技術總結
本發明屬于半導體納米材料制造類，特征在于：采用物理氣相沉積(PVD)方法，以二硫化鎢粉末為反應源，以二氧化硅/硅為襯底，在460?470Pa氣壓下經900℃?1000℃高溫加熱后冷卻得到。本發明中，純度為99％的二硫化鎢粉末裝入陶瓷舟中，被置于水平石英管爐的熱區中心，300nm厚的二氧化硅/硅襯底置于順著氣流下方14?17cm遠的位置。排盡空氣后，反應源在40分鐘內從室溫加熱到900℃?1000℃并維持30分鐘到1小時，然后自然冷卻至室溫。利用該方法可以在襯底上得到單層的二硫化鎢納米薄膜，形貌可精確控制為正三角型。本發明簡單易行，便于大規模生產，安全，環保無毒，制備的二硫化鎢薄膜可有效地應用于光電、數據存儲器件和機械加工產業。

技術研發人員：田幼華
受保護的技術使用者：燕園眾欣納米科技（北京）有限公司
文檔號碼：201611106199
技術研發日：2017.01.22
技術公布日：2017.05.31