1.一種二硫化鎢納米薄膜的制備方法。其特征在于，采用物理氣相沉積(PVD)方法，以二硫化鎢粉末為反應(yīng)源在低真空(460-470Pa)的條件下經(jīng)900℃-1000℃高溫加熱后冷卻得到。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二硫化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：二硫化鎢粉末為反應(yīng)源，二氧化硅/硅為襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二硫化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：反應(yīng)系統(tǒng)為水平放置的石英管爐，二硫化鎢粉末被置于水平石英管爐的熱區(qū)中心，二氧化硅/硅襯底置于順著氣流下方14-17cm遠(yuǎn)的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二硫化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：反應(yīng)源在40分鐘內(nèi)從室溫加熱到900℃-1000℃并維持30分鐘到1小時(shí)，然后自然冷卻至室溫。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二硫化鎢納米薄膜的制備方法，其特征在于：整個(gè)過程中氣壓需要嚴(yán)格控制在460-470Pa，高純氬氣的流量為130-160sccm。