1.一種電弧離子源清洗基片裝置，包括真空室（7）、工件架（8）、電弧離子源組件A（2）和電弧離子源組件B（4），其特征是：在真空室（7）內設有工件架（8），在真空室（7）內的一側壁上設有耐高溫擋板（1），在真空室（7）的外部設有并排間隔設置的電弧離子源組件A（2）與電弧離子源組件B（4），在電弧離子源組件A（2）與電弧離子源組件B（4）上均設有進氣口（3）。
2.根據權利要求1所述的電弧離子源清洗基片裝置，其特征是：在耐高溫擋板（1）的下部設有接偏壓電源（6），在接偏壓電源（6）上設有電極引入口（5）。
3.根據權利要求1所述的電弧離子源清洗基片裝置，其特征是：在真空室（7）內的工件架（8）放置被清洗基片。