技術總結
本發明公開了一種立方氮化硼薄膜的制備方法，屬于超硬薄膜材料領域，該制備方法以Si晶片為襯底、hBN為靶材進行射頻濺射，包括以下步驟：（1）襯底預濺射：濺射氣體為惰性氣體，濺射功率160?400W，襯底負偏壓?280~?350V，襯底溫度500℃，預真空度1.3×10?3~2×10?3Pa，工作氣壓1.3~2Pa，濺射時間5~15min；（2）薄膜成核：濺射氣體為惰性氣體與N2的混合氣體，濺射功率100?400W，襯底負偏壓?200~?300V，襯底溫度400~600℃，預真空度1×10?3~2×10?3Pa，工作氣壓1.33~2Pa，濺射時間15~45min；（3）薄膜生長：濺射氣體為氮氣或惰性氣體與N2的混合氣體濺射功率200?400W，襯底負偏壓?130~?200V，襯底溫度200~300℃，預真空度1×10?3~2×10?3Pa，工作氣壓0.6~1.5Pa，濺射時間45?120min；（4）退火。

技術研發人員：李丙文;馬寧
受保護的技術使用者：富耐克超硬材料股份有限公司
文檔號碼：201610914489
技術研發日：2016.10.20
技術公布日：2017.02.15