本公開至少一個實施例涉及一種蒸鍍裝置及其蒸鍍方法、顯示器件制造設備。

背景技術：

真空蒸鍍已經廣泛應用于顯示器件的制備工藝中，但是，當用于真空蒸鍍的掩膜板在安裝在被處理的基板上時，掩膜板的部分區域可能會出現褶皺，導致掩膜板在蒸鍍過程中不會完全貼合在基板上，影響基板的蒸鍍精度，由此導致所制備的顯示產品的顯示不良等問題。

技術實現要素：

本公開至少一個實施例提供一種蒸鍍裝置及其蒸鍍方法、顯示器件制造設備以解決上述問題。

本公開至少一個實施例提供一種用于基板蒸鍍的蒸鍍裝置，所述基板的一側設置有掩膜板，所述蒸鍍裝置包括：磁吸附層以及設置在所述磁吸附層一側的熱敏層，其中，所述熱敏層設置于所述磁吸附層和所述基板的遠離所述掩膜板的一側之間，并且所述熱敏層配置為調節所述掩膜板和所述磁吸附層之間的距離。

例如，在本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置中，所述熱敏層的線膨脹系數的范圍約為10^-5-10^-3米/度。

例如，在本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置中，在垂直于所述磁吸附層所在面的方向上，所述熱敏層的厚度范圍約為1毫米～10厘米。

例如，在本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置中，所述磁吸附層可以包括多個按陣列布置的磁吸附單元。

例如，在本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置中，每個所述磁吸附單元可以通過彈性元件安裝。

例如，在本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置中，所述熱敏層可以包括多個按陣列布置的熱敏單元，每個所述熱敏單元對應于一個或多個所述磁吸附單元。

例如，本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置還可以包括設置于所述磁吸附層的面向所述熱敏層一側的冷卻層。

例如，在本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置中，所述冷卻層的一側可以設置于所述熱敏層的遠離所述磁吸附層的一側上，所述冷卻層的另一側安裝所述被蒸鍍的基板。

例如，本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置中還可以包括：對所述磁吸附層進行限位的限位層；其中，所述限位層為柔性層，并且所述限位層設置于所述熱敏層和所述磁吸附層之間。

例如，在本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置中，所述冷卻層可以設置于所述磁吸附層和所述熱敏層之間，并且所述冷卻層為柔性冷卻層。

例如，在本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置中，所述冷卻層的遠離所述熱敏層的表面可以設置有對所述磁吸附層限位的凹槽。

例如，本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置中還可以包括蒸發源，所述蒸發源可以設置于所述熱敏層的遠離所述磁吸附層的一側并且與所述熱敏層間隔預定距離，其中，所述蒸發源用于容納被蒸發材料。

例如，本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置中還可以包括安裝部，其中，所述安裝部位于所述熱敏層與所述蒸發源之間且設置為依次安裝所述基板和所述掩膜板。

本公開至少一個實施例提供一種顯示器件制造設備，可以包括上述任一個實施例中的蒸鍍裝置。

本公開至少一個實施例提供的蒸鍍裝置，在基板的蒸鍍過程中，當用于對基板蒸鍍的掩膜板在某一區域產生褶皺時，會改變相應區域的熱敏層的溫度，熱敏層根據溫度變化調節自身厚度以減小該區域的磁吸附層與掩膜板的間距，從而消除掩膜板的褶皺問題，提高基板的蒸鍍良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本公開實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例，而非對本公開的限制。

圖1為本公開一個實施例提供的一種蒸鍍裝置的結構示意圖；

圖2a～圖2d為圖1所示蒸鍍裝置的工作原理的過程圖；

圖3為本公開一個實施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖；

圖4為本公開一個實施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖；

圖5為本公開一個實施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖；

圖6為本公開一個實施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖；

圖7為本公開一個實施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖；

圖8為本公開一個實施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖；以及

圖9a～圖9c為本公開一個實施例提供的一種蒸鍍裝置的蒸鍍方法的過程圖。

附圖標記：

1-真空蒸鍍室；2-支撐部；100-磁吸附層；110-磁吸附單元；120-彈性元件；200-熱敏層；210-熱敏單元；300-基板；400-掩膜板；500-冷卻層；510-槽；600-蒸發源；700-限位層；800-安裝部。

具體實施方式

為使本公開實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本公開實施例的附圖，對本公開實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本公開的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本公開的實施例，本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本公開保護的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術術語或者科學術語應當為本公開所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也可能相應地改變。

本公開至少一個實施例提供一種蒸鍍裝置及其蒸鍍方法、顯示器件制造設備，以至少解決在蒸鍍過程中掩膜板不能與基板完全貼合導致的基板蒸鍍不良的問題。該蒸鍍裝置包括：磁吸附層以及熱敏層，其中，熱敏層的一側層疊在磁吸附層上，在熱敏層遠離磁吸附層的一側設置為朝向被蒸鍍的基板。

磁吸附層可以將用于蒸鍍的掩膜板吸附在基板上。在蒸鍍過程中，被蒸鍍材料在沉積的過程放熱，當掩膜板和基板之間出現褶皺時，例如該區域為第一區域，則第一區域的掩膜板因為與基板之間出現間隔，使得第一區域的熱敏層部分的溫度低于其它區域的熱敏層部分的溫度，第一區域的熱敏層部分厚度減小以使得第一區域的磁吸附層部分與第一區域的掩膜板部分的間隔距離減小并使得兩者之間的磁吸附力增加，使得第一區域的掩膜板部分貼合至基板上。如此，本公開實施例提供的蒸鍍裝置可以調節磁吸附層和掩膜板之間的距離，并且例如可以實時且自動地進行調節，從而可以緩解或消除掩膜板出現褶皺的問題，提高蒸鍍裝置對基板的蒸鍍精度。

下面將結合附圖對根據本公開實施例的蒸鍍裝置及其蒸鍍方法、顯示器件制造設備進行詳細的描述。

本公開至少一個實施例提供一種蒸鍍裝置，圖1為本公開一個實施例提供的一種蒸鍍裝置的結構示意圖。例如圖1所示，該蒸鍍裝置用于對基板300的蒸鍍，基板300的一側設置有掩膜板400，該蒸鍍裝置可以包括：磁吸附層100以及熱敏層200，其中，熱敏層200設置在磁吸附層100的一側，熱敏層200設置于磁吸附層100和基板300的遠離所述掩膜板400的一側之間，并且熱敏層200配置為可以調節掩膜板400和磁吸附層100之間的距離。在熱敏層200的遠離磁吸附層100的一側在工作過程中用于安裝被蒸鍍的基板300。例如，基板300的遠離磁吸附層100的一側設置有掩膜板400。磁吸附層100和掩膜板400之間可以產生磁吸附力，該磁吸附力可以將掩膜板400吸附在基板300上，然后通過掩膜板400向基板300進行蒸鍍。當掩膜板400的局部區域出現褶皺時，熱敏層200可以調節相應區域的磁吸附層100和掩膜板400之間的間隔距離，即可以調整該區域磁吸附層100和掩膜板400之間的磁吸附力，從而可以將掩膜板400中的褶皺部分吸附在基板300上，因此，熱敏層200的設置可以將基板300和掩膜板400之間貼合緊密，以提高基板300的蒸鍍精度。關于熱敏層200可以調節相應區域的磁吸附層100和掩膜板400之間的間隔距離的相關說明可以參考下述實施例(例如圖2a～圖2d所示的實施例)中的相關內容，在此不做贅述。

例如，在本公開至少一個實施例中，掩膜板400的制備材料可以包括金屬材料，也可以包括磁吸附材料。本公開實施例對掩膜板400的制備材料不做限制，只要掩膜板400與磁吸附層100之間可以產生磁吸附力即可。

例如，在本公開至少一個實施例中，如圖1所示，蒸鍍裝置還可以包括蒸發源600，所述蒸發源600設置在熱敏層200的遠離磁吸附層100的一側并且與熱敏層200間隔預定距離，其中，蒸發源600可以用于容納被蒸發的材料，且可以被加熱以使得材料被蒸發。蒸發源600與熱敏層200間隔的預定距離的大小可以根據實際需求決定，本公開在此不做限制。例如，蒸鍍過程可以包括：對蒸發源600中的蒸鍍材料加熱，使得蒸鍍材料的原子或者分子氣化逸出形成蒸汽流，氣態下的蒸鍍材料被引導至基板300上后，冷凝形成固態薄膜同時釋放出一定的熱量，其中，掩膜板400可以限定該固態薄膜的圖案。

本公開實施例對蒸發源600的種類不做限制。例如，在本公開至少一個實施例中，蒸發源600可以為點型蒸發源或者線型蒸發源等。

例如，在本公開至少一個實施例中，如圖1所示，蒸鍍裝置還可以包括真空蒸鍍室1，真空蒸鍍室1可以容納例如磁吸附層100、熱敏層200、蒸發源600以及被蒸鍍的基板300等，并且磁吸附層100、熱敏層200、被蒸鍍的基板300以及基板300上的掩膜板400等結構例如可以通過支撐部2固定于真空蒸鍍室1中。

例如，在本公開至少一個實施例中，圖2a～圖2d為圖1所示蒸鍍裝置的工作原理的過程圖，其為所述蒸鍍裝置的局部示意圖。例如圖2a～圖2d所示，蒸鍍裝置可以提高基板100的蒸鍍精度的工作原理可以包括如下過程：

如圖2a所示，提供一個蒸鍍裝置，該蒸鍍裝置上設置有基板300，基板300上設置有掩膜板400，其中，例如b區域的掩膜板400存在褶皺并且與基板300之間形成有間隔。

如圖2b所示，在蒸鍍過程中，蒸鍍材料沉積在基板300上后會產生熱量以使得基板300的溫度升高，并且該熱量也會傳遞給熱敏層200。因b區域的掩膜板400存在褶皺，由此熱導率下降，導致b區域的基板300的溫度低于a區域的基板300的溫度，并使得b區域的熱敏層200的溫度低于a區域的熱敏層100的溫度，因此，在垂直于熱敏層200所在面的方向上，即在z軸的方向上，b區域的熱敏層200的厚度小于a區域的熱敏層200的厚度。

如圖2c所示，與a區域的熱敏層200相比，b區域的熱敏層200厚度減小，使得b區域的磁吸附層100與掩膜板400之間的磁吸附力增大，b區域的磁吸附層100通過磁吸附力將b區域的掩膜板400吸附在基板300上，從而可以消除掩膜板400的褶皺問題。

如圖2d所示，b區域的掩膜板400與基板300之間貼合后，b區域的基板300的溫度升高，即b區域的熱敏層200的溫度也會升高，當b區域的熱敏層200的溫度與a區域的熱敏層200的溫度相等后，在z軸的方向上，b區域的熱敏層200的厚度與a區域的熱敏層200的厚度相等。

在本公開實施例中，對熱敏層200的熱膨脹系數不做限制，只要熱敏層200可以通過溫度變化調整磁吸附層100和掩膜板400之間的間隔距離即可。例如，在本公開至少一個實施例中，熱敏層100的線膨脹系數的范圍約為10^-5-10^-3米/度。

在本公開實施例中，熱敏層200需要一定的厚度以調整磁吸附層100和掩膜板400之間的距離。例如，在本公開至少一個實施例中，如圖1所示，在垂直于磁吸附層100所在面的方向上，熱敏層200的厚度范圍約為1毫米～10厘米，否則太薄或太厚都不利于實現本公開實施例的調節功能，又例如熱敏層200的厚度范圍為1厘米～5厘米。需要說明的是，上述熱敏層200的厚度范圍為在常溫(例如25攝氏度)條件下的參考值。

例如，在本公開至少一個實施例中，如圖1和圖2a～圖2d所示，磁吸附層100可以包括多個按陣列布置的磁吸附單元110。磁吸附層100設置為包括多個磁吸附單元110，在熱敏層200形變過程(厚度變化)中，相鄰的磁吸附單元110之間不會產生干擾，可以提高蒸鍍裝置的靈敏度。例如圖2c所示，當b區域的熱敏層200的厚度減小時，b區域中的磁吸附單元110也會移動，但是a區域中的靠近b區域的磁吸附單元110不會對b區域中的磁吸附單元110的移動產生干擾。

例如，在本公開至少一個實施例中，如圖1和圖2a～圖2d所示，每個磁吸附單元110可以配置為垂直于磁吸附層100所在的面的方式安裝。如此，在熱敏層200發生形變時，可以便于磁吸附單元110的移動，即有利于磁吸附單元在沿著z軸的方向上移動。

例如，在本公開至少一個實施例中，圖3為本公開一個實施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖，其為局部示意圖。例如圖3所示，每個磁吸附單元110可以通過彈性元件120進行安裝在安裝面(例如圖3中的虛線)上。彈性元件120可以為磁吸附單元110的移動提供回復力。該彈性元件120例如為壓縮彈簧等。

例如，在本公開至少一個實施例中，磁吸附單元110可以為永磁體或者電磁體等。本公開實施例中，對磁吸附單元110的具體結構不做限制，只要磁吸附單元110和掩膜板400之間可以產生磁性吸附即可。

例如，在本公開至少一個實施例中，圖4為本公開一個實施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖，其為局部示意圖。例如圖4所示，熱敏層200可以包括多個按陣列分布的熱敏單元210，每個熱敏單元210可以對應于一個或多個磁吸附單元110。在如圖2c所示的熱敏層200形變過程(厚度變化)中，a區域的熱敏層200會干擾b區域的熱敏層200，影響蒸鍍裝置消除掩膜板400褶皺的靈敏度，圖4中所示的熱敏層200設置為包括多個熱敏單元210，相鄰的熱敏單元210之間不會產生干擾，解決了上述問題，可以提高蒸鍍裝置的性能。

例如，在本公開至少一個實施例中，如圖1～圖4所示，蒸鍍裝置還可以包括設置在磁吸附層100的面向熱敏層200一側的冷卻層500。在蒸鍍裝置工作時，冷卻層500可以將基板300上的熱量轉移以防止基板300溫度過高。例如，冷卻層500中可以設置有多條導流管，該導流管中通入冷卻液例如水等。

在本公開實施例中，冷卻層500的設置位置可以根據實際需求來決定，本公開不做限制。下面通過幾個實施例對冷卻層500的幾種設置位置進行說明。

例如，在本公開至少一個實施例中，圖5為本公開一個實施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖，其為局部示意圖。例如圖5所示，本公開實施例中的冷卻層500的一側可以設置于熱敏層200的遠離磁吸附層100的一側上，冷卻層500的另一側設置為朝向被蒸鍍的基板300，即冷卻層500可以設置為位于熱敏層200和基板300之間。

例如，在本公開至少一個實施例中，如圖5所示，蒸鍍裝置還可以包括對磁吸附層100進行限位的限位層700，限位層700可以位于磁吸附層100和熱敏層200之間。限位層700可以在例如圖5中的水平面方向(x軸的方向)上固定磁吸附層100。例如，在磁吸附層100包括多個磁吸附單元110的情況下，限位層700可以用于對每個磁吸附單元110進行定位，以便于對磁吸附層100產生的磁場的分布進行調整。例如，在本公開至少一個實施例中，在圖2c所示的熱敏層200形變過程中，為避免限位層700對磁吸附層100的移動(例如b區域中的磁吸附單元110的移動)產生干擾，限位層700可以配置為柔性層。

例如，在本公開至少一個實施例中，圖6為本公開一個實施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖，其為局部示意圖。如圖6所示，蒸鍍裝置中的冷卻層500設置在磁吸附層100和熱敏層200之間。與圖5所示的蒸鍍裝置中的冷卻層500的設置位置相比，圖6所示的熱敏層200與基板300的距離更小，例如熱敏層200還可以與基板300直接接觸，在此情況下，熱敏層200對基板300的溫度變化的感應更加靈敏。為避免冷卻層500對圖2c所示中的磁吸附層100的移動(例如b區域中的磁吸附單元110的移動)產生干擾，可以將冷卻層500設置為柔性冷卻層。

例如，在本公開至少一個實施例中，圖7為本公開一個實施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖，其為局部示意圖。如圖7所示，冷卻層500的遠離熱敏層200的表面設置有對磁吸附層100限位的凹槽510。凹槽510可以在例如圖7中的水平方向(x軸的方向)上固定磁吸附層100。例如，在磁吸附層100包括多個磁吸附單元110的情況下，凹槽510可以用于對每個磁吸附單元110進行定位，以便于調整磁吸附層100產生的磁場的分布。

例如，在本公開至少一個實施例中，圖8為本公開一個實施例提供的另一種蒸鍍裝置的剖面圖，其為局部示意圖。如圖8所示，蒸鍍裝置還可以包括安裝部800，安裝部800位于熱敏層200和蒸發源600之間且設置為依次安裝被蒸鍍的基板300以及用于蒸鍍的掩膜板400。例如，該安裝部800可以固定并且限位基板300，而且安裝部800可以將掩膜板400和基板300對準，以保證基板蒸鍍的精度。

本公開至少一個實施例提供一種顯示器件制造設備，該顯示器件制造設備可以包括上述任一實施例中的蒸鍍裝置。例如，該顯示器件制造設備還可以包括真空泵、蒸發材料傳輸管線等結構。

本公開中的實施例對顯示器件制造設備的應用領域不做限制。例如，該顯示器件制造設備可以應用于顯示器件中的制備工藝中。例如，該顯示器件制造設備可以應用于制備有機發光二極管(oled)顯示面板中的有機發光器件等結構，例如可以制備有機發光器件中的陰極、陽極以及位于陰極和陽極之間的發光層等。

本公開至少一個實施例提供一種蒸鍍裝置的蒸鍍方法，該方法可以包括：在熱敏層的遠離磁吸附層的一側依次安裝被蒸鍍的基板以及覆蓋基板的掩膜板；在基板的遠離熱敏層的一側，加熱蒸發材料并通過掩膜板對基板進行蒸鍍。蒸鍍裝置的具體化結構可以參考前述實施例(關于蒸鍍裝置的實施例)中的相關內容，在此不做贅述。

被便于解釋本公開實施例中蒸鍍裝置的蒸鍍方法，以本公開實施例的至少一個示例對該蒸鍍方法的過程進行說明，圖9a～圖9c為本公開一個實施例提供的一種蒸鍍裝置的蒸鍍方法的過程圖。如圖9a～圖9c所示，本公開一個示例中的蒸鍍裝置的蒸鍍方法可以包括如下過程：

如圖9a所示，提供一個蒸鍍裝置，該蒸鍍裝置包括磁吸附層100、冷卻板500以及位于磁吸附層100和冷卻板500之間的熱敏層200。磁吸附層100、冷卻板500以及熱敏層200的設置方式及具體結構可以參考前述實施例中的相關說明，在此不做贅述。

如圖9b所示，通過安裝部800將掩膜板400設置在基板300上，并且將設置有掩膜板400的基板300固定于蒸鍍裝置上，其中，基板300位于熱敏層200的遠離磁吸附層100的一側，以及掩膜板400位于基板300的遠離磁吸附層100的一側。

如圖9c所示，提供蒸發源600。加熱蒸發源600中的蒸發材料，并通過掩膜板400在基板300的遠離熱敏層200一側的表面上沉積形成蒸發材料的蒸鍍圖案。蒸發源600的設置方式可以參考前述實施例中的相關內容，在此不做贅述。

本公開的實施例提供一種蒸鍍裝置及其蒸鍍方法、顯示器件制造設備，并且可以具有以下至少一項有益效果：

(1)在本公開至少一個實施例提供一種蒸鍍裝置中，熱敏層可以根據溫度變化調節自身厚度以調控磁吸附層與掩膜板的間距，可以緩解或消除掩膜板的褶皺問題。

(2)在本公開至少一個實施例中，蒸鍍裝置可以實時調節掩膜板和磁吸附層之間的間隔距離，在蒸鍍過程中，可以保證掩膜板和基板之間緊密貼合，提高基板的蒸鍍良率。

對于本公開，還有以下幾點需要說明：

(1)本公開實施例附圖只涉及到與本公開實施例涉及到的結構，其他結構可參考通常設計。

(2)為了清晰起見，在用于描述本公開的實施例的附圖中，層或區域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實際的比例繪制。

(3)在不沖突的情況下，本公開的實施例及實施例中的特征可以相互組合以得到新的實施例。

以上，僅為本公開的具體實施方式，但本公開的保護范圍并不局限于此，本公開的保護范圍應以權利要求的保護范圍為準。