本實用新型屬于熱處理領域，特別涉及一種氣相多元強化處理裝置。

背景技術：

目前低溫化學熱處理，所采用的氣相多元強化處理裝置，其加熱溫度一般在500～590℃，溫度范圍較窄，無法很好的實現元素的滲入。

技術實現要素：

為了改善上述問題，本實用新型提供了一種氣相多元強化處理裝置。

為了實現上述目的，本實用新型采用的技術方案如下：

氣相多元強化處理裝置，包括底座，設置于底座上方的托盤，將底座與托盤相連的支承柱，以及貫穿托盤并與底座固定相連的起吊耳；所述托盤上設有若干個通孔，所述底座上設有若干個氣流孔。

進一步地，所述托盤為兩個以上，且相互平行，所述支承柱將所有托盤和底座相互固定，所述起吊耳貫穿所有托盤后固定于底座上。

再進一步地，所述起吊耳為倒“U”型結構。

更進一步地，所述托盤正中心設有一個通孔，且以該通孔為圓心在托盤上由內至外設有四層通孔，第一層和第三層的通孔為大通孔，第二層和第四層的通孔為小通孔；所述托盤正中心的通孔半徑與大通孔的半徑相等。

另外，所述第一層設有兩個大通孔，第二層設有四個小通孔，第三層設有八個大通孔，第四層設有八個小通孔。

此外，所述托盤正中心的通孔的圓心到第一層的大通孔的圓心距離為10～11m，所述托盤正中心的通孔的圓心到第二層的小通孔的圓心距離為17～18m， 所述托盤正中心的通孔的圓心到第三層的大通孔的圓心距離為25～26m，所述托盤正中心的通孔的圓心到第四層的小通孔的圓心距離為28～29m；每層之間的通孔交錯設置。

進一步地，所述托盤與底座之間由六根支承柱相連，且六根支承柱均勻分布于底座的外邊緣。

再進一步地，所述托盤為六個，且由上至下依次平行設置。

更進一步地，所述大通孔的半徑為3～4m，所述小通孔的半徑為1～2m。

本實用新型與現有技術相比，具有以下優點及有益效果：

本實用新型能夠均勻對物體進行加熱，而且本實用新型能夠在500～670℃進行α-Fe的高溫段表面改性強化處理，提高了低溫表面強化處理的深層，實現了微變形或不變性熱處理，解決了表面耐磨性、防腐、表面發黑的問題。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

圖2為圖1的俯視圖。

其中，附圖中標記對應的零部件名稱為：1-底座，2-托盤，3-支承柱，4-起吊耳，5-通孔。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明，本實用新型的實施方式包括但不限于下列實施例。

實施例

如圖1、2所示，氣相多元強化處理裝置，包括底座1，設置于底座上方的托盤2，將底座與托盤相連的支承柱3，以及貫穿托盤并與底座固定相連的起吊 耳4；所述托盤上設有若干個通孔5，所述底座上設有若干個氣流孔。

通過上述設置，將待處理的物體放置于托盤上，然后將本實用新型放入加熱爐中進行升溫，由于在托盤上設有通孔，且在底座上設有氣流孔，這樣就能夠改變氣相的運動軌跡，氣相從本實用新型裝置的底部向上運動時，會通過氣流孔，然后再通過通孔，從而使氣相均勻的通過本裝置，對托盤上的物體進行均勻的加熱，而且通過改變氣相能夠提高物質受熱面積，從而提高了加熱溫度。

具體地，所述托盤為兩個以上，且相互平行，所述支承柱將所有托盤和底座相互固定，所述起吊耳貫穿所有托盤后固定于底座上。通過設置兩個以上托盤能夠更好的進行擾亂氣相運行軌跡，而且每個托盤上的通孔并未對齊，是交錯的，故而上方的托盤必然會對經過下方的托盤的氣相進行阻擋，使其會有一定的停留時間，這樣就大大地提高了物體受熱時間，也能夠進一步地提高溫度。作為一種優選，所述托盤為六個，且由上至下依次平行設置。通過設置六個托盤，能夠在每個托盤上均放置待處理物體，這樣就能夠一次性處理多個待處理物，大大地提高了處理效率，減少了成本。

具體地，所述起吊耳為倒“U”型結構。通過設置成上述形狀，能夠方便將本實用新型從加熱爐中取出和放入其中，只需通過其他外界部件鉤住或抓住起吊耳的頂部弧形部位，即可輕松的實現取出和放入，操作十分簡單。

具體地，所述托盤正中心設有一個通孔，且以該通孔為圓心在托盤上由內至外設有四層通孔，第一層和第三層的通孔為大通孔，第二層和第四層的通孔為小通孔；所述托盤正中心的通孔半徑與大通孔的半徑相等。通過上述大小通孔的布局，能夠進一步地的擾亂氣相的運動軌跡，從而進一步實現對待處理物質的加熱。

具體地，所述第一層設有兩個大通孔，第二層設有四個小通孔，第三層設 有八個大通孔，第四層設有八個小通孔。值得說明的是，每層上的通孔均是均勻分布的，也就是呈放射性布局于托盤上。通過控制每一層的通孔數量，能夠準確的限定氣相的運行軌跡，確保加熱的效率。

具體地，所述托盤正中心的通孔的圓心到第一層的大通孔的圓心距離為10～11m，所述托盤正中心的通孔的圓心到第二層的小通孔的圓心距離為17～18m，所述托盤正中心的通孔的圓心到第三層的大通孔的圓心距離為25～26m，所述托盤正中心的通孔的圓心到第四層的小通孔的圓心距離為28～29m；每層之間的通孔交錯設置。通過上述尺寸的限定，能夠進一步的限定氣相的運行軌跡，能夠最大限度利用氣相所攜帶的熱能，從而更好的實現均勻加熱和提高受熱溫度。

作為一種優選，所述大通孔的半徑為3～4m，所述小通孔的半徑為1～2m。通過限定大通孔和小通孔的半徑，能夠控制氣相通過通孔的流量，從而更好的實現加熱效果。

為了進一步保證本實用新型的穩定性，所述托盤與底座之間由六根支承柱相連，且六根支承柱均勻分布于底座的外邊緣。通過均勻設置六根支承柱，不僅能夠確保裝置的穩定性，還能間接對氣相運動軌跡進行限位，同時也不會阻礙待處理物質的加熱。

按照上述實施例，便可很好地實現本實用新型。值得說明的是，基于上述結構設計的前提下，為解決同樣的技術問題，即使在本實用新型上做出的一些無實質性的改動或潤色，所采用的技術方案的實質仍然與本實用新型一樣，故其也應當在本實用新型的保護范圍內。