技術(shù)特征：

1.一種鉬合金氧化鋅薄膜的制備方法，該方法包括如下步驟：

（1）制備基板

將Mo₅Si₃/ Y₂O₃，球磨至平均粒徑為100-300nm；

按設(shè)計的鉬摻雜材料組分配比分別取平均粒徑＜8μm的純鉬粉與第一步所制備的Mo₅Si₃/ Y₂O₃混合，采用傳統(tǒng)粉末冶金方法進(jìn)行混合、壓制成燒結(jié)板坯；

將所得燒結(jié)板坯在純氫氣氛下加熱至1850℃-2050℃，保溫5-10小時進(jìn)行燒結(jié)；隨爐冷卻后，得到燒結(jié)坯；

將得到的燒結(jié)坯由室溫加熱至1350℃-1500℃熱軋，道次變形量為20％-35％，總變形量大于80％時，完成軋制的到基板；

（2）基板預(yù)處理

所述基板預(yù)處理，可依次進(jìn)行研磨拋光、超聲清洗和離子源清洗；

（3）將純ZnO粉末和純Cr氧化物粉末按化學(xué)式Zn_1-xCr_xO計量比混合、研磨、1200-1450 ℃燒結(jié)，制成ZnO基陶瓷靶材，0.05≦x＜0.15；

（4） 采用磁控濺射方法，以ZnO基陶瓷靶材作為靶材，在經(jīng)預(yù)處理的基板上沉積一層ZnO基薄膜，沉積條件為：基板和靶材的距離為80 mm，生長室真空度在2×10^-3 Pa以上，生長室通入純Ar，或者Ar和O₂，Ar和O₂的流量比為100：1-100：5，控制壓強(qiáng)為1- 5Pa，調(diào)節(jié)濺射功率為100 - 200 W，基板溫度為75- 300 ℃，濺射時間為30 - 60 min；

將所得的薄膜在濃度為1.0 - 5.0 wt% CH₃COONH₄溶液中腐蝕10 - 30 min，得到鉬合金氧化鋅薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟（2）中，所述研磨拋光，可將基板先在600目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行粗磨10min，然后在1200目的金剛石砂輪盤上進(jìn)行細(xì)磨10min，再用W2.5的金剛石拋光粉進(jìn)行拋光至試樣表面均勻光亮，所述超聲清洗，可將研磨拋光后的基板按以下順序清洗，丙酮超聲清洗5min→無水乙醇超聲清洗5min→烘干待用，所述離子源清洗，可采用霍爾離子源對基板進(jìn)行清洗5min，壓強(qiáng)為2×10^-2Pa，基板溫度為300℃，氬氣通量為10sccm，偏壓為-100V，陰極電流為29.5A，陰極電壓為19V，陽極電流為7A，陽極電壓為80V，以清除基板表面的吸附氣體以及雜質(zhì)，提高沉積涂層與基板的結(jié)合強(qiáng)度以及成膜質(zhì)量。