本發明涉及一種等離子體(plasma)處理裝置。
背景技術：
：：在半導體裝置、液晶顯示器(display)或者光盤(opticaldisk)等各種產品的制造工序中，有時要在例如芯片(wafer)或玻璃(glass)基板等工件(work)上形成光學膜等薄膜。薄膜能夠通過對工件形成金屬等的膜的成膜、與對所形成的膜反復進行蝕刻(etching)、氧化或氮化等膜處理而制作。成膜及膜處理能夠利用各種方法來進行，作為其一，有使用等離子體的方法。在成膜時，向配置有靶材(target)的真空容器內導入惰性氣體，并施加直流電壓。使等離子體化的惰性氣體的離子(ion)碰撞至靶材，使從靶材撞出的材料堆積于工件以進行成膜。在膜處理中，向配置有電極的真空容器內導入工藝氣體(processgas)，對電極施加高頻電壓。使等離子體化的工藝氣體的離子碰撞至工件上的膜，由此進行膜處理。有一種等離子體處理裝置，其在一個真空容器的內部安裝有旋轉平臺(table)，沿旋轉平臺上方的周方向配置有多個成膜用的單元(unit)與膜處理用的單元，以便能夠連續地進行此種成膜與膜處理(例如參照專利文獻1)。通過將工件保持于旋轉平臺上來搬送，并使其通過成膜單元與膜處理單元的正下方，從而形成光學膜等。在使用旋轉平臺的等離子體處理裝置中，作為膜處理單元，有時使用上端封閉且下端具有開口部的筒形的電極(以下稱作“筒形電極”)。在此種膜處理單元中，筒形電極作為陽極(anode)發揮功能，位于筒形電極的開口部之下的旋轉平臺作為陰極(cathode)發揮功能。向筒形電極的內部導入工藝氣體并施加高頻電壓，從而使等離子體產生。所產生的等離子體中所含的電子流入作為陰極的旋轉平臺側。使由旋轉平臺所保持的工件通過筒形電極的開口部之下，由此等離子體中所含的離子碰撞至工件以進行膜處理。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本專利特開2002-256428號公報技術實現要素：[發明所要解決的課題]由旋轉平臺所搬送的工件中有時也包含絕緣物。若包含絕緣物的工件位于筒形電極之下，則陰極將包含絕緣物。作為結果，等離子體的電子難以流入陰極側，等離子體會變得不穩定，從而有可能無法適當地進行膜處理。此處，對筒形電極施加高頻電壓的射頻(radiofreqency，rf)電源是經由匹配器(matchingbox)而連接于筒形電極及真空容器。即使在工件位于筒形電極之下的狀態下，只要通過匹配器來使輸入側與輸出側的阻抗(impedance)匹配，也能夠使等離子體穩定化。但是，如果想要提高處理效率，就要在旋轉平臺上載置盡可能多的工件。若工件間的間隙變窄，則陰極將在不含絕緣物的狀態與包含絕緣物的狀態之間頻繁轉換。此時，借助匹配器的阻抗調整有可能跟不上。作為結果，等離子體放電有可能變得不穩定，從而對膜處理的品質造成影響。本發明的目的在于，為了解決如上所述的課題，而提供一種等離子體處理裝置，即使在對包含絕緣物的工件進行處理的情況下，也能使等離子體放電穩定化，由此不受工件狀態左右而提高處理效率。[解決課題的技術手段]為了達成所述目的，本發明的等離子體處理裝置包括：筒形電極，一端設有開口部，內部被導入工藝氣體；搬送部，一邊循環搬送工件，一邊使其通過被施加有電壓的所述筒形電極的所述開口部的下方；以及電子誘導構件，配置在所述開口部與所述搬送部之間。所述電子誘導構件可設為中心具有孔部的環(ring)狀構件。所述電子誘導構件可設為一板狀構件，所述板狀構件橫切所述開口部的、與所述搬送部的搬送方向正交的方向的中心部。可為，所述搬送部包括旋轉平臺，所述旋轉平臺被配置在真空容器內，保持所述工件以使其循環搬送，所述筒形電極被配置在所述旋轉平臺的所述工件的保持位置的上方，所述等離子體處理裝置還包括支撐構件，所述支撐構件在所述開口部與所述旋轉平臺之間支撐所述電子誘導構件。所述支撐構件可包含外側支撐構件，所述外側支撐構件從所述真空容器的外緣附近的底部豎立設置并延伸至所述筒形電極的正下方，在所述旋轉平臺與所述筒形電極之間支撐所述電子誘導構件。可為，等離子體處理裝置還包括支柱，所述支柱豎立設置在所述真空容器的內部，且前端部分貫穿所述旋轉平臺的中心，所述旋轉平臺經由軸承可旋轉地支撐于所述支柱，所述支撐構件包含內側支撐構件，所述內側支撐構件被安裝于所述支柱，延伸至所述筒形電極的正下方，在所述旋轉平臺與所述筒形電極之間支撐所述電子誘導構件。所述電子誘導構件可經由絕緣材而連接于所述筒形電極的前端。所述電子誘導構件可覆蓋所述開口部的50％～85％的面積。所述電子誘導構件可包含導電性構件以及被涂布于所述導電性構件的抗蝕刻劑、抗氧化劑或抗氮化劑。[發明的效果]通過在筒形電極的開口部與工件的搬送部之間配置電子誘導構件，從而能夠不受由搬送部所搬送的工件的性質或搬送狀態影響，而將由等離子體所產生的電子誘導至電子誘導構件，從而能夠使等離子體放電穩定化。通過使等離子體放電穩定化，從而由等離子體所產生的離子或自由基(radical)等穩定地到達工件。作為結果，能夠提供一種能提高處理效率，并且能提供品質穩定的產品的等離子體處理裝置。附圖說明圖1是示意性地表示本發明的第1實施方式的等離子體處理裝置的構成的平面圖；圖2是圖1的a-a剖面圖；圖3是圖1的b-b剖面圖，是從旋轉平臺的中心觀察膜處理單元的圖；圖4是膜處理單元的平面圖；圖5是本發明的另一實施方式的等離子體處理裝置的、膜處理單元的平面圖；圖6是本發明的另一實施方式的等離子體處理裝置的、從旋轉平臺的中心觀察膜處理單元的圖。附圖標記說明：1：腔室2：排氣部3：旋轉平臺3a：保持部3b：旋轉軸3c：支柱3d：滾珠軸承4a、4b、4c、4d、4f、4g：處理單元(成膜單元)4e：處理單元(膜處理單元)5：加載互鎖部6：靶材7：dc電源8：濺射氣體導入部9：間隔壁10：筒形電極11：開口部12：外部護罩13：內部護罩14：凸緣15：rf電源16：工藝氣體導入部17：電子誘導構件17a：孔部18：外側支撐構件19：內側支撐構件18a、19a：支撐棒18b、19b：安裝金屬件20：控制部21：匹配器22：絕緣材170：板狀構件(電子誘導構件)p：搬送路w：工件具體實施方式[構成]參照附圖來具體說明本發明的實施方式。如圖1及圖2所示，等離子體處理裝置具有大致圓筒型的腔室(chamber)1。在腔室1中設有排氣部2，能夠將腔室1的內部排氣成真空。即，腔室1作為真空容器發揮功能。中空的旋轉軸3b貫穿腔室1的底部而豎立設置在腔室1的內部。在旋轉軸3b上，安裝有大致圓形的旋轉平臺3。在旋轉軸3b上連結有未圖示的驅動機構。通過驅動機構的驅動，旋轉平臺3以旋轉軸3b為中心而旋轉。在中空的旋轉軸3b的內部，配置有不動的支柱3c。支柱3c被固定于設在腔室1外部的未圖示的基臺，貫穿腔室1的底部而豎立設置在腔室1的內部。在旋轉平臺3的中心設有開口部。支柱3c貫穿旋轉平臺3的開口部，前端位于旋轉平臺3的上表面與腔室1的上表面之間。另外，支柱3c的前端也可接觸至腔室1的上表面。在旋轉平臺3的開口部與支柱3c之間，配置有滾珠軸承(ballbearing)3d。即，旋轉平臺3經由滾珠軸承3d可旋轉地支撐于支柱3c。腔室1、旋轉平臺3及旋轉軸3b在等離子體處理裝置中是作為陰極發揮作用，因此可包含電阻小的導電性金屬構件。旋轉平臺3例如可采用鋁、不銹鋼(stainless)或銅之類的金屬。另外，作為旋轉平臺3，也可使用在不銹鋼的板狀構件的表面噴鍍有氧化鋁者。氧化鋁雖為絕緣物，但在高頻等離子體的情況下，只要氧化鋁的厚度處于匹配器能取得阻抗匹配的范圍，便能夠形成等離子體。若如此般噴鍍氧化鋁，則旋轉平臺3將難以被等離子體蝕刻，能夠防止蝕刻產生的粒子附著于工件w或腔室1的內壁等，從而能夠減少顆粒(particle)。在旋轉平臺3的上表面，設有多個保持工件w的保持部3a。多個保持部3a是沿著旋轉平臺3的周方向而等間隔地設置。通過旋轉平臺3旋轉，由保持部3a所保持的工件w沿旋轉平臺3的周方向移動。換言之，在旋轉平臺3的面上，形成有工件w的圓形的移動軌跡即搬送路徑(以下稱作“搬送路p”)。保持部3a例如可采用載置工件w的托盤(tray)。當托盤例如為能夠載置兩個工件w的類型時，如圖3所示，載置于相同托盤的兩個工件w之間的間隙，比與載置于其他托盤的工件w之間的間隙窄。以下，在簡稱作“周方向”時，是指“旋轉平臺3的周方向”，在簡稱作“半徑方向”時，是指“旋轉平臺3的半徑方向”。而且，本實施方式中，作為工件w的示例，使用了平板狀的基板，但進行等離子體處理的工件w的種類、形狀及材料并不限定于特定者。例如，也可使用中心具有凹部或者凸部的彎曲的基板。而且，也可使用包含金屬、碳(carbon)等導電性材料的基板，包含玻璃或橡膠等絕緣物的基板，包含硅等半導體的基板。在旋轉平臺3的上方，設有進行等離子體處理裝置中的各工序的處理的單元(以下稱作“處理單元”)。各處理單元是以下述方式而配置：沿著形成于旋轉平臺3的面上的工件w的搬送路p，彼此隔開規定的間隔而鄰接。使由保持部3a所保持的工件w通過各處理單元的下方，由此來進行各工序的處理。圖1的示例中，沿著旋轉平臺3上的搬送路p而配置有七個處理單元4a～處理單元4g。本實施方式中，處理單元4a、處理單元4b、處理單元4c、處理單元4d、處理單元4f、處理單元4g是對工件w進行成膜處理的成膜單元。處理單元4e是對通過成膜單元而形成于工件w上的膜進行處理的膜處理單元。本實施方式中，設成膜單元為進行濺射(sputtering)的單元來進行說明。而且，設膜處理單元4e為進行后氧化的單元來進行說明。另外，所謂后氧化，是指如下所述的處理：對于通過成膜單元而成膜的金屬膜，導入由等離子體所生成的氧離子等，從而對金屬膜進行氧化。在處理單元4a與處理單元4g之間，設有加載互鎖(loadlock)部5，該加載互鎖部5從外部將未處理的工件w搬入至腔室1的內部，并將處理完畢的工件w搬出至腔室1的外部。另外，本實施方式中，將工件w的搬送方向設為沿圖1的順時針方向從處理單元4a的位置朝向處理單元4g的方向。當然，這只是一例，搬送方向、處理單元的種類、排列順序及數量并不限定于特定者，能夠適當決定。圖2表示作為成膜單元的處理單元4a的構成例。其他的成膜單元4b、成膜單元4c、成膜單元4d、成膜單元4f、成膜單元4g也可與成膜單元4a同樣地構成，但也可應用其他構成。如圖2所示，成膜單元4a具備安裝在腔室1的內部上表面的靶材6，以作為濺射源。靶材6是包含堆積在工件w上的材料的板狀構件。靶材6被設置在當工件w通過成膜單元4a的下方時與工件w相向的位置。在靶材6上，連接有對靶材6施加直流電壓的直流(directcurrent，dc)電源7。而且，在腔室1的內部上表面的、安裝有靶材6的部位附近，設置有將濺射氣體導入至腔室1內部的濺射氣體導入部8。濺射氣體例如可使用氬等惰性氣體。在靶材6的周圍，設置有用于減少等離子體的流出的間隔壁9。另外，關于電源，可應用dc脈沖電源、rf電源等眾所周知的電源。圖2及圖3表示膜處理單元4e的構成例。膜處理單元4e具備設置于腔室1的內部上表面且形成為筒形的電極(以下稱作“筒形電極”)10。筒形電極10為方筒狀，一端具有開口部11，另一端被封閉。筒形電極10以下述方式配置：貫穿腔室1的上表面所設的貫穿孔，且開口部11側的端部位于腔室1的內部，封閉的端部位于腔室1的外部。筒形電極10經由絕緣材而支撐于腔室1的貫穿孔的周緣。筒形電極10的開口部11被配置在與形成于旋轉平臺3上的搬送路p對置的位置。即，旋轉平臺3作為搬送部，一邊循環搬送工件w，一邊使其通過開口部11的正下方。并且，開口部11正下方的位置成為工件w的通過位置。如圖1所示，當從上方觀察時，筒形電極10呈從旋轉平臺3的半徑方向上的中心側朝向外側擴徑的扇形。此處所說的扇形是指扇子扇面的部分的形狀。筒形電極10的開口部11也同樣為扇形。被保持在旋轉平臺3上的工件w通過開口部11的下方的速度在旋轉平臺3的半徑方向上越朝向中心側則越慢，越朝向外側則越快。因此，若開口部11為簡單的長方形或正方形，則在半徑方向上的中心側與外側，工件w通過開口部11正下方的時間會產生差異。通過使開口部11從半徑方向上的中心側朝向外側擴徑，從而能夠將工件w通過開口部11的時間設為固定，能夠使后述的等離子體處理變得均等。但是，若通過的時間差為不會造成產品方面的問題的程度，則也可為長方形或正方形。如上所述，筒形電極10貫穿腔室1的貫穿孔，且一部分露出至腔室1的外部。該筒形電極10中的露出至腔室1外部的部分如圖2所示，被外部護罩(shield)12所覆蓋。通過外部護罩12來將腔室1的內部空間保持為氣密。筒形電極10的位于腔室1內部的部分的周圍由內部護罩13所覆蓋。內部護罩13是與筒形電極10為同軸的方筒狀，被支撐于腔室1內部的上表面。內部護罩13的筒的各側面是與筒形電極10的各側面大致平行地設置。內部護罩13的下端是在高度方向上與筒形電極10的開口部11相同的位置，但在內部護罩13的下端，設有與旋轉平臺3的上表面平行地延伸的凸緣(nange)14。通過該凸緣14來抑制在筒形電極10的內部產生的等離子體流出到內部護罩13的外部。由旋轉平臺3所搬送的工件w通過旋轉平臺3與凸緣14之間的間隙而搬入到筒形電極10的開口部11的正下方，并再次通過旋轉平臺3與凸緣14之間的間隙而從筒形電極10的開口部11的正下方予以搬出。在筒形電極10上，連接有用于施加高頻電壓的rf電源15。在rf電源15的輸出側，串聯連接有作為匹配電路的匹配器21。rf電源15也連接于腔室1。筒形電極10作為陽極發揮作用，從腔室1豎立設置的旋轉平臺3作為陰極發揮作用。匹配器21通過使輸入側及輸出側的阻抗匹配，從而使等離子體的放電穩定化。另外，腔室1或旋轉平臺3接地。具有凸緣14的內部護罩13也接地。而且，在筒形電極10上連接有工藝氣體導入部16，從外部的工藝氣體供給源經由工藝氣體導入部16而向筒形電極10的內部導入工藝氣體。工藝氣體可根據膜處理的目的來適當變更。例如，在進行蝕刻時，可使用氬等惰性氣體來作為蝕刻氣體。當進行氧化處理或后氧化處理時，可使用氧。當進行氮化處理時，可使用氮。rf電源15及工藝氣體導入部16均經由外部護罩12上所設的貫穿孔而連接于筒形電極10。在筒形電極10的開口部11與旋轉平臺3之間，設置有電子誘導構件17。圖4表示電子誘導構件17的一例。電子誘導構件17是在中心具有孔部17a的環狀構件。電子誘導構件17的外形和中心的孔部17a的形狀均是與筒形電極10的開口部11相似的扇形。電子誘導構件17的外形稍小于開口部11。若將電子誘導構件17設置于筒形電極10的開口部11與旋轉平臺3之間，則電子誘導構件17將開口部11的中心空開地配置于其周圍的外緣部分，成為大致覆蓋外緣部分的形態。但是，電子誘導構件17的外形稍小于開口部11，因此如圖4所示，在筒形電極10與電子誘導構件17之間空開間隙。另外，電子誘導構件17只要將開口部11的中心空開而覆蓋其周圍即可，因此電子誘導構件17的外形也可大于開口部11。此時，電子誘導構件17成為無間隙地覆蓋開口部11的外緣部分的形態。電子誘導構件17作為陰極即旋轉平臺3的輔助電極發揮作用。即，在筒形電極10與作為陰極發揮作用的旋轉平臺3之間產生等離子體放電，從而在陰極附近，即，在旋轉平臺3正上方形成等離子體。并且，通過使工件w通過如此般產生的等離子體之下，從而對工件w進行處理。此外，當工件w為絕緣性，且與筒形電極10相向地設置的旋轉平臺3的部分由絕緣性的工件w所覆蓋時，等離子體放電有可能變得不穩定，從而無法適當地進行處理。因此，即使在此種情況下，電子誘導構件17也能對在筒形電極10的內部產生的等離子體中所含的電子進行誘導，以使等離子體最終到達通過孔部17a的下方的工件w。孔部17a的半徑方向寬度可大于工件w的半徑方向寬度，以使等離子體達到整個工件w。由于通過工件w沿搬送方向移動而能夠對整體進行等離子體處理，因此，孔部17a的周方向寬度也可小于工件w的周方向寬度。當將電子誘導構件17設置于筒形電極10的開口部11與旋轉平臺3之間時，電子誘導構件17可覆蓋開口部11的50％～85％的面積。若低于50％，則等離子體有可能無法被電子誘導構件17充分誘導。若超過85％，則開口部11被覆蓋的面積變多，等離子體反而難以到達工件w。如圖4所示，當電子誘導構件17的外形稍小于開口部11時，可將電子誘導構件17的面積相對于開口部11的面積而設為50％～85％。當電子誘導構件17的外形大于開口部11時，可將位于開口部11的下方的部分的面積相對于開口部11的面積而設為50％～85％。電子誘導構件17可包含導電性材料。而且，也可采用電阻低的材料。作為此種材料，可列舉鋁、不銹鋼或銅。也可包含與旋轉平臺3相同的材料，還可包含不同的材料。另外，與所述旋轉平臺3的情況同樣地，將電子誘導構件17設為例如對不銹鋼的板狀構件的表面噴鍍有作為絕緣物的氧化鋁的構件，也能獲得顆粒的減少效果，因此較佳。因電子誘導構件17位于筒形電極10與旋轉平臺3之間，因而與工件w同樣地受到等離子體處理。電氣特性會因等離子體處理而發生變化，若對等離子體的電子進行誘導的力變弱，則必須進行更換。因此，也可根據等離子體處理的內容來以抗蝕刻劑、抗氧化劑或抗氮化劑進行涂布。由此，能夠抑制電氣特性的變化，減少更換頻率。如圖2所示，電子誘導構件17借助支撐構件，以位于筒形電極10的開口部11與旋轉平臺3之間的方式而受到固定。支撐構件包含外側支撐構件18與內側支撐構件19。外側支撐構件18從旋轉平臺3的外側固定電子誘導構件17的半徑方向外側。內側支撐構件19從旋轉平臺3的中心部延伸，固定電子誘導構件17的半徑方向內側。外側支撐構件18包含支撐棒18a、及設在支撐棒18a前端的安裝金屬件18b。支撐棒18a為逆l字形，該l字的垂直部分位于旋轉平臺3的外周與腔室1的外周壁之間，從腔室1的底部豎立設置。支撐棒18a的l字的垂直部分朝上方延伸至l字的水平部分較旋轉平臺3的上表面即載置工件w的面而位于上側的程度。l字的水平部分位于旋轉平臺3的面的正上方，其前端朝向旋轉平臺3的中心方向延伸并通過凸緣14及內部護罩13之下，而到達開口部11的正下方。在其前端，如圖4所示，設有安裝金屬件18b。安裝金屬件18b只要能夠固定電子誘導構件17即可，并不限定于特定的構成。圖4是將安裝金屬件18b設為螺栓(bolt)與螺母(nut)的一例。此時，可在電子誘導構件17上設置螺栓孔。或者，安裝金屬件18b也可設為通過彈簧的彈性力來夾持電子誘導構件17的夾具(clip)。內側支撐構件19包含支撐棒19a、及設在支撐棒19a前端的安裝金屬件19b。支撐棒19a使用螺栓等固定金屬件而安裝于貫穿旋轉平臺3中心的開口部的支柱3c的、從旋轉平臺3的上表面突出的前端部分。支撐棒19a朝向旋轉平臺3的半徑方向外方的、膜處理單元4e的位置而延伸。支撐棒19a的前端所到達的位置可設為筒形電極10的周方向寬度的中央附近。支撐棒19a通過凸緣14及內部護罩13的下方而到達開口部11的正下方。支撐棒19a前端的安裝金屬件19b是與外側支撐構件18同樣地，只要能夠固定電子誘導構件17即可，并不限定于特定的構成。而且，也可將內側支撐構件19與外側支撐構件18設為不同構成的安裝金屬件19b。例如，也可將內側支撐構件19設為夾具，將外側支撐構件18設為螺栓與螺母。在更換電子誘導構件17時，例如利用千斤頂(jack)來抬起腔室1的上表面部分，使身體從腔室1的外側進入而進行更換作業。位于腔室1中心側的內側支撐構件19較難進行更換作業。因此，內側支撐構件19也可設為將電子誘導構件17插入便能固定的夾具，以使安裝作業變得容易。并且，作業相對較容易的外側支撐構件18也可設為螺栓與螺母，以便能夠牢固地固定。當然，如果只利用內側支撐構件19或外側支撐構件18中的任一個便能夠固定電子誘導構件17，則也可僅設置其中的任一個。等離子體處理裝置還包括控制部20。控制部20包含可編程邏輯控制器(programmablelogiccontroller，plc)或中央處理器(centralprocessingunit，cpu)等運算處理裝置。控制部20進行與濺射氣體及工藝氣體向腔室1的導入及排氣相關的控制、dc電源7及rf電源15的控制、及旋轉平臺3的轉速控制等控制。另外，dc電源7或rf電源15等電源也可設為與等離子體處理裝置的基本構成獨立的構成，而連接現有的電源或另行準備的電源來使用。[動作]對本實施方式的等離子體處理裝置的動作與電子誘導構件17的作用進行說明。從加載互鎖室將未處理的工件w搬入至腔室1內。搬入的工件w由旋轉平臺3的保持部3a予以保持。腔室1的內部由排氣部2進行排氣而成為真空狀態。通過驅動旋轉平臺3，從而使工件w沿著搬送路p來循環搬送，以使其反復通過各處理單元4a～處理單元4g的下方。即，如后所述，工件w在沿著圓形的搬送路p循環移動而多次通過各處理單元4a～處理單元4g的下方的期間內形成膜。在成膜單元4a中，從濺射氣體導入部8導入濺射氣體，從dc電源7對濺射源施加直流電壓。通過直流電壓的施加，濺射氣體等離子體化，從而產生離子。當所產生的離子碰撞到靶材6時，靶材6的材料飛出。飛出的材料堆積于通過成膜單元4a的下方的工件w，由此在工件w上形成薄膜。其他的成膜單元4b、成膜單元4c、成膜單元4d、成膜單元4f、成膜單元4g中，也以同樣的方法來進行成膜。但是，未必需要利用所有的成膜單元來進行成膜。作為一例，此處，對于工件w，通過dc濺射來形成si膜。利用成膜單元4a～成膜單元4d進行了成膜的工件w接著在搬送路p上由旋轉平臺3予以搬送，從而在膜處理單元4e中，通過筒形電極10的開口部11正下方的位置、即膜處理位置。如上所述，本實施方式中，對在膜處理單元4e中進行后氧化的示例進行說明。在膜處理單元4e中，從工藝氣體導入部16向筒形電極10內導入作為工藝氣體的氧氣，并從rf電源15對筒形電極10施加高頻電壓。通過高頻電壓的施加，氧氣等離子體化，從而產生電子、離子及自由基等。等離子體從作為陽極的筒形電極10的開口部11流向作為陰極的旋轉平臺3。通過等離子體中的離子碰撞至通過開口部11的下方的工件w上的薄膜，從而使薄膜受到后氧化。此處，當由旋轉平臺3所搬送的工件w位于開口部11的下方時，工件w自身作為陰極發揮功能。當使用包含絕緣物的工件w時，若在陰極包含絕緣物，則輸入側阻抗將變高。作為結果，等離子體朝向陰極側的流動會受到阻礙，等離子體放電有可能會變得不穩定。如上所述，在rf電源15上連接有匹配器21。即使在包含絕緣物的工件w位于開口部11的下方的狀態下，只要通過匹配器21來使輸出側阻抗匹配于輸入側阻抗，便也能夠使等離子體流向陰極側。但是，如圖3所示，也存在工件w彼此的間隙非常窄，或者在間隙的大小發生變動的狀態下予以搬送的情況。此種狀態下，陰極在不含絕緣物的狀態與包含絕緣物的狀態之間頻繁轉換，輸入側阻抗也頻繁變動。匹配器21中的匹配處理有可能跟不上頻繁的變動。本實施方式中，在筒形電極10的開口部11與旋轉平臺3之間配置有電子誘導構件17。電子誘導構件17作為陰極的輔助電極發揮作用。即，電子誘導構件17被配置在筒形電極10與旋轉平臺3及工件w的中間位置，將在筒形電極10的內部產生的等離子體誘導至旋轉平臺3這一側。受到誘導的等離子體通過電子誘導構件17的孔部17a，而到達通過開口部11的下方的工件w。而且，通過電子誘導構件17覆蓋開口部11的外緣部分，從而工件w與筒形電極10相向的面積，即工件w的、電子所流向的面積得以減少。因此，工件w的絕緣物對輸入側阻抗造成的影響也減少，有助于等離子體放電的穩定化。作為結果，即使包含絕緣物的工件w在匹配器21中的匹配處理跟不上的狀態下受到搬送，也不會受工件w的性質影響，而能夠進行穩定的等離子體處理。另外，電子誘導構件17終究只是作為電極的旋轉平臺3的輔助，筒形電極10與旋轉平臺3才分別是電極。假設電子誘導構件17為陰極，旋轉平臺3為絕緣體且在筒形電極10與旋轉平臺3之間不產生放電，即，旋轉平臺3不作為電極發揮功能時，基于以下所述的理由，后氧化等的等離子體處理將變弱。(a)由于在筒形電極10與電子誘導構件17之間形成等離子體，因此與旋轉平臺3作為電極發揮功能的情況相比，等離子體距離旋轉平臺3遠。因此，等離子體難以到達工件w。(b)旋轉平臺3不再受到自偏壓(selfbias)，因此將離子朝旋轉平臺3吸引的力弱。[試驗]為了驗證電子誘導構件17覆蓋筒形電極10的開口部11的面積與等離子體放電的關系，在等離子體處理裝置的膜處理單元4e中進行后氧化處理。膜處理單元4e是與所述實施方式同樣的構成，但在試驗中未設置電子誘導構件17。試驗條件如下。·工件…絕緣性的樹脂基板·旋轉平臺的轉速…60rpm·工藝氣體：…o2300sccm3pa·高頻電力：13.56mhz300w變更由旋轉平臺3所搬送的已利用成膜單元形成了si膜的絕緣性基板的個數來多次進行后氧化。并且，對各試驗中的反射波電力進行測定。通過變更絕緣性基板的個數，從而陰極中的旋轉平臺3的導電材料與工件w的絕緣物的比例受到變更。通過導電材料與絕緣物的比例跟反射波電力的關系，從而作為結果，也能夠驗證電子誘導構件17覆蓋筒形電極10的開口部11的面積與反射波電力的關系。另外，si膜的dc濺射是與后氧化同時進行。而且，條件與公知的條件相同，因此予以省略。表1表示了試驗結果。在絕緣性基板為三片的狀態下，陰極中的導電性材料的面積為43％。此時，相對于行波電力300w，反射波電力為60w，產生了20％的回波損耗(retumloss)。另一方面，當絕緣性基板的片數變少，即，陰極中的導電性材料的面積增加時，反射波電力變小，回波損耗也變小。在絕緣性基板為兩片而導電性材料的面積為62％的示例中，反射波電力為20w，在絕緣性基板為一片而導電性材料的面積為81％的示例中，反射波電力變為10w。表1即，只要電子誘導構件17覆蓋開口部11的50％的面積，便能夠減少絕緣物對阻抗的影響，從而能夠進行有效的等離子體處理。在絕緣性基板為0片的狀態，即電子誘導構件17覆蓋開口部11的100％的狀態下，反射波電力為0w，但是，等離子體當然到達不了工件w。為了確保等離子體朝向工件w的路徑，電子誘導構件17相對于開口部11的面積的上限可設為85％。[效果](1)本實施方式的等離子體處理裝置包括：筒形電極10，一端設有開口部11，內部被導入工藝氣體；作為搬送部的旋轉平臺3，一邊循環搬送工件w，一邊使其通過被施加有電壓的筒形電極10的開口部11的下方；以及電子誘導構件17，配置在開口部11與旋轉平臺3之間。通過在筒形電極10的開口部11與旋轉平臺3之間配置電子誘導構件17，從而能夠不受工件w的性質或搬送狀態影響，而將由等離子體所產生的電子誘導至電子誘導構件17，從而能夠使等離子體放電穩定化。通過使等離子體放電穩定化，從而由等離子體所產生的離子或自由基等穩定地到達工件w。作為結果，可提供一種等離子體處理裝置，能夠不受工件w的性質或搬送狀態影響而提高處理效率，并且能夠使形成在工件w上的膜的品質穩定。(2)電子誘導構件17是在中心具有孔部17a的環狀構件。通過使電子誘導構件17位于開口部11與旋轉平臺3之間，從而工件w與筒形電極10相向的面積，即電子所流向的工件w的面積得以減少。因此，即使在工件w含有絕緣物的情況下，對輸入側阻抗造成的影響也得以減少，從而有助于等離子體放電的穩定化。而且，由電子誘導構件17所誘導的等離子體能夠經由孔部17a而到達工件w。(3)電子誘導構件17也可覆蓋開口部11的50％～85％的面積。若低于50％，則由等離子體所產生的電子有可能無法被電子誘導構件17充分誘導。若超過85％，則開口部11被覆蓋的面積變多，由等離子體所產生的離子或自由基等反而難以到達工件w。通過將電子誘導構件17覆蓋開口部11的面積設為開口部11的50％～85％的面積，從而能夠充分誘導由等離子體所產生的電子，由等離子體所產生的離子或自由基等也能夠充分到達工件w。因此，能夠進行既可使放電穩定，又可確保工件w的處理效率的良好的工件處理。(4)旋轉平臺3被配置在作為真空容器的腔室1的內部，在面上保持工件w。筒形電極10被配置在旋轉平臺3的工件w的保持位置的上方。等離子體處理裝置被安裝在腔室1內，作為在筒形電極10的開口部11與旋轉平臺3之間支撐電子誘導構件17的支撐構件，也可具備內側支撐構件19與外側支撐構件18。通過使用支撐構件，能夠在旋轉的平臺上固定電子誘導構件17。(5)外側支撐構件18從腔室1的外緣附近的底部豎立設置并延伸至筒形電極10的正下方，在旋轉平臺3與筒形電極10之間支撐電子誘導構件17。通過設置在腔室1的外緣附近，從而在更換電子誘導構件17時，作業變得容易。(6)還包括支柱3c，該支柱3c豎立設置在腔室1的內部，且前端部分貫穿旋轉平臺3的中心。旋轉平臺3經由作為軸承的滾珠軸承3d可旋轉地支撐于支柱3c。內側支撐構件19被安裝于支柱3c，延伸至筒形電極10的正下方，在旋轉平臺3與筒形電極10之間支撐電子誘導構件17。通過在支撐旋轉平臺3的不動的支柱3c上安裝內側支撐構件19，從而能夠在旋轉平臺3之上固定電子誘導構件17。(7)電子誘導構件17也可包含導電性構件以及被涂布于導電性構件周圍的抗蝕刻劑、抗氧化劑或抗氮化劑。配置在筒形電極10的下方的電子誘導構件17也與工件w同樣地受到等離子體處理，若特性發生變化，則必須進行更換。通過配合等離子體處理的形態來以抗蝕刻劑、抗氧化劑或抗氮化劑進行涂布，從而能夠抑制特性的變化，減少更換頻率。[其他實施方式](1)本發明并不限定于所述實施方式。例如，所述實施方式中，將電子誘導構件17的形狀設為覆蓋筒形電極10的開口部11的外緣的環狀，但只要能夠將等離子體的電子誘導至工件w，則并不限于該形狀。例如，也可如圖5所示，將電子誘導構件17設為矩形的板狀構件170。板狀構件170的周方向的寬度可小于開口部11的周方向寬度。而且，也可配合扇形的開口部11來使板狀構件170的周方向的寬度從半徑方向中心側朝向外側擴徑。板狀構件170是以橫切開口部11的半徑方向中心的方式而設置。半徑方向是與旋轉平臺3對工件w的搬送方向正交的方向。通過如此般設置，從而板狀構件170覆蓋開口部11的半徑方向中心部，而中心部的兩端部分開放。在筒形電極10的內部所產生的等離子體受板狀構件170誘導，通過開口部11的兩端部分而到達工件w。由此，與所述實施方式同樣地，能夠不受工件w的性質影響而進行穩定的等離子體處理。另外，板狀構件170的半徑方向的寬度可具有與開口部11的半徑方向寬度接近的寬度，以便能夠均勻地誘導等離子體。(2)而且，所述實施方式是使用外側支撐構件18及內側支撐構件19來將電子誘導構件17安裝至腔室1內，但也可如圖6所示，將電子誘導構件17經由絕緣物而安裝于筒形電極10的前端。電子誘導構件17通過與腔室1的上表面部分或者內部護罩13電連接而接地。通過經由絕緣材來連接，筒形電極10與電子誘導構件17不會電連接，因此能夠使電子誘導構件17作為陰極側的輔助電極發揮作用。通過安裝于筒形電極10，從而不需要另行準備支撐構件，因此能夠削減零件個數。(3)所述實施方式中，對將電子誘導構件17的外側支撐構件18及內側支撐構件19安裝于腔室1底部的形態進行了說明，但并不限于底部，例如也可安裝于腔室1的上表面或者壁面。(4)循環搬送的軌跡并不限定于圓周。廣泛包含通過無接頭狀的搬送路徑來進行循環搬送的形態。例如，也可為矩形或橢圓，還可包含彎曲(crank)或蛇行的路徑。無接頭狀的搬送路徑例如也可包含輸送機(conveyor)等。(5)也可對旋轉平臺3施加偏壓電壓。而且，也可在旋轉平臺3的下方配置磁鐵。通過這些措施，電子將被捕獲(trap)，因此更容易在旋轉平臺3上形成等離子體。當前第1頁12當前第1頁12