本發明涉及銀包覆的銅納米線及其制備方法且更具體地涉及銀包覆的銅納米線的制備方法和通過所述制備方法制備的銀包覆的銅納米線，所述制備方法包括通過化學方法使用哌嗪(C₄H₁₀N₂)和/或六亞甲基二胺(C₆H₁₆N₂)合成銅納米線，然后用銀通過使用化學鍍法(chemical plating method)包覆銅納米線，從而防止銅納米線的氧化，所述哌嗪(C₄H₁₀N₂)和/或六亞甲基二胺(C₆H₁₆N₂)為新穎的銅封蓋劑(copper capping agent)。

背景技術：

納米線是直徑為納米尺寸且長度為數百納米至數百微米的納米材料且已作為在制造下一代納米裝置中使用的核心材料而備受矚目，這是因為其易于人工操作。最近，金屬納米線如銅、銀、鎳等由于導電性和透明性等性質而已有效地用作常規導電材料例如氧化銦錫(ITO)、導電聚合物、碳納米管、石墨烯等的替代物。

其中，銅納米線具有優點如高導電性、柔韌性、透明性和低價格等，從而作為已主要用于顯示器的氧化銦錫(ITO)的替代物而引起關注。具體地，銅納米線由于其特征在于透明導體而可用于多種應用，包括低發射率窗口、觸敏調制面板、太陽能電池和電磁波屏蔽材料。

通常，銅納米線已由電化學反應、化學氣相沉積、硬模板輔助法、膠體和水熱法等方法制造。然而，常規制造方法具有問題如設備投資成本高、納米線尺寸難以控制和低生產率等。

最近，已知曉通過化學合成方法制備銅納米線的方法。韓國專利公開號1073808公開了銅納米線的制備方法，其包括添加胺配體、還原劑、表面活性劑和非極性有機溶劑并與CuCl₂水溶液混合并將反應溶液轉移至高壓反應器，然后在80-200℃反應24小時。通過所述方法制備的銅納米線具有10-50μm的長度和200-1000nm的直徑。然而，由于該制備方法使用高壓反應器，因此存在的問題是制備成本增加且難以實施大規模生產。

韓國專利公開號1334601公開了通過使用乙二醇(EG)和聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)等的多元醇過程制備銅納米線的方法。然而，所述制備方法引起環境問題即與將水溶液用作溶劑的情況相比使用毒性溶劑且由于制備成本增加而使經濟可行性變差。

國際專利申請公開號2011-071885公開了銅納米線的制備方法，其包括混合銅離子前體、還原劑、銅封蓋劑和pH控制材料，然后在預定溫度進行反應以制備銅納米粒，其包括與球形銅納米粒接附的銅棒且具有1-500μm的長度和約20-300nm的直徑。然而，所述制備方法仍具有問題即所制備的銅納米線的低生產率或低質量一致性等。

另外，當將銅納米線暴露于空氣較長時間時，發生氧化現象并形成氧化銅。該氧化現象隨溫度升高而較快地進展。該氧化銅與純銅相比具有顯著較低的導電性。為了防止氧化銅的形成，國際專利申請公開號2011-071885和韓國專利公開號1334601公開了用于制備銅納米線且然后用金屬如鎳、金、錫、鋅、銀、鉑、鈦、鋁、鎢、鈷等包覆銅納米線的表面的方法。然而，仍需要改進整體加工效率、銅納米線質量一致性等。

因此，本發明的發明人為了解決所述問題而作出努力并發現銅納米線使用新的銅封蓋劑來化學合成，然后其表面通過化學鍍法用銀包覆以防止氧化且由此對氧化具有高抗性的銅納米線與常規銅納米線相比可按高經濟可行性和生產率進行制備并完成本發明。

技術實現要素：

本發明的目的是提供對氧化具有強抗性從而具有高經濟可行性和生產率的銀包覆的銅納米線的新穎制備方法和通過所述制備方法制備的銀包覆的銅納米線。

附圖說明

圖1顯示了在實施例1中制備的銅納米線的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。

圖2顯示了在實施例1中制備的銅納米線的掃描電子顯微鏡-能量色散光譜(SEM-EDS)圖像和含量分析。

圖3顯示了在實施例2中制備的銀包覆的銅納米線的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。

圖4顯示了在實施例2中制備的銀包覆的銅納米線的掃描電子顯微鏡-能量色散光譜(SEM-EDS)圖像和含量分析。

圖5顯示了在實施例3中制備的銅納米線的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。

圖6顯示了在實施例3中制備的銅納米線的掃描電子顯微鏡-能量色散光譜(SEM-EDS)圖像和含量分析。

圖7顯示了在實施例3中制備的銅納米線的X射線衍射(XRD)模式。

圖8顯示了在實施例4中制備的銀包覆的銅納米線的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。

圖9顯示了在實施例4中制備的銀包覆的銅納米線的掃描電子顯微鏡-能量色散光譜(SEM-EDS)圖像和含量分析。

圖10顯示了在實施例4中制備的銀包覆的銅納米線的X射線衍射(XRD)模式。

圖11顯示了當使在實施例2中制備的銀包覆的銅納米線和在實施例1中制備的銅納米線在空氣中放置2天時薄層電阻的變化。在圖11中，(a)顯示了實施例2的銀包覆的銅納米線的薄層電阻且(b)顯示了實施例1的銅納米線的薄層電阻。

圖12顯示了在實施例2中制備的銀包覆的銅納米線和在實施例1中制備的銅納米線的熱重分析。

在圖12中，(a)顯示了在實施例2中制備的銀包覆的銅納米線的熱重分析結果。

在圖12中，(b)顯示了在實施例1中制備的銅納米線的熱重分析結果。

圖13顯示了通過比較性實施例1制備的銅納米線的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。

圖14顯示了通過比較性實施例2制備的銅納米線的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像。

具體實施方式

除非另有定義，本文使用的所有技術和科學術語具有與本發明所屬領域技術人員通常理解相同的含義。通常，本文使用的命名法是在本領域中公知和常用的。

在本發明中，銅納米線使用哌嗪和/或六亞甲基二胺作為封蓋劑來制備，然后用銀通過化學方法包覆以制備具有優秀物理性質的銀包覆的銅納米線。

具體地，本發明提供制備銀包覆的銅納米線的方法，其包括：

(a)攪拌水溶液，在所述水溶液中將選自①氫氧化鈉、②銅化合物、③哌嗪(C₄H₁₀N₂)和六亞甲基二胺(C₆H₁₆N₂)的至少一種材料加到水中；

(b)通過將還原劑加到所述水溶液中并還原銅離子來制備銅納米線；

(c)洗滌并干燥步驟(b)所制備的銅納米線；和

(d)在步驟(c)所干燥的銅納米線上包覆銀。

在本發明中，優選的是添加步驟(a)中的氫氧化鈉至濃度為2.5-25M(摩爾/L)。氫氧化鈉用于維持將銅離子還原為銅的溶液呈堿性。當氫氧化鈉的濃度為2.5M或更小時，溶液不能維持堿性，從而對銅離子的還原反應不能適當地發生。當氫氧化鈉的濃度為25M或更大時，氫氧化鈉與銅反應，從而不能按需形成納米線。

在本發明中，銅化合物為選自以下的至少一種化合物：硝酸銅、硫酸銅、亞硫酸銅、乙酸銅、氯化銅、溴化銅、碘化銅、磷酸銅或碳酸銅且優選的是硝酸銅，但不限于此。銅化合物補充銅離子以提供銅納米線生長所需要的銅。

在本發明中，優選的是添加銅化合物至濃度基于銅離子為0.004-0.5M。當銅離子具有0.004M或更小的濃度時，銅納米線不能適當地形成，而是可形成銅納米粒。當銅離子具有0.5M或更大的濃度時，銅離子在溶液中過量地存在且由此與還原劑的反應不能完全地進行。

在本發明中，③哌嗪(C₄H₁₀N₂)和/或六亞甲基二胺(C₆H₁₆N₂)發揮銅封蓋劑的作用。為了將包含在銅化合物中的銅離子制備為納米線，銅納米線的形狀需要通過包含在銅封蓋劑中的胺基團來控制。將銅封蓋劑與銅納米結構耦合并使銅在縱向方向上生長以具有納米線形狀。優選的是本發明的銅封蓋劑是哌嗪(C₄H₁₀N₂)和/或六亞甲基二胺(C₆H₁₆N₂)。哌嗪(C₄H₁₀N₂)[式1]和六亞甲基二胺(C₆H₁₆N₂)[式2]具有以下結構：

[化學式1]

[化學式2]

在本發明中，優選的是③哌嗪和/或六亞甲基二胺的摩爾濃度的總和為0.008-2.0M。當作為銅封蓋劑的哌嗪或六亞甲基二胺的濃度為0.008M或更小時，不僅可形成銅納米線，而且可形成銅盤形結構。當哌嗪或六亞甲基二胺的濃度為2.0M或更大時，銅可形成為盤形。

在本發明中，可進行步驟(a)中的攪拌以使加到水溶液中的所有材料都能夠充分溶解且可使用常規攪拌器進行。攪拌速率優選為200-400rpm且攪拌時間優選為5-30分鐘，但速率和時間不限于此。

在本發明中，步驟(b)中的還原劑可為選自以下的至少一種材料：肼、抗壞血酸、L(+)-抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物、草酸、甲酸、亞磷酸鹽、磷酸、亞硫酸鹽或硼氫化鈉且優選為肼，但不限于此。

在堿性溶液條件下肼將銅離子還原為銅的化學式如下所示：

[方程式1]

2Cu²⁺+N₂H₄+4OH^-→2Cu+N₂+4H₂O

在本發明中，步驟(b)中的還原劑具有0.01-1.0M的濃度且添加速率優選為0.1-5ml/分鐘。當還原劑的濃度為0.01M或更小或1.0M或更大時或當還原劑以0.1ml/分鐘或更小或5ml/分鐘或更大的速率添加時，存在的風險是可形成銅納米粒形式而非銅納米線形式。在步驟(b)中，添加還原劑后，攪拌30分鐘至2小時且優選為1小時以還原銅離子。

另外，步驟(b)優選在40-100℃進行。當在還原時的反應溫度為40℃或更低或100℃或更高時，進行銅還原反應，但存在的可能性是可形成非納米線的顆粒。

在本發明中，步驟(c)是去除步驟(b)所制備的銅納米線的表面上的雜質后進行銀包覆的前步驟。

步驟(c)的特征在于使用能夠去除銅納米線的表面上的雜質的材料進行洗滌和干燥且特別優選的是使用肼溶液進行洗滌。

當洗滌銅納米線時，優選的是用包含肼的水溶液洗滌銅納米線以防止在空氣中氧化并在真空烘箱中在室溫將銅納米線干燥12-30小時。包含肼的水溶液的濃度優選為0.5-2體積％。

在本發明中，步驟(d)是形成銀包覆(層)以改進所制備的銅納米線的物理性質的步驟。

優選地，其特征在于將步驟(c)所洗滌和干燥的銅納米線分散在水溶液中并將包含銀封蓋劑的氨-銀復合物溶液與所述分散溶液混合且在預定條件下攪拌。

氨-銀復合物溶液可如下制備：將氨水加到硝酸銀溶液中以形成氨-銀復合物溶液，向其中加入至少一種選自以下的銀封蓋劑，然后混合。

具體地，在根據本發明制備銀包覆的銅納米線時，作為銀封蓋劑，優選地加入具有胺基團的銀封蓋劑，從而使銀均勻地包覆在銅納米線上。

可用于本發明的銀封蓋劑優選為選自以下的至少一種材料：哌嗪、六亞甲基二胺、乙二胺、三亞乙基二胺、丙烷-1,3-二胺、丁烷-1,4-二胺、戊烷-1,5-二胺、N,N,N’,N’-四甲基乙二胺、N,N-二乙基乙二胺、N,N,N’-三甲基-1,3-丙二胺、N,N-二甲基-N’-乙基乙二胺、N-丙基-1,3-丙二胺、N2,N2-二甲基-1,2-丁二胺、N-丁基乙二胺、N-異丙基-1,3-丙二胺、聚乙二醇二胺、1,3-環己烷二胺、N-甲基-N’-環丙基乙二胺、N,N’-二甲基乙二胺、N-乙基乙二胺、N-甲基乙二胺、N,N’-二甲基-1,6-己二胺、N,N,N’,N’-四甲基-1,4-丁二胺和N-甲基-N’-環己基乙二胺，但不限于此。

為了將銅納米線分散在水溶液中，優選的是按100重量份的水溶液計添加0.1-0.3重量份的銅納米線，然后用超聲波處理以分散銅納米線。超聲波處理可通過本領域常用方法來進行且可按20-60KHz的頻率進行5-30分鐘，但不限于此。

形成銅納米線的銀包覆層，其中銀包覆的原理按照化學鍍法。

具體地，氨-銀復合物溶液通過將氨水加到硝酸銀溶液中來制備。該反應的化學式可如以下[方程式2]所示且如[方程式2]的3)所示那樣形成氨-銀復合物[Ag(NH₃)₂]⁺：

[方程式2]

1)2AgNO₃+2NH₄OH→Ag₂O↓+H₂O+2NH₄NO₃

2)Ag₂O+4NH₄OH→2[Ag(NH₃)₂]OH+3H₂O

3)[Ag(NH₃)₂]OH+NH₄NO₃→[Ag(NH₃)₂]NO₃+NH₄OH

銅納米線通過化學鍍法用銀原子包覆，其中在[方程式2]的3)中形成的[Ag(NH₃)₂]⁺復合物被從銅納米線的銅發射的電子還原為Ag離子。該化學反應方案如[方程式3]所示。

[方程式3]

Cu+2[Ag(NH₃)₂]NO₃→[Cu(NH₃)₄](NO₃)₂+2Ag↓

在本發明中，硝酸銀在氨-銀復合物溶液中的濃度可為0.006-0.06M且氨水的濃度可為0.01-0.3M。當硝酸銀的濃度為0.006M或更小或0.06M或更大時或當氨水的濃度為0.01M或更小或0.3M或更大時，難以形成所述復合物。

在本發明中，添加銀封蓋劑的濃度優選為0.01-1M。當以0.01M或更小或1M或更大的濃度添加銀封蓋劑時，銀不能均勻地包覆在銅納米線上。

在本發明的另一個方面，本發明涉及通過本發明的制備方法制備的銀包覆的銅納米線。

通過本發明的制備方法制備的銀包覆的銅納米線優選具有5-10μm的長度、200-300nm的直徑和按100重量份的總納米線計5-90重量份的銀含量，但長度、直徑和銀含量不限于此。

本發明的銀包覆的銅納米線與常規銅納米線例如未用銀包覆的銅納米線等相比具有較優秀的氧化穩定性和熱穩定性。

在本發明中，銀包覆的銅納米線的銀含量按100重量份的總納米線計可為2-60重量份。當銀含量按總重量計小于2重量份時，銅納米線不能完全地被銀包覆。當銀含量為60重量份或更大時，存在未包覆在銅納米線上的銀，從而存在的可能性是可生成與銅納米線脫離的銀顆粒。

在另一個方面，本發明涉及電磁波屏蔽貼或高導電性貼，其包含通過本發明的制備方法制備的銀包覆的銅納米線。本發明的銀包覆的銅納米線能夠維持高導電性，其可制備成需要高導電性的電磁波屏蔽貼和高導電性貼的形式。所述貼可通過除本發明的銀包覆的銅納米線外還包含有機粘合劑和粘附劑來制備。

實施例

在下文中，將參考以下實施例更詳細地描述本發明。然而，以下實施例僅用于示例性說明本發明且對于本領域技術人員來說顯而易見的是，本發明的范圍不應該被理解為限于這些實施例。

關于在實施例中使用的設備和測量物理性質的方法的說明如下所述：

①測量形狀和結構：銅納米線的形狀和結構使用掃描電子顯微鏡(SEM；FEI,SIRION)來測量。

②測量組分：銅納米線的組分使用固定在SEM(FEI,SIRION)上的能量色散光譜(SEM-EDS；FEI,SIRION)和X射線衍射儀(XRD；RIGAKU,D/MAX-2500)來測量。

③熱分析：隨溫度變化的重量變化使用熱重分析儀(TGA；NETZSCH,TG209F3)來測量。

④薄層電阻：薄層電阻用四點薄層電阻計(Loresta-GP,MCP-T610,Mitsubishi Chemical Analytech)測量。

實施例1：使用哌嗪(C₄H₁₀N₂)制備銅納米線

將2000ml水(超純水)加到3000ml圓底燒瓶中并添加1200g(15M)氫氧化鈉(NaOH,Samchun Pure Chemical)同時在攪拌器中攪拌。將被放熱反應加熱的反應器的內部溫度冷卻，從而不超過50℃，然后將3.8g(0.0079M)硝酸銅(II)(Cu(NO₃)₂·3H₂O,Samchun Pure Chemical)溶于100ml水(超純水)中并加到反應器中。然后將9.7g(0.268M)哌嗪(C₄H₁₀N₂,Sigma Aldrich)溶于100ml水(超純水)中并加到反應器中，然后以300rpm的平均攪拌速率攪拌10分鐘。將反應器的溫度升至70℃。然后將4ml肼(N₂H₄,Samchun Pure Chemical)與240ml(0.04M)水(超純水)混合，然后使用注射泵以4ml/分鐘的速率歷時1小時加到反應器中。將反應器的溫度維持為70℃且當反應完成時，將反應器緩慢冷卻至室溫。然后用1體積％肼洗滌溶液(2L)洗滌反應產物并在真空烘箱(JEIO Tech,OV-12)中在25℃干燥24小時。觀察所制備的銅納米線的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像且由此確認制備了長度為5-10μm且直徑為200-300nm的銅納米線，如圖1所示。如圖2所示，銅納米線的組分和含量通過掃描電子顯微鏡-能量色散光譜(SEM-EDS)來分析且由此確認制備了未氧化的銅納米線。

實施例2：使用乙二胺對銅納米線進行銀包覆

將200ml水(超純水)和使用哌嗪制備的0.5g銅納米線加到500ml Erlenmeyer燒瓶中并使用超聲波清洗機(Youngjin Corporation批量超聲波儀,SK7210HP)以53kHz處理10分鐘，從而分散銅納米線。在另一個燒杯中，添加0.3g硝酸銀(AgNO₃,JUNETECH)并溶于200ml(0.012M)水(超純水)中并添加0.7ml(0.036M)氨水(NH₄OH,Samchun Pure Chemical)以制備澄清液體并向其中添加1ml(0.083M)乙二胺(Sigma Aldrich)并充分攪拌1分鐘。向其中添加包含硝酸銀、氨水和乙二胺的溶液并在室溫攪拌1小時同時以300rpm的攪拌速率攪拌銅納米線溶液。當反應完成時，用2L水(超純水)使用濾紙對反應產物進行洗滌并在室溫干燥24小時，獲得銀包覆的銅納米線。如圖3所示，通過掃描電子顯微鏡(SEM)可確認在銅納米線的表面上形成了銀包覆。在圖4中，可確認對所制備的銀包覆的銅納米線進行SEM-EDS分析的結果。

實施例3：使用六亞甲基二胺(C₆H₁₆N₂)制備銅納米線

將2000ml水(超純水)加到3000ml圓底燒瓶中且添加1200g氫氧化鈉(NaOH,Samchun Pure Chemical)同時在攪拌器中攪拌。將被放熱反應加熱的反應器的內部溫度冷卻，從而不超過50℃，然后將3.8g(0.0079M)硝酸銅(II)(Cu(NO₃)₂·3H₂O,Samchun Pure Chemical)溶于100ml水(超純水)中并加到反應器中。然后添加62.25ml(0.268M)六亞甲基二胺(C₆H₁₆N₂,Sigma Aldrich)并以300rpm攪拌10分鐘。當反應器的溫度為35℃時，將4ml肼(N₂H₄,Samchun Pure Chemical)與240ml水(超純水)混合，然后使用注射泵以4ml/分鐘的速率歷時1小時加到反應器中。將反應器的內部溫度升為70℃并反應1小時。當反應完成時，將反應器緩慢冷卻至室溫。然后用1體積％肼洗滌溶液(2L)洗滌反應產物并在真空烘箱(JEIO Tech,OV-12)中在25℃干燥24小時。觀察所制備的銅納米線的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像且由此確認制備了長度為2-5μm且直徑為200-300nm的銅納米線，如圖5所示。如圖6所示，銅納米線的組分和含量通過掃描電子顯微鏡-能量色散光譜(SEM-EDS)來分析且由此確認制備了未氧化的銅納米線。所制備的銅納米線的X射線衍射(XRD)模式顯示在圖7中。在這些模式中，可確認銅的獨特X射線峰。

實施例4：使用六亞甲基二胺(C₆H₁₆N₂)對銅納米線進行銀包覆

以與實施例2相同的方式制備了銀包覆的銅納米線，除了在實施例3中制備的銅納米線用于銀包覆并將2.07ml(0.075M)六亞甲基二胺(Sigma Aldrich)和0.3g硝酸銀(AgNO₃,JUNETECH)用作銀封蓋劑。

如圖8所示，通過掃描電子顯微鏡(SEM)可確認在銅納米線的表面上形成了銀包覆。在圖9中，可確認對所制備的銀包覆的銅納米線進行SEM-EDS分析的結果。圖10顯示了所制備的銀包覆的銅納米線的X射線衍射(XRD；RIGAKU,D/MAX-2500)模式。在這些模式中，可確認銀和銅的獨特峰。

實施例5：銀包覆的銅納米線的氧化穩定性

將200ml水(超純水)和在實施例2中制備的0.5g銀包覆的銅納米線加到500ml Erlenmeyer燒瓶中并置于超聲波清洗機(Youngjin Corporation批量超聲波儀,SK7210HP)中并以53kHz處理10分鐘。將孔徑為0.2μm且直徑為47mm的膜過濾器(ANODISCTM膜過濾器,WHATMAN)固定在真空過濾裝置(WHEATON)上，然后使銀包覆的銅納米線通過真空過濾裝置以形成膜。用500ml水將膜狀試樣洗滌三次，在室溫干燥24小時，然后測量隨時間的薄層電阻并顯示在圖11(a)中。熱重分析圖顯示在圖12(a)中以觀察隨溫度升高的重量變化。

實施例6：在銅納米線和銀包覆的銅納米線之間對氧化穩定性進行比較

以與實施例5相同的方式制備膜，除了使用在實施例1中制備的銅納米線并測量膜的薄層電阻。當將膜置于空氣中時隨時間的薄層電阻顯示在圖11(b)中且當溫度升高時的重量變化顯示在圖12(b)中。

圖11顯示了在實施例2所制備的銀包覆的銅納米線的薄層電阻(a)和實施例1所制備的未包覆的銅納米線的薄層電阻(b)之間進行的比較。

銀包覆的銅納米線的薄層電阻(2.7×10^-2Ω/□)和未包覆的銅納米線的初始薄層電阻(7.2×10^-2Ω/□)幾乎相同。然而，當將納米線在空氣中放置1天時，銀包覆的銅納米線的薄層電阻與初始薄層電阻幾乎相同(2.2×10^-2Ω/□)，但未包覆的銅納米線的薄層電阻與初始薄層電阻相比提高了兩個數量級。當將納米線放置2天時，可確認銀包覆的銅納米線幾乎沒有變化，但未包覆的銅納米線的薄層電阻提高了4個數量級。由圖11可理解的是，未包覆的銅納米線在空氣中具有快速增加的薄層電阻同時在表面上形成氧化銅。然而，銀包覆的銅納米線由于包覆有銀而防止了氧化，從而當將銀包覆的銅納米線置于空氣中時，其薄層電阻幾乎不變。

如圖12所示，當升高溫度時，實施例1的未包覆的銅納米線的重量在180℃開始增加且當溫度為400℃時增加最大24.4％(b)。這表明銅與氧耦合形成氧化銅。然而，實施例2的包覆的銅納米線由于包覆有銀而防止了氧化且重量增加就整體溫度變化而言為0％(a)。

由所述薄層電阻分析和熱重分析可理解的是，銅納米線由于包覆有銀而防止了氧化。

比較性實施例1：隨作為還原劑的肼的濃度變化制備銅納米線

在與實施例3相同的條件下進行實驗，除了將4ml肼溶于60ml(1.33M)水溶液中。

在實施例3中，作為還原劑的肼的濃度為0.33M。然而，在比較性實施例2中，濃度為1.33M，其高于實施例3。如圖13的SEM圖像所示，可確認銅沒有形成納米線，而是形成納米粒。

比較性實施例2：隨還原反應的溫度變化制備銅納米線

在與實施例3相同的條件下進行實驗，除了在通過添加肼進行的還原反應中將反應器的內部溫度維持在35℃。如圖14的SEM圖像所示，可確認沒有形成銅納米線，而是形成銅顆粒。

工業應用性

本發明的銀包覆的銅納米線在空氣中或甚至在高溫不會被氧化，從而導電性未被破壞。因此，所述銀包覆的銅納米線可用于制備需要高導電性的電磁波屏蔽貼或高導電性貼。

已基于具體的特征而詳細描述了本發明且對于本領域技術人員來說顯而易見的是，這些具體的技術僅為優選的實施方案且由此本發明的范圍不限于所述實施方案。因此，本發明的實質范圍由所附權利要求書及其等同形式所定義。