本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種研磨配置信息的校正方法以及晶圓研磨系統。

背景技術：

現有的晶圓研磨系統中，每個晶圓研磨系統包括一研磨頭，多個研磨頭形成一組研磨頭，在每組研磨頭工作產生一組研磨數據時，往往會存在一個或多個研磨頭因為其表面形貌的不同，使得其對應的研磨數據明顯偏離正常值，現有的做法是在一個研磨頭存在問題的情況下將存在問題的研磨頭研磨后的晶圓判定為失效，在多個研磨頭存在問題的情況下，需要停機對存在問題的研磨頭進行更換。這樣做會使得合格的晶圓減少，對晶圓研磨系統的產能產生較大的影響。

技術實現要素：

針對上述問題，本發明提出了一種研磨配置信息的校正方法，應用于晶圓研磨系統，每個所述晶圓研磨系統包括一組研磨頭，一組所述研磨頭中所述研磨頭的數量為多個，所述晶圓研磨系統還包括多個存儲單元，每個所述研磨頭的所述研磨配置信息存儲在對應的所述存儲單元中；所述校正方法包括：

步驟S1，根據每個所述存儲單元中的所述研磨配置信息控制對應的所述研磨頭的工作；

步驟S2，按組對每個所述研磨頭的工作情況進行監控；

步驟S3，根據監控情況找到一組所述研磨頭中存在問題的所述研磨頭；

步驟S4，對存在問題的所述研磨頭對應的所述存儲單元中的所述研磨配置信息進行校正。

上述的校正方法，其中，一組所述研磨頭中所述研磨頭的數量為4個。

上述的校正方法，其中，所述步驟S2具體為：

收集一組所述研磨頭中每個所述研磨頭研磨的晶圓的表面形貌的數據。

上述的校正方法，其中，所述步驟S3具體為：

找到所述數據中反映出的表面形貌存在差異的所述晶圓對應的所述研磨頭。

上述的校正方法，其中，所述晶圓研磨系統還包括一研磨墊，所述晶圓放置在所述研磨墊上，所述研磨頭位于所述晶圓上方；

所述研磨頭受到朝向所述晶圓表面的應力，以對所述研磨墊上的所述晶圓進行研磨。

上述的校正方法，其中，所述研磨配置信息包括研磨液配比和研磨液名稱。

上述的校正方法，其中，所述晶圓研磨系統還包括一操作界面，所述操作界面與所述每個所述存儲單元連接，以供操作人員對所述存儲單元內的所述研磨配置信息進行校正。

一種晶圓研磨系統，應用如上任意一項所述的校正方法。

有益效果：本發明提出的一種研磨配置信息的校正方法以及應用該校正方法的晶圓研磨系統，能夠獨立對存在問題的研磨頭的研磨配置信息進行校正，從而免去停機更換研磨頭的麻煩，并減少晶圓失效的情況，進而提高晶圓研磨系統的產能。

附圖說明

圖1為本發明一實施例中研磨配置信息的校正方法的步驟流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明進行進一步說明。

在一個較佳的實施例中，如圖1所示，提出了一種研磨配置信息的校正方法，應用于晶圓研磨系統，每個晶圓研磨系統包括一組研磨頭，一組研磨頭中研磨頭的數量為多個，晶圓研磨系統還包括多個存儲單元，每個研磨頭的研磨配置信息存儲在對應的存儲單元中；校正方法可以包括：

步驟S1，根據每個存儲單元中的研磨配置信息控制對應的研磨頭的工作；

步驟S2，按組對每個研磨頭的工作情況進行監控；

步驟S3，根據監控情況找到一組研磨頭中存在問題的研磨頭；

步驟S4，對存在問題的研磨頭對應的存儲單元中的研磨配置信息進行校正。

在一個較佳的實施例中，一組研磨頭中研磨頭的數量為4個。

在一個較佳的實施例中，步驟S2具體為：

收集一組研磨頭中每個研磨頭研磨的晶圓的表面形貌的數據。

上述實施例中，優選地，步驟S3具體為：

找到數據中反映出的表面形貌存在差異的晶圓對應的研磨頭。

在一個較佳的實施例中，晶圓研磨系統還包括一研磨墊，晶圓放置在研磨墊上，研磨頭位于晶圓上方；

研磨頭受到朝向晶圓表面的應力，以對研磨墊上的晶圓進行研磨。

在一個較佳的實施例中，研磨配置信息包括研磨液配比和研磨液名稱。

在一個較佳的實施例中，晶圓研磨系統還包括一操作界面，操作界面與每個存儲單元連接，以供操作人員對存儲單元內的研磨配置信息進行校正。

在一個較佳的實施例中，還提供了一種晶圓研磨系統，應用如上任意一個實施例中的校正方法。

綜上所述，本發明提出的一種研磨配置信息的校正方法以及應用該校正方法的晶圓研磨系統，能夠獨立對存在問題的研磨頭的研磨配置信息進行校正，從而免去停機和更換研磨頭的麻煩，并減少晶圓失效的情況，進而提高晶圓研磨系統的產能。

通過說明和附圖，給出了具體實施方式的特定結構的典型實施例，基于本發明精神，還可作其他的轉換。盡管上述發明提出了現有的較佳實施例，然而，這些內容并不作為局限。

對于本領域的技術人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權利要求書應看作是涵蓋本發明的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權利要求書范圍內任何和所有等價的范圍與內容，都應認為仍屬本發明的意圖和范圍內。