本發(fā)明屬于液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其是針對液晶顯示器的制作工藝的改進。

背景技術(shù)：

隨著液晶顯示器產(chǎn)品日益多變，屏幕像素密度(PPI)要求越來越高，如圖1所示，彩色濾光片(CF)1之間的線寬要求越來越細，特別是使黑色矩陣2(BM)線寬由10um以上變?yōu)?～5um，使得BM2與玻璃基板3之間的密著性要求變高。

如圖2所示，現(xiàn)有的彩色濾光片生產(chǎn)流程可簡述為：

S201，玻璃基板被傳送至洗凈裝置，清洗玻璃基板上附著的雜質(zhì)。清洗過程中會用大量的水沖洗玻璃基板，然后用風刀吹干水滴。

S202，在清潔后的玻璃基板上直接進行Cr濺鍍材料層，然后經(jīng)過光阻涂布、曝光、顯影、蝕刻、去光阻的工藝步驟，在所述玻璃基板上形成黑色矩陣(BM)；

S203，在形成有BM的玻璃基板上制備紅色光阻(R)、綠色光阻(G)、藍色光阻(B)。即，在玻璃基板和BM表面涂覆紅色光阻，然后進行前段的預烘烤；繼而送入Cr掩膜中進行紫外線曝光；清洗掉曝光后的光阻材料，在玻璃基板上形成預設(shè)圖案的紅色光阻；最后進行后段烘烤，將光阻固化，此時紅色光阻制備完成。按照紅色光阻的制備方法重復兩次，隨之依次在玻璃基板上形成綠色光阻、藍色光阻。

S204，完成彩色光阻層的制備后，進入半導體透明導電膜(ITO)制程。完成ITO制備后加蓋玻璃蓋板，即可獲得彩色濾光片。

其中，S201中只使用風刀對玻璃進行吹干，雖然能夠?qū)⒋蟛糠值乃蹈桑怯捎谂艢怅P(guān)系，超細微的水分子(10～100μm)仍有可能再附著于玻璃基板表面。也有工藝中是使用紅外線(IR)爐將玻璃基板干燥，干燥后的玻璃基板表面上會形成有機物質(zhì)的水痕，難以達到去除超細微水分子程度的水分殘留的目的。

細微水分子的殘留對后續(xù)步驟的影響是十分明顯的。其將造成后面的涂布裝置涂上的光刻膠材料層與玻璃基板的接觸不完全。如圖3a和3b所示，在沒有水分子W殘留的玻璃基板P上直接涂布光阻材料Q接觸角度比較小；而附著有超細微水分子W的玻璃基板P與涂布后的光阻材料Q之間接觸角較前者要大。例如，若該光阻材料例如為黑色矩陣，則細線寬的黑色矩陣容易會發(fā)生脫落。

故此，人們亟待尋找一種能滿足細線寬穩(wěn)定附著的制備工藝。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的彩色濾光片組件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)的彩色濾光片制備流程圖。

圖3為沒有殘留水分子的玻璃基板與光阻材料的接觸角(a)和殘留有水分子的玻璃基板與光阻材料的接觸角(b)的對比圖。

圖4為本發(fā)明的彩色濾光片制備流程圖。

圖5為本發(fā)明的紫外線干燥工藝流程示意圖。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種彩色濾光片的制備方法，包括如下步驟：

對所述玻璃基板進行紫外干燥步驟：采用紫外線表面處理裝置對所述玻璃基板表面進行照射處理，分解附著于所述玻璃基板表面雜質(zhì)分子。

其中，還包括如下步驟：

紫外干燥步驟前，對所述玻璃基板進行預清洗步驟；

紫外干燥步驟后，在所述玻璃基板上進行黑色矩陣的制備步驟、彩色光阻層的制備步驟、半導體薄膜的制備步驟。

其中，所述紫外線表面處理裝置的工作光源波長為172nm。

其中，所述玻璃基板與所述工作光源的距離為3～5mm。

其中，所述保護氣體為氮氣和干燥空氣的混合氣。

有益效果：

本發(fā)明提供一種彩色濾光片的制備方法，是在黑色矩陣和彩色光阻層的制備之前引入紫外線表面處理裝置對玻璃基板進行紫外線干燥。利用紫外線表面處理裝置發(fā)射出的高能光波，將殘留在玻璃基板表面的微小的水分子進一步分解，進而從玻璃基板上脫離、逸出，達到深度除去水分子的目的。除去水分子后的玻璃基板能讓后續(xù)制程的材料更穩(wěn)定附著，滿足產(chǎn)品工藝和質(zhì)量的要求。

并且，采用本發(fā)明方法比現(xiàn)有的紅外線干燥裝置更為節(jié)約成本，紫外線表面處理裝置的成本和工作能耗約為紅外線干燥裝置的1/5～1/10左右。

具體實施方式

下面對本發(fā)明實施例作詳細說明。

本發(fā)明提供一種彩色濾光片的制備方法，其優(yōu)異之處是在預清洗步驟和黑色矩陣制備步驟之間插入紫外干燥步驟，深度除去細微的水分子，使得后續(xù)制程更加穩(wěn)定高質(zhì)。

具體地，下面介紹本發(fā)明的具體工藝流程。

如圖4所示，本發(fā)明的彩色濾光片制備方法包括如下步驟：

S401，玻璃基板被傳送至洗凈裝置，清洗玻璃基板上附著的雜質(zhì)。清洗過程中會用大量的水沖洗玻璃基板，然后用風刀吹干水滴。

S402，玻璃基板通過傳送裝置被送入紫外線表面處理裝置(EUV)進行干燥。

結(jié)合圖5所示，本實施例的紫外線表面處理裝置5包括有若干個工作光源51，能提供的紫外光對應區(qū)間波長可發(fā)生輝光反應。工作光源51裝設(shè)在充滿干燥的空氣(CDA)與N₂的混合氣體M的保護氛圍中進行工作。為了控制紫外線表面處理裝置5的工作溫度，引入冷凝水54的進出來實現(xiàn)。工作光源51通過窗面玻璃53朝向玻璃基板P設(shè)置，工作光源51與所述玻璃基板P之間的距離為3～5nm為佳。例如，玻璃基板P經(jīng)由傳送裝置52，在距離工作光源3mm下接收工作光源照射下來的172nm波長的紫外光。

光波的波長越短，頻率將越高，所具有的能量也就越高。不同的原子結(jié)合和切斷需要不同的能量。172nm的高能紫外光能有效將玻璃基板上是水分子進行原子切斷，氫原子與其他原子之間的結(jié)合一旦被切斷，很容易從表面脫離，同時容易與其他原子或另一氫原子再次結(jié)合。另外，若氫原子的周圍有氧原子存在，氫原子離開的痕跡會替換為氧原子。如此，玻璃基板上水分子會分解氣體H₂和O₂，輕易從玻璃基板的表面脫離。此時，完成對玻璃基板的清潔和干燥步驟。采用EUV進行干燥后將不會殘留水痕，并且可以做逼近常溫之處理。

S403，在清潔和干燥后的玻璃基板上直接進行Cr濺鍍材料層，然后經(jīng)過光阻涂布、曝光、顯影、蝕刻、去光阻的工藝步驟，在所述玻璃基板上形成黑色矩陣(BM)；

S404，在形成有BM的玻璃基板上制備紅色光阻(R)、綠色光阻(G)、藍色光阻(B)。即，在玻璃基板和BM表面涂覆紅色光阻，然后進行前段的預烘烤；繼而送入Cr掩膜中進行紫外線曝光；清洗掉曝光后的光阻材料，在玻璃基板上形成預設(shè)圖案的紅色光阻；最后進行后段烘烤，將光阻固化，此時紅色光阻制備完成。按照紅色光阻的制備方法重復兩次，隨之依次在玻璃基板上形成綠色光阻、藍色光阻。

S405，完成彩色光阻層的制備后，進入半導體透明導電膜(ITO)制程。完成ITO制備后加蓋玻璃蓋板，即可獲得彩色濾光片。

以上所述為本發(fā)明的具體實施方式，其目的是為了清楚說明本發(fā)明而作的舉例，并非是對本發(fā)明的實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。