技術總結
本發明提供了一種化學機械研磨的方法，包括：提供待研磨晶圓，所述晶圓包括半導體襯底、形成在所述半導體襯底上的層間介質層、形成在所述層間介質層內的凹槽、以及形成在所述層間介質層上及所述凹槽內的金屬互連層；對所述金屬互聯層進行第一化學機械研磨，去除部分所述金屬互聯層；對所述金屬互聯層進行第二化學機械研磨，完全去除所述層間介質層上的所述金屬互連層；對所述層間介質層進行第三化學機械研磨；所述第三化學機械研磨包括一沖洗步驟：采用緩蝕劑對所述晶圓進行沖洗，防止在等待時間內暴露出的金屬被氧化，從而降低了發生樹突缺陷的風險，提高了半導體器件的性能；同時減少了晶圓在第三次化學機械研磨過程中的等待時間。

技術研發人員：桂輝輝;周小紅;李大鵬;周小云;萬先進
受保護的技術使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
文檔號碼：201610996811
技術研發日：2016.11.11
技術公布日：2017.05.10