄膜晶體管的柵極510輸入掃描信號時，半導體層53導通，使薄膜晶體管打開，薄膜晶體管的源極541和漏極542接通，數據線571通過導通孔56向薄膜晶體管的源極541輸入數據信號，數據信號從漏極542輸出至像素電極543。進一步的，為了提高液晶顯示裝置的畫面品質，必須減小掃描線511和/或數據線571的阻抗。因此，本實施例中，進一步設置輔助電極，該輔助電極由第一金屬層51和第二金屬層57中的至少之一者形成。其中，輔助電極的具體設置分為以下三種情況第一種情況是只減小數據線的阻抗；第二種情況是只減小掃描線的阻抗；第三種情況是同時減小掃描線和數據線的阻抗。其中，第一種情況時請一并參考圖6,輔助電極501由第一金屬層51形成,并且在步驟Sll中形成掃描線511時，在數據線571的下方進一步設置輔助電極501，且該輔助電極501沿著數據線571的延伸方向設置在掃描線511和公共電極512之間。并在步驟S14中完成第二絕緣層55的設置后，進一步在輔助電極501的上方設置至少兩個第二導通58，該第二導通孔58穿透第一絕緣層52和第二絕緣層55，并且輔助電極501通過第二導通孔58與數據線571連接。因此，在數據信號傳遞過程中，除了數據線571傳遞數據信號外，在設置有輔助電極501的區域，數據信號由輔助電極501以及數據線571共同傳遞，拓寬了數據信號傳遞的路徑，并且減小了數據線571的阻抗。當輔助電極501的設置屬于第二種情況時請一起參閱圖7，輔助電極501由第二金屬層57形成，并且在步驟S14中完成第二絕緣層55的設置后，進一步在掃描線511的上方設置至少兩個第三導通孔59，第三導通孔59穿透第一絕緣層52和第二絕緣層55。然后繼續在掃描線511的上方設置輔助電極501，且輔助電極501沿著掃描線511的延伸方向設置在兩相鄰的數據線571之間，并通過第三導通孔59連接輔助電極501與掃描線511。同理，在掃描信號傳遞過程中，除了掃描線511傳遞掃描信號外，在設置有輔助電極501的區域,掃描信號由輔助電極501以及掃描線511共同傳遞,拓寬了掃描信號傳遞的路徑，并且減小了掃描線511的阻抗。當輔助電極501的設置是第三種情況時請一并參閱圖6和圖7，輔助電極501包括第一輔助電極513以及第二輔助電極572,其中,第一輔助電極513由第一金屬層51形成，第二輔助電極572由第二金屬層57形成。其中，第一輔助電極513設置在數據線571的下方，且第一輔助電極513沿著數據線571的延伸方向設置在掃描線511和公共電極512之間。并且通過穿透第一絕緣層52和第二絕緣層55的第二導通孔58連接第一輔助電極513與數據線571。具體的設置步驟與前文所述的輔助電極501是第一種情況時的相同，在此不再贅述。其中，第二輔助電極572設置在掃描線511的上方，且第二輔助電極572沿著掃描線511的延伸方向設置在兩相鄰的數據線571之間。并且通過穿透第一絕緣層52和第二絕緣層55的第三導通孔59連接第二輔助電極572與掃描線511。具體的設置步驟與前文所述的輔助電極501是第二種情況時的相同，在此不再贅述。綜上所述，本發明通過在掃描線的上方和/或數據線的下方設置輔助電極，并且輔助電極的材質與掃描線或者數據線的至少之一形成。因此，在掃描信號或者數據信號傳遞過程中，利用輔助電極進行傳遞，以此減小掃描線和/或數據線的阻抗，從而提高的液晶顯示裝置的畫面品質。以上所述僅為本發明 的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。
權利要求
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括 基底； 第一金屬層，設置在所述基底上，用以形成掃描線、薄膜晶體管的柵極以及公共電極； 第一絕緣層，設置在所述第一金屬層上； 透明導電層，設置在所述第一絕緣層上，用以形成所述薄膜晶體管的源極、漏極以及像素電極，且所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極連接； 第二絕緣層，設置在所述透明導電層上，所述第二絕緣層在對應于所述薄膜晶體管的所述源極的位置處設置有第一導通孔； 第二金屬層，設置在所述第二絕緣層上，用以形成數據線，所述數據線通過所述第一導通孔與所述薄膜晶體管的源極連接； 其中，所述陣列基板進一步包括輔助電極，所述輔助電極由所述第一金屬層和第二金屬層中的至少之一者形成，以減小所述掃描線和/或所述數據線的阻抗。
2.根據權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助電極由所述第一金屬層形成，所述輔助電極通過穿透所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第二導通孔與所述數據線連接，用以減小所述數據線的阻抗，所述輔助電極對應設置在所述數據線的下方，且所述輔助電極沿著所述數據線的延伸方向設置在所述掃描線和所述公共電極之間。
3.根據權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助電極由所述第二金屬層形成，所述輔助電極通過穿透所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第三導通孔與所述掃描線連接，用以減小所述掃描線的阻抗，所述輔助電極對應設置在所述掃描線的上方，且所述輔助電極沿著所述掃描線的延伸方向設置在兩相鄰的所述數據線之間。
4.根據權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助電極包括第一輔助電極以及第二輔助電極，所述第一輔助電極由所述第一金屬層形成，所述第二輔助電極由所述第二金屬層形成，其中 所述第一輔助電極通過穿透所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第二導通孔與所述數據線連接，用以減小所述數據線的阻抗，所述第一輔助電極對應設置在所述數據線的下方，且所述第一輔助電極沿著所述數據線的延伸方向設置在所述掃描線和所述公共電極之間； 所述第二輔助電極通過穿越所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第三導通孔與所述掃描線連接，用以減小所述掃描線的阻抗，所述第二輔助電極對應設置在所述掃描線的上方，且所述第二輔助電極沿著所述掃描線的延伸方向設置在兩相鄰的所述數據線之間。
5.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-4任一項所述的陣列基板。
6.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括 提供一基底； 在所述基底上設置第一金屬層，用以形成掃描線、薄膜晶體管的柵極以及公共電極； 在所述第一金屬層上設置第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上設置透明導電層，用以形成所述薄膜晶體管的源極、漏極以及像素電極，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極連接； 在所述透明導電層上設置第二絕緣層，并且在所述第二絕緣層對應于所述薄膜晶體管的所述源極的位置處設置有第一導通孔；在所述第二絕緣層上設置第二金屬層，用以形成數據線，所述數據線通過所述第一導通孔與所述薄膜晶體管的源極連接； 其中，進一步設置輔助電極，所述輔助電極由所述第一金屬層和所述第二金屬層中的至少之一者形成，以減小所述掃描線和/或所述數據線的阻抗。
7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一金屬層上設置第一絕緣層的步驟包括 在所述薄膜晶體管的柵極對應的所述第一絕緣層上形成一半導體層，其中，所述薄膜晶體管的源極和漏極分別與所述半導體層連接。
8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述輔助電極由所述第一金屬層形成，在所述數據線的下方設置所述輔助電極，且所述輔助電極沿著所述數據線的延伸方向設置在所述掃描線和所述公共電極之間，通過穿透所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第二導通孔連接所述輔助電極與所述數據線。
9.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述輔助電極由所述第二金屬層形成，在所述掃描線的上方設置所述輔助電極，且所述輔助電極沿著所述掃描線的延伸方向設置在兩相鄰的所述數據線之間，通過穿透所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第三導通孔連接所述輔助電極與所述掃描線。
10.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述輔助電極包括第一輔助電極以及第二輔助電極，所述第一輔助電極由所述第一金屬層形成，所述第二輔助電極由所述第二金屬層形成，其中 在所述數據線的下方設置所述第一輔助電極，且所述第一輔助電極沿著所述數據線的延伸方向設置在所述掃描線和所述公共電極之間，通過穿透所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第二導通孔連接所述第一輔助電極與所述數據線； 在所述掃描線的上方設置所述第二輔助電極，且所述第二輔助電極沿著所述掃描線的延伸方向設置在兩相鄰的所述數據線之間，通過穿透所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的第三導通孔連接所述第二輔助電極與所述掃描線。
全文摘要
本發明公開了一種液晶顯示裝置、陣列基板及其制作方法。該陣列基板包括基底、第一金屬層、第一絕緣層、透明導電層、第二絕緣層以及第二金屬層。其中，第一金屬層用以形成掃描線、薄膜晶體管的柵極以及公共電極；第一絕緣層設置在第一金屬層上；透明導電層用以形成薄膜晶體管的源極、漏極以及像素電極；第二絕緣層設置在透明導電層上；第二金屬層用以形成數據線；進一步的，陣列基板進一步包括輔助電極，該輔助電極由第一金屬層和第二金屬層中的至少之一者形成。通過上述方式，掃描線和/或數據線可以通過結合輔助電極傳輸信號，減小了其阻抗，從而提高液晶顯示裝置的畫面品質。
文檔編號G02F1/1362GK102809859SQ201210271440
公開日2012年12月5日 申請日期2012年8月1日 優先權日2012年8月1日
發明者陳政鴻 申請人:深圳市華星光電技術有限公司