技術(shù)特征：

1.一種紅外寬帶吸收器，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的紅外寬帶吸收器，其特征在于，所述相變層的厚度di＝n×(λ/4ni)+δd1，其中，n為整數(shù)，0﹤δd1≤λ/4ni，λ表示波長(zhǎng)，λ≥350nm，ni表示相變層的折射率；

3.如權(quán)利要求1所述的紅外寬帶吸收器，其特征在于，所述不對(duì)稱(chēng)布拉格結(jié)構(gòu)層的平均反射率rhr,max小于30％。

4.如權(quán)利要求1所述的紅外寬帶吸收器，其特征在于，所述防反射層在紅外波段的虛部折射率小于1，所述防反射層的折射率小于相變層以及介質(zhì)層的折射率。

5.如權(quán)利要求1所述的紅外寬帶吸收器，其特征在于，所述不對(duì)稱(chēng)布拉格結(jié)構(gòu)層中相變層、介質(zhì)層的層數(shù)之和≥4。

6.如權(quán)利要求1所述的紅外寬帶吸收器，其特征在于，所述相變層所用的相變材料包括gete、sbte、snsb、aginsbte、insbte、gesb、se2sb3、sb2s3和gst中的至少一種；

7.如權(quán)利要求1所述的紅外寬帶吸收器，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料為介質(zhì)材料；

8.如權(quán)利要求1所述的紅外寬帶吸收器，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料為相變材料，所述相變材料包括gete、sbte、snsb、aginsbte、insbte、gesb、se2sb3、sb2s3和gst中的至少一種。

9.如權(quán)利要求1所述的紅外寬帶吸收器，其特征在于，所述第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層所用的材料包括金、鋁、銅、銀、鈦、鉬、鎳、鉻、鐵、鍺中的至少一種；

10.如權(quán)利要求1所述的紅外寬帶吸收器，其特征在于，所述不對(duì)稱(chēng)布拉格結(jié)構(gòu)層包括包括依次層疊設(shè)置的第一相變層、第二介質(zhì)層、第二相變層、第三介質(zhì)層、第三相變層、第四介質(zhì)層；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種紅外寬帶吸收器。本發(fā)明通過(guò)引入不反對(duì)稱(chēng)布拉格結(jié)構(gòu)層與吸收率較高的金屬材料薄膜共同組成一個(gè)高效的吸收結(jié)構(gòu)。相變材料與介質(zhì)材料構(gòu)成反對(duì)稱(chēng)的布拉格結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提升器件的吸收率，并結(jié)合MgF<subgt;2</subgt;低折射率層，通過(guò)優(yōu)化各層材料與厚度，實(shí)現(xiàn)對(duì)不同波長(zhǎng)光的有效抑制反射與增強(qiáng)吸收。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的紅外寬帶吸收器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且在超寬范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)90％以上的吸收效果，吸收相對(duì)帶寬超過(guò)152.8％，不僅為超寬光譜探測(cè)提供了重大契機(jī)，也為超寬光譜對(duì)抗與隱身提供了可行的技術(shù)途徑，有望實(shí)現(xiàn)對(duì)主、被動(dòng)復(fù)合傳感探測(cè)裝備的對(duì)抗與隱身，拓展了材料在紅外吸收、紅外隱身、光熱轉(zhuǎn)換以及傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。

技術(shù)研發(fā)人員：童浩,譚青山,周啟沛,汪賓浩,樂(lè)章,曾洋,劉芮含,繆向水
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華中科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28