技術總結
本發明涉及一種Ag/ZnO/Mg光電透明導電薄膜的沉積方法，屬透明導電材料領域。本發明一種按照以下步驟進行：(1)將基片用丙酮、乙醇以及去離子水用超聲波依次清洗后，用氮氣吹干送入反應室；2)磁控濺射Mg膜的沉積；(3)有機物化學氣相沉積制備中間層ZnO薄膜：(4)磁控濺射Ag膜的沉積：(5)對Ag/ZnO/Mg的多層結構的透明導電薄膜進行高溫退火，退火溫度為200～600℃，退火時間為20min，得到Ag、Mg共同摻雜的ZnO光電透明導電薄膜。本發明制備工藝簡單，沉積過程易于控制。本發明制備的透明導電薄膜均勻性好，光電性能優異，電阻率可低至7.0×10?4Ω·cm，而其透光率可達85％以上?？捎糜谥圃焯柲茈姵亍l光二極管、LCD以及手機等光電器件的透明電極。

技術研發人員：梁結平
受保護的技術使用者：梁結平
文檔號碼：201611094524
技術研發日：2016.12.01
技術公布日：2017.05.10