技術總結
本發明涉及一種室溫濺射法制備二氧化鈦薄膜的方法，采用直流磁控濺射法制備不同結晶度二氧化鈦薄膜，其中靶材為純鈦靶，本底真空度在10?4?Pa以下，濺射氣體為氬氣和氧氣，總壓強為0.5～2.5?Pa，氧分壓為50%以下，靶材與基材的距離為7～20?cm，初始基材溫度為15～35℃，施加于所述靶材上的直流電源的功率為300～900W，沉積時間為5～30分鐘，獲得完全非晶或部分結晶的二氧化鈦薄膜。本發明的方法薄膜制備條件溫和，設備簡單，節約資源能源。

技術研發人員：金平實;黃愛彬;雷磊;周奕杰;包山虎
受保護的技術使用者：中國科學院上海硅酸鹽研究所
文檔號碼：201610876611
技術研發日：2016.09.30
技術公布日：2017.01.04