本技術(shù)涉及一種柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置，屬于磁控濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
磁控濺射原理是電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片，氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。
常規(guī)磁控濺射鍍膜的工作氣體系統(tǒng),由工作氣體儲罐、氣體壓力穩(wěn)定器組和氣嘴排成。工作氣體通過壓力穩(wěn)定器后再通過氣嘴排送氣，壓力穩(wěn)定器控制輸出氣體總壓力穩(wěn)定，單位時間輸出的氣體總流量固定。優(yōu)點是設(shè)備簡單，造價低。缺點是靶面濺射程度受到系統(tǒng)真空度穩(wěn)定等影響。
后來在磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中加入手動流量控制器，其工作氣體通過一個氣嘴排供氣，氣體流量通過手動流量控制器調(diào)整，以解決因真空系統(tǒng)穩(wěn)定性影響到濺射程度的一致性。但缺點是，手動控制的反應(yīng)速度不及真空艙內(nèi)受影響的變化速度。控制影響滯后，精度低。
現(xiàn)在多采用等離子體輻射監(jiān)視系統(tǒng)（pem），用于替代手動調(diào)節(jié)工作氣體流量，以解決磁控濺射反應(yīng)速度，解決濺射程度的穩(wěn)定性和一致性。
在真空鍍膜反應(yīng)濺射過程中，來自真空鍍膜放電等離子體的發(fā)射光譜的譜線位置，取決于真空鍍膜靶材、真空鍍膜氣體成分和真空鍍膜化合物的組成。根據(jù)這種真空鍍膜放電等離子體發(fā)射光譜強度的變化就可以用來控制真空鍍膜反應(yīng)濺射的工藝過程。真空鍍膜等離子體的發(fā)射光譜通過真空鍍膜濺射室內(nèi)的平行光管、光纖系統(tǒng)傳輸?shù)秸婵斟兡R射室外的過濾器，再經(jīng)過光電倍增管、預(yù)放大器輸入到pem控制器，并與強度設(shè)定點相比較，然后輸出信號到壓電閥上，操縱壓電閥的開啟與關(guān)閉，以控制輸入到真空鍍膜濺射室內(nèi)真空鍍膜反應(yīng)氣體的流量。由于真空鍍膜靶的中毒非常快，所以這個壓電閥的反應(yīng)速度必須與化學(xué)反應(yīng)時間（-1ms）處于同一量級。采用上述pem的閉環(huán)控制的方法，能夠使真空鍍膜濺射狀態(tài)維持在遲滯回線上的任意一個工作點。特別對于真空鍍膜反應(yīng)濺射沉積tio2、sno2和ito真空鍍膜薄膜，其真空鍍膜工藝穩(wěn)定性得到了大大改善。但是，它不能解決橫向各點濺射反應(yīng)程度的控制，對于橫向膜厚度、面阻抗及光線透過等指標的均勻性控制不能起到控制作用。
橫向各點氣體流量不盡相同，但效果——濺射點氣體流向靶面得離子體密度分布等同
但由于磁場分布的均勻性、系統(tǒng)真空度分布的不均衡、柔性基材內(nèi)部氣體、水分釋放等因素的影響，使得靶面離子濃度不均衡，從而影響到濺射程度，造成濺射沉積密度分布不均，最終影響到基材表面鍍膜膜層厚度的一致性。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本技術(shù)提供了一種可控制橫向各點濺射程度一致性的柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置。
本技術(shù)采取的技術(shù)方案為：一種柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置，包括噴嘴排、磁控濺射程度監(jiān)測探頭、磁控濺射程度分析比較裝置、閥門開度控制裝置、電動閥門、氣體壓力穩(wěn)壓裝置、氣體氣源，所述噴嘴排上設(shè)有氣體噴嘴，所述磁控濺射程度監(jiān)測探頭有多個，用于檢測氣體噴嘴的濺射程度，磁控濺射程度監(jiān)測探頭通過屏蔽電信號輸出線與磁控濺射程度分析比較裝置輸入端相連接，磁控濺射程度分析比較裝置的輸出端通過屏蔽電信號輸出線與閥門開度控制裝置相連接，閥門開度控制裝置用于控制電動閥門的開閉度，每個氣體噴嘴上均單獨設(shè)有電動閥門，氣體氣源通過不銹鋼管依次與氣體壓力穩(wěn)壓裝置、電動閥門、氣體噴嘴相連。
作為本技術(shù)優(yōu)選的技術(shù)方案，所述噴嘴排上相鄰氣體噴嘴之間的距離小于500mm。
作為本技術(shù)優(yōu)選的技術(shù)方案，所述磁控濺射程度監(jiān)測探頭之間的距離小于500mm。
本技術(shù)柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置能控制橫向各點濺射程度一致，從而控制對應(yīng)點氣體分布密度，達到控制橫向相應(yīng)各點沉積率的目的，使得橫向各點膜性能指標均勻一致。本技術(shù)中噴嘴排上各個氣體噴嘴可根據(jù)橫向各點均勻性分布狀況實時調(diào)節(jié)噴嘴流經(jīng)氣體流量,控制濺射程度。由于本技術(shù)柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置噴嘴排上噴嘴密度較其它類型裝置噴嘴密集度要高，占用空間體積少，可以將濺射鍍膜靶機部分體積做的較小，有利于整體空間的縮小，節(jié)省能源，減少鍍膜質(zhì)量干擾因素。
附圖說明
圖1為本技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。
下面結(jié)合附圖對本技術(shù)的具體實施方式做進一步闡明。
具體實施方式
實施例1
參見圖1，本柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置，包括噴嘴排1、磁控濺射程度監(jiān)測探頭2、磁控濺射程度分析比較裝置3、閥門開度控制裝置4、電動閥門5、氣體壓力穩(wěn)壓裝置6、氣體氣源7，噴嘴排上設(shè)有多個氣體噴嘴8，相鄰的氣體噴嘴8之間的距離為30mm，對立位置設(shè)有多個磁控濺射程度監(jiān)測探頭2，相鄰磁控濺射程度監(jiān)測探頭2間隔距離為60mm。用于檢測氣體噴嘴8的濺射程度，磁控濺射程度監(jiān)測探頭2通過屏蔽電信號輸出線與磁控濺射程度分析比較裝置3輸入端相連接，磁控濺射程度分析比較裝置3的輸出端通過屏蔽電信號輸出線與閥門開度控制裝置4相連接，閥門開度控制裝置4用于控制電動閥門5的開閉度，每個工作氣體噴嘴9/反應(yīng)氣體噴嘴10上均單獨設(shè)有電動閥門5，電動閥門5分別受閥門開度控制裝置4控制，相互間不受干擾，氣體氣源7通過不銹鋼管依次與氣體壓力穩(wěn)壓裝置6、電動閥門5、氣體噴嘴8相連。
工作時，氣體氣源7內(nèi)儲存的氣體經(jīng)氣體壓力穩(wěn)壓裝置6穩(wěn)壓后經(jīng)電動閥門5由氣體噴嘴8噴出，磁控濺射程度監(jiān)測探頭2測得各個噴嘴的濺射程度并將數(shù)據(jù)傳送給磁控濺射程度分析比較裝置3，磁控濺射程度分析比較裝置3將各個噴嘴的噴濺程度進行比較，并將數(shù)據(jù)傳送給閥門開度控制裝置4，閥門開度控制裝置4控制噴濺程度大的噴嘴上的電動閥門5開閉度變小，使得該噴嘴的噴濺程度變小；控制噴濺程度小的噴嘴上的電動閥門5開閉度變大，使得該噴嘴的噴濺程度變大。
對用本柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置噴涂的透明導(dǎo)電薄膜，使用4點探針面阻抗測試裝置，測定磁控濺射透明導(dǎo)電薄膜橫面電阻。結(jié)果見表1。可以看出，用本柔性磁控濺射鍍膜橫向均勻性控制裝置噴涂得到的鍍膜其表面均勻性良好。
表1、面阻抗分布均勻性測試統(tǒng)計