1.一種室溫濺射法制備二氧化鈦薄膜的方法，其特征在于，采用直流磁控濺射法制備不同結(jié)晶度二氧化鈦薄膜，其中靶材為純鈦靶，本底真空度在10-4 Pa以下，濺射氣體為氬氣和氧氣，總壓強(qiáng)為0.5～2.5 Pa，氧分壓為50 %以下，靶材與基材的距離為7～20 cm，初始基材溫度為 15～35 ℃，施加于所述靶材上的直流電源的功率為 300～900 W，沉積時(shí)間為5～30分鐘，獲得完全非晶或部分結(jié)晶的二氧化鈦薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述總壓強(qiáng)為0.5～2 Pa，優(yōu)選為1～2 Pa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述靶材直流電源功率為500W～700W。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，沉積前進(jìn)行預(yù)濺射，預(yù)濺射的條件是：功率100～300 W，時(shí)間5～30分鐘，氣氛是純氬氣，氣體壓力是0.5～1.5 Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，氧氣和氬氣比例為1:1～1:10，優(yōu)選為1:5～1:8。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述部分結(jié)晶的二氧化鈦薄膜中結(jié)晶顆粒為銳鈦礦相二氧化鈦。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，通過控制濺射功率和/或氣氛壓力，能夠獲得不同結(jié)晶程度的二氧化鈦薄膜。
8.一種由權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法制備得到的二氧化鈦薄膜，其特征在于，所述薄膜為完全非晶或部分結(jié)晶的二氧化鈦薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的二氧化鈦薄膜，其特征在于，所述薄膜材料的厚度為30nm～60nm，可見光透過率在80%以上。
10.一種鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述方法包括：在透明導(dǎo)電基材上依次濺射電子傳輸層、鈣鈦礦吸收層、空穴傳輸層以及背電極，其中，所述電子傳輸層為二氧化鈦薄膜，所述二氧化鈦薄膜由權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的方法制備得到。