技術總結
一種雙區加熱的等離子增強化學氣相沉積腔體晶圓基座（Dual?Zone?Heater），包括基座主體，所述基座主體上設置晶圓凹槽，晶圓凹槽分為中心區域和邊緣區域兩部分，中心區域和邊緣區域采用兩套內嵌加熱元件及溫度傳感器來獨立加熱。它是在傳統的腔體晶圓基座（Heater）技術的基礎上引入了雙區加熱溫控技術，可以獨立調控腔體晶圓基座中心區域和邊緣區域的溫度，來改善300mm尺寸晶圓在等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝中薄膜沉積的均勻性，從而提高產品的良率。

技術研發人員：徐光
受保護的技術使用者：上海陛通半導體能源科技股份有限公司
文檔號碼：201620884628
技術研發日：2016.08.16
技術公布日：2017.01.11