本發明涉及離子束材料表面改性技術領域，具體涉及抗菌耐磨非晶碳涂層及其制備方法、抗菌耐磨器件。

背景技術：

隨著生活水平的提高，當前人們的健康意識也日益增強，對日常生活中頻繁接觸的終端設備(如手機外殼，腕表表帶)和衛生潔具等提出了抗菌、除菌的要求。此外，人體植入材料在臨床上得到了廣泛應用，已用于人工關節、人工種植義齒、口腔修復材料和人工心臟瓣膜等。在所有醫用植入材料中，金屬材料應用最早，也在臨床中應用最廣泛。但是，目前應用于上述領域的絕大部分材料的抗菌性能極差，容易滋生細菌，造成感染，以致帶來健康隱患。對此，目前常見的方法是對相應的材料進行表面改性，以使其具有良好的抗菌性能；其中，抗菌涂層技術應用最為廣泛，抗菌涂層在提升植入器件抗菌性的同時，還可保持基體材料原有的力學性能。

目前，已公開的抗菌涂層包括銀、銅、鋅等合金及金屬氧化物無機涂層和含抗菌活性官能團的大分子有機涂層。但是，現有技術中抗菌涂層普遍耐磨性能差，服役壽命短，這大大影響了相關器件在使用壽命和效果。非晶碳涂層由于具有良好的力學性能，低摩擦系數和優良的化學惰性和生物相容性等特點，在材料表面改性方面具有獨特的優勢和廣闊的應用前景，但是，純的非晶碳材料的抗菌性能較差，對常見細菌，如大腸桿菌的抗菌率僅約為30％，限制了其大規模的應用。

技術實現要素：

針對現有技術的不足，本發明的目的之一是提供一種抗菌耐磨非晶碳涂層，它具有優異的抗菌性能和極高的耐磨性。

本發明的目的之二是提供一種抗菌耐磨非晶碳涂層的制備方法。

本發明的目的之三是提供一種抗菌耐磨器件，它具有優異的抑菌性和耐磨性。

一種抗菌耐磨非晶碳涂層，包括銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，所述銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1包括以下元素：碳、氧、硅和銀。

一種抗菌耐磨非晶碳涂層的制備方法，包括以下步驟：

(1)對基底進行等離子體清洗，得到基底a1；

(2)涂層沉積：向沉積室中通入碳源氣體和惰性氣體，開啟偏壓電源，以銀硅復合靶t為靶材，在基底a1上濺射沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1。

一種抗菌耐磨器件，包括基底和覆蓋在該基底表面的涂層，所述涂層為根據上述制備方法制備得到的涂層。

通過上述技術方案，本發明具有以下技術效果：

本發明通過銀和硅對類石墨非晶碳涂層進行改性，硅的摻入使類石墨非晶碳涂層的潤滑性能和耐磨損性能顯著提升，銀的摻入顯著提高了類石墨非晶碳涂層材料的抗菌性能，而且銀的釋放速度慢，抗菌效果持續時間長，且具有良好的生物相容性；通過磁控濺射方法制備的類石墨非晶碳涂層具有生長速率快，能大面積均勻的沉積、且沉積密度高、涂層致密的優點，進一步提高了類石墨非晶碳涂層的耐磨性能。

附圖說明

附圖是用來提供對本發明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本發明，但并不構成對本發明的限制。在附圖中：

圖1是實施例1中的抗菌耐磨器件對大腸桿菌的抗菌性能；

圖2是實施例1中的抗菌耐磨器件在生理鹽水中的摩擦系數；

圖3是實施例1中抗菌耐磨器件表面磨痕局部三維輪廓圖。

具體實施方式

以下對本發明的具體實施方式進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本發明，并不用于限制本發明。

在本文中所披露的范圍的端點和任何值都不限于該精確的范圍或值，這些范圍或值應當理解為包含接近這些范圍或值的值。對于數值范圍來說，各個范圍的端點值之間、各個范圍的端點值和單獨的點值之間，以及單獨的點值之間可以彼此組合而得到一個或多個新的數值范圍，這些數值范圍應被視為在本文中具體公開。

本發明提供了一種抗菌耐磨非晶碳涂層，包括銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，所述銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1包括以下元素：碳、氧、硅和銀，優選的，所述涂層c1中各元素的原子百分含量為：碳75～80at.％，氧10～15at.％，硅3～8at.％，銀2～7at.％。

銀具有優異的抑菌性，且銀的釋放速度慢，抗菌效果持續時間長，還具有良好的生物相容性，硅能夠提高類石墨非晶碳涂層的潤滑性能和耐磨損性能，本發明通過在類石墨非晶碳涂層中同時摻雜銀元素和硅元素，使得涂層兼具抗菌性和耐磨性。

非晶碳能夠在摩擦過程中提供潤滑相，因而提高涂層的耐磨性，它還可作為軟質相，有利于降低涂層應力，增加涂層韌性，本發明中通過拉曼光譜對碳原子的存在方式進行表征，優選的，所述涂層的拉曼光譜的特征峰為：g峰位于1500～1600cm^-1之間，d峰位于1300～1380cm^-1之間；d峰與g峰強度比為1：(1～3)，優選的，所述；d峰與g峰強度比為1：(1.6～2.6)。

涂層的厚度是影響抗菌耐磨非晶碳涂層性能的一個重要因素，涂層較厚，會導致涂層的機械性能變差，還會導致涂層容易從基底上脫落，涂層太薄又起不到保護器件的作用，優選的，本發明中涂層c1的厚度為1～3μm。

在本發明的一個優選的實施方式中，為了提高涂層c1與基底a1之間的結合力，所述涂層包括銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1和過渡層c2，所述過渡層c2的一面與涂層c1的一面接觸。過渡層中元素的含量以及涂層的厚度是影響結合力的重要因素，優選的，過渡層c2包括以下元素：硅和銀。更優選的，過渡層c2中各元素的原子百分含量為：硅80～95at.％，銀5～20at.％，優選的，過渡層c2的厚度為50～200nm。

為了降低抗菌耐磨非晶碳涂層的應力，所述涂層中還含有梯度層c3，梯度層c3中各元素的含量逐漸變化，通過成分與結構的梯度變化消除涂層與基體之間的宏觀界面，從而有效改善涂層與基體之間熱膨脹和晶格的差異性，以降低界面與涂層間的內應力。

在本發明的一個實施方式中，過渡層c3的下底面與所述基底接觸，上底面與所述涂層c1的下底面接觸，所述涂層c1的上底面裸露在外。

在本發明的另一個優選的實施方式中，所述過渡層c2的下底面與所述基底接觸，上底面與所述梯度層c3的下底面接觸，梯度層c3的上底面與所述涂層c1的下底面接觸，所述涂層c1的上底面裸露在外；和/或

優選的，所述梯度層c3包括以下元素：硅元素、銀元素、碳元素和氧元素；

優選的，所述梯度層c3中，硅元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由95％遞減至3％。

優選的，銀元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由20％遞減至2％；

優選的，碳元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至80％；

優選的，氧元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至15％；

優選的，梯度層c3的厚度為50～150nm。

具有上述性質的抗菌耐磨非晶碳涂層均可以實現本發明的目的，對其制備方法無特殊要求，優選的本發明的抗菌耐磨非晶碳涂層按如下方法制備。

本發明還提供一種抗菌耐磨非晶碳涂層的制備方法，包括以下步驟：

(1)對基底進行等離子體清洗，得到基底a1；

(2)涂層沉積：向沉積室中通入碳源氣體和惰性氣體，開啟偏壓電源，以銀硅復合靶t為靶材，在基底a1上濺射沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，得到抗菌耐磨非晶碳涂層。

本發明通過磁控濺射法在基底表面沉積抗菌耐磨涂層，磁控濺射法具有沉積速率高、膜層與基底結合力強，且不受設備本身幾何大小的限制等優點。

本發明對所述基底的種類沒有特別的限定，可以為所屬領域內常規的各種基底，如金屬基底、硅基底、玻璃基底、陶瓷基底、塑料基底或氧化物基底，本發明中采用金屬基底，所述金屬基底可以為不銹鋼金屬基底、鈷基合金、鈦和鈦合金、銀合金、金合金、鎳鉻合金等中的一種。

為了使后續的沉積能夠順利進行，同時也能增加基底與涂層間的結合力，提高產品的品質，延長其使用壽命，在本發明的制備方法中，在對基底進行等離子體清洗前，還對基底進行預處理，以達到除去基底表面油污、銹跡以及灰塵的目的。本發明采用本領域內常規使用的方法對基底進行預處理，具體的，所述預處理的步驟為：將基底用有機溶劑超聲清洗，再除去基底表面的溶劑，進行干燥。

所述干燥的方法可以為高溫烘干或氣體吹干，所述氣體吹干工藝中的氣體可以為氮氣或氬氣。

本發明對超聲清洗所用的有機溶劑沒有特殊的要求，可以為本領域技術人員所公知，如丙酮、乙醇等中的至少一種。

本發明對超聲清洗的時間沒有特殊的要求，只要能夠將基底表面的油污等雜質清理干凈即可，可以根據基底表面的清潔度進行調整，所述超聲清洗的時間可以為本領域技術人員所公知，例如所述清洗時間可以為10～40min。

等離子體清洗是利用高能粒子轟擊基底表面，將預處理后殘留的頑固污漬或氧化皮去除，使得基底表面有較高的潔凈度，提高鍍層與基底之間的結合力，提高后續涂層的沉積質量。根據本發明，在步驟(1)中，所述等離子體清洗的工藝為：將基底置于沉積室中，在惰性氣體存在下，打開偏壓電源，用惰性氣體的等離子體對基底進行濺射清洗，得到基底a1。

在對基底進行等離子體清洗的過程中，磁控濺射條件是影響清洗效果的最主要因素，該條件包括電源的功率、沉積室壓強、對所述基底施加的負偏壓、偏壓占空比以及濺射清洗時間。根據本發明，所述電源的功率為1～50kw范圍內恒功率，優選為5～25kw；所述沉積室的壓強為1～4pa，對所述基底施加的負偏壓為-900～-500v，優選為-800～-600v；所述偏壓占空比為30～80％，優選為40～60％；所述濺射清洗時間為5～50min，優選為10～20min。

本發明中，采用磁控濺射法在基底a1表面沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，磁控濺射條件是影響涂層質量的最主要因素，該條件包括各氣體的流量、復合靶t的參數、沉積室的壓強、基底a1的偏壓、偏壓占空比以及沉積時間。

其中，涂層c1中各元素的原子百分含量取決于復合靶t中銀和硅的暴露面積之比，優選的，所述復合靶t中銀和硅的暴露面積為1：(2～8)；(如1：2，1：3，1：4，1：5，1：6，1：7，1：8或上述數值之間的任意值)，優選為1：(3～6)。

根據本發明，涂層c1中碳元素的含量取決于碳源氣體的含量，碳源氣體的含量取決于碳源氣體的流量，優選的，所述碳源氣體與所述惰性氣體的流量之比為1：(2～10)，(如1：2，1：3，1：4，1:6，1：8，1：10或上述數值之間的任意值)，優選為1：(3～6)。

根據本發明，碳源氣體在磁控濺射過程中提供碳源，本發明中，所述碳源氣體可以為c1～c3的烴類中的至少一種，如c1～c3的烷烴、c1～c3的烯烴和c2～c3的炔烴中的至少一種；優選c1～c2的烴類，如甲烷、乙烷、乙烯、乙炔中的至少一種；更優選為甲烷、乙烷和乙炔中的一種。

根據本發明，在沉積涂層c1的過程中，通入惰性氣體后，所述沉積室的壓強為0.5～4pa，優選為1～2pa。

在沉積涂層c1的過程中，對所述基底a11施加的偏壓為100～200v，偏壓占空比為40～80％。

在沉積涂層c1的過程中，所述銀硅復合靶與所述基底a1的距離為6～11cm，優選為8～10cm。

靶材電流是影響靶材濺射率以及等離子體沉積速率的重要因素，本發明中，在銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1的沉積過程中，所述復合靶t的電流為1～4a，優選為2～3a。

在磁控濺射沉積法制備涂層中，涂層的厚度與沉積時間呈正比，沉積時間越長，則涂層的越厚，優選的，所述沉積時間為40-100min，更優選為60～90min。

在本發明的一個優選的實施方式中，為了提高涂層c1與基底a1之間的結合力，所述涂層包括銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1和過渡層c2，所述過渡層c2的一面與涂層c1的一面接觸。

其中，所述銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1包括以下元素：碳、氧、硅和銀，涂層c1中各元素的原子百分含量為：碳75～80at.％，氧10～15at.％，硅3～8at.％，銀2～7at.％，優選的，所述銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1的厚度為1～3μm。

過渡層能夠提高涂層c1的結合力，過渡層中元素的含量以及涂層的厚度是影響結合力的重要因素，優選的，過渡層c2包括以下元素：硅和銀。更優選的，過渡層c2中各元素的原子百分含量為：硅80～95at.％，銀5～20at.％，優選的，過渡層c2的厚度為50～200nm。

在本發明的一個優選實施方式中，所述抗菌耐磨非晶碳涂層的制備方法，包括以下步驟：

(1)對基底進行等離子體清洗，得到基底a1；

(2)向沉積室中通入惰性氣體，開啟偏壓電源，以銀硅復合靶t1為靶材，在基底a1上濺射沉積過渡層c2，得到復合基底a11；向沉積室中通入碳源氣體和惰性氣體，開啟偏壓電源，以銀硅復合靶t為靶材，在復合基底a11上濺射沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1。

根據本發明，所述過渡層c2中銀和硅的含量比取決于銀硅復合靶t1中銀和硅的暴露面積比，在過渡層c2的沉積過程中，所述銀硅復合靶t1中銀和硅的暴露面積優選為1：(6～15)，(如1：6，1：8，1：10，1：12，1：13，1：15或上述數值之間的任意值)，更優選為1：(8～12)。

在制備過渡層c2的過程中，磁控濺射條件是影響過渡層c2質量的最主要因素，該條件包括惰性氣體的流量、沉積室的壓強、對基底a1施加的負偏壓、偏壓占空比、靶材的電流以及沉積時間。

根據本發明，在制備過渡層c2的過程中，所述惰性氣體的流量為80～240sccm，優選為100～200sccm；通入惰性氣體后，所述沉積室的壓強為2～10pa，優選為4～5pa。

在制備過渡層c2的過程中，對所述基底a1施加的負偏壓為-120～-80v，優選為-100v；偏壓占空比為40～80％，優選為60～70％。

所述銀硅復合靶t1與所述基底a1的距離為3～15cm，優選為5～10cm。

靶材電流是影響靶材濺射率以及等離子體沉積速率的重要因素，優選的，所述銀硅復合靶t1的電流為1～3a，優選為2～3a。

根據本發明，過渡層c2的厚度與沉積時間成正比，本發明中過渡層c2的沉積時間為5～30min，優選為5～15min。

為了降低抗菌耐磨非晶碳涂層的應力，所述涂層中還含有梯度層c3，梯度層c3中各元素的含量逐漸變化，通過成分與結構的梯度變化消除涂層與基體之間的宏觀界面，從而有效改善涂層與基體之間熱膨脹和晶格的差異性，以降低界面與涂層間的內應力。

在本發明的一個實施方式中，所述梯度層c3的下底面與所述基底接觸，上底面與所述涂層c1的下底面接觸，所述涂層c1的上底面裸露在外。

在本發明的另一個優選的實施方式中，所述過渡層c2的下底面與所述基底接觸，上底面與所述梯度層c3的下底面接觸，梯度層c3的上底面與所述涂層c1的下底面接觸，所述涂層c1的上底面裸露在外；和/或

優選的，所述梯度層c3包括以下元素：硅元素、銀元素、碳元素和氧元素；

優選的，所述梯度層c3中，硅元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由95％遞減至3％。

優選的，銀元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由20％遞減至2％；

優選的，碳元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至80％；

優選的，氧元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至15％；

優選的，梯度層c3的厚度為50～150nm。

上述優選實施方式中，其中，在步驟(2)中，所述抗菌耐磨非晶碳涂層沉積包括以下步驟：

(2.1)向沉積室中通入惰性氣體，開啟偏壓電源，以銀硅復合靶t1為靶材，在基底a1上濺射沉積過渡層c2，得到復合基底a11；

(2.2a)向沉積室中通入碳源氣體和惰性氣體，開啟偏壓電源，以銀硅復合靶t為靶材，在基底a11上濺射沉積梯度層c3，得到復合基底a12，其中，在沉積過程中，碳源氣體的流量從0逐漸遞增；

(2.2b)向沉積室中通入碳源氣體和惰性氣體，開啟偏壓電源，以銀硅復合靶t為靶材，在復合基底a12上濺射沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1；

優選的，在步驟(2.1)中，碳源氣體的流量遞增量為2～15sccm/min；和/或

所述梯度層c3的沉積時間為2～20min。

其中梯度層c3的沉積工藝與銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1的沉積工藝相同，本發明在此不再贅述。

本發明中制備得到的抗菌耐磨器件，具有優異的抗菌性、耐磨性和生物相容性。

在本發明的一個實施方式中，所述抗菌耐磨器件可以為醫療器件，該醫療器件可以為外科常用的醫療器件，如剪刀、鑷子、手術鉗、縫合針等；也可以作為置入人體的器件，如人工骨骼、心臟支架、內窺鏡等。

在本發明的另一個實施方式中，所述抗菌耐磨器件也可以應用在日常生活的多個領域中，可以為私人物品，如手機外殼、手表表帶、眼鏡支架。也可以是生活用品，如安裝在廚房、衛浴等陰暗潮濕容易滋生細菌的地方的器具，可以是水龍頭，也可以為人們經常接觸的開關按鈕等器具。

根據本發明提供的制備方法，在上述等離子體濺射清洗、沉積過渡層c2以及制備銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1的過程中，都對基底施加了偏壓電源，這樣可以在濺射的過程中對形成的涂層進行清洗，從而可以提高過渡層c2和基底、過渡層和銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1之間的結合力。

根據本發明提供的制備方法，在上述離子濺射清洗、沉積過渡層以及制備銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層的過程中，首先都是將沉積室內的氣體抽出，使沉積室呈真空狀態，優選的抽真空后所述沉積室內的壓強為1×10^-4～5×10^-3pa(如1×10^-4、3×10^-4、5×10^-4、8×10^-4、1×10^-3、2×10^-3、3×10^-3、5×10^-3或上述數值之間的任意值)。

在沉積室呈真空狀態后，再向沉積室中通入惰性氣體，使濺射清洗以及濺射沉積過程在惰性氣體氛圍中進行，優選的，所述惰性氣體可以為磁控濺射法中常用的惰性氣體，上述過程中使用的惰性氣體可以各自獨立的為氮氣、氬氣、氦氣、氖氣等中的一種，所述惰性氣體的純度優選為99.9％以上，更優選為99.99％以上。為了降低生產成本，提高過渡層c2的純度，本發明中優選氬氣。

以下將通過實施例對本發明進行詳細描述。

類石墨是指主要由碳組成的非晶態材料，但其碳原子主要為sp²雜化。該材料與石墨的原子組成相同，但是其碳原子空間排布無序，故稱類石墨。

本發明中，靶材的暴露面積是指：拼接而成的復合靶材中不同材質的面積比。

本發明中，a銀/a硅為銀硅復合靶t中銀和硅的暴露面積比，其中，a銀為銀硅復合靶t中銀的暴露面積，a硅為銀硅復合靶t中銀和硅的暴露面積。

a銀1/a硅1為銀硅復合靶t1中銀和硅的暴露面積比，其中，a銀1為銀硅復合靶t1中銀的暴露面積，a硅1為銀硅復合靶1t中銀和硅的暴露面積。

實施例1

將醫用不銹鋼(316l)片用無水乙醇和丙酮分別超聲清洗不銹鋼片15min，然后用氮氣吹干，將處理后的不銹鋼片置于真空鍍膜室中，抽真空至壓強為2×10^-3pa，然后通入氬氣至壓強為2pa，打開偏壓電源，用氬(ar)等離子體進行濺射清洗金屬基底15min，得到金屬基底a1，濺射清洗條件為電源功率為10kw，對所述金屬基底施加的負偏壓為-700v，偏壓占空比為50％；

將金屬基底a1置于磁控濺射鍍膜沉積室內，將鍍膜沉積室抽真空至壓強為1×10^-3pa，然后以160sccm的流速向沉積室內通入氬氣，至壓強為4.5pa，開啟偏壓電源，以銀硅復合靶t1為靶材(a銀1/a硅1＝1/10)，在金屬基底a1上濺射沉積過渡層c2，得到復合基底a11，濺射條件為對所述金屬基底a1施加的負偏壓為-100v，偏壓占空比為50％，靶電流為2a，靶材與金屬基底a1距離8cm，沉積時間為10min；

向磁控濺射鍍膜沉積室內通入氬氣(氬氣流量為100sccm)，至鍍膜沉積室內的壓強為2.0pa，然后再通入乙炔氣體，同時開啟偏壓電源，在中頻電場的作用下產生碳等離子體和氬等離子體的混合等離子體，用該混合等離子體濺射銀硅復合靶t(a銀/a硅＝1/5)，在基底a11上濺射沉積梯度層c3，得到復合基底a12，其中，在沉積梯度層c3的過程中，碳源氣體的流量從0以5sccm/min的速率逐漸遞增至25sccm；然后在乙炔流量為25sccm的條件下沉積60min，在復合基底a12上沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，得到抗菌耐磨非晶碳涂層，濺射條件為：對所述復合基底a11施加的偏壓為150v，偏壓占空比為60，濺射電流為2a，銀硅復合靶t與所述復合基底a11的距離為8cm。

本實施例制備的抗菌耐磨非晶碳涂層由厚度為1.5μm的銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1、厚度為100nm的梯度層c3和厚度為100nm的過渡層c2組成。

本實施例制備的抗菌耐磨器件由金屬基底a1和上述抗菌耐磨非晶碳涂層組成，其中，過渡層c2的下底面與金屬基底a1接觸，上底面與梯度層c3的下底面接觸，梯度層c3的上底面與涂層c1的下底面接觸，涂層c1的上底面裸露在抗菌耐磨器件的表面。

其中，涂層c1中各物質的原子百分含量為：碳77.8at.％，氧12.5at.％，硅5.3at.％，銀4.4at.％；

過渡層c2中各物質的原子百分含量為：硅87.9at.％，銀12.1at.％；

梯度層c3中硅元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由87.9％遞減至5.3％；銀元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由12.1％遞減至4.4％；碳元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至77.8％；氧元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至12.5％；

所述涂層c1的拉曼光譜的特征峰為：g峰位于1540cm^-1，d峰位于1350cm^-1；d峰與g峰強度比為1:2.1。

本實施例中抗菌耐磨器件的抗菌性能如圖1所示，本實施例中抗菌耐磨器件在生理鹽水中的摩擦學測試如圖2所示，其磨痕局部三維輪廓圖如圖3所示。

實施例2

將醫用鈦合金(ti-6al-4v合金)片用無水乙醇和丙酮分別超聲清洗不銹鋼片20min，然后用氮氣吹干，將處理后的不銹鋼片置于真空鍍膜室中，抽真空至壓強為1×10^-3pa，然后通入氬氣至壓強為2pa，打開偏壓電源，用氬(ar)等離子體進行濺射清洗金屬基底10min，得到金屬基底a1，濺射清洗條件為電源功率為5kw，對所述金屬基底施加的負偏壓為-800v，偏壓占空比為40％；

將金屬基底a1置于磁控濺射鍍膜沉積室內，將鍍膜沉積室抽真空至壓強為5×10^-3pa，然后以200sccm的流速向沉積室內通入氬氣，至壓強為4pa，開啟偏壓電源，以銀硅復合靶t1為靶材(a銀1/a硅1＝1/8)，在金屬基底a1上濺射沉積過渡層c2，得到復合基底a11，濺射條件為對所述金屬基底a1施加的負偏壓為-100v，偏壓占空比為60％，濺射電流為1a，靶材與金屬基底a1距離5cm，沉積時間為15min；

向磁控濺射鍍膜沉積室內通入乙炔氣體和氬氣(乙炔流速為40sccm，氬氣流量為120sccm)，至鍍膜沉積室內的壓強為1pa，然后開啟偏壓電源，在中頻電場的作用下產生碳等離子體和氬等離子體的混合等離子體，用該混合等離子體濺射銀硅復合靶t(a銀/a硅＝1/6)，在復合基底a11上沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，得到抗菌耐磨非晶碳涂層，濺射條件為對所述復合基底a11施加的偏壓為120v，偏壓占空比為70％，濺射電流為1a，銀硅復合靶t與所述復合基底a11的距離為10cm，沉積時間為50min。

向磁控濺射鍍膜沉積室內通入氬氣(氬氣流量為120sccm)，至鍍膜沉積室內的壓強為1.0pa，然后再通入乙炔氣體，同時開啟偏壓電源，在中頻電場的作用下產生碳等離子體和氬等離子體的混合等離子體，用該混合等離子體濺射銀硅復合靶t(a銀/a硅＝1/6)，在基底a11上濺射沉積梯度層c3，得到復合基底a12，其中，在沉積梯度層c3的過程中，碳源氣體的流量從0以10sccm/min的速率逐漸遞增至40sccm；然后在乙炔流量為40sccm的條件下沉積50min，在復合基底a12上沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，得到抗菌耐磨非晶碳涂層，濺射條件為：濺射條件為對所述復合基底a11施加的偏壓為120v，偏壓占空比為70％，濺射電流為1a，銀硅復合靶t與所述復合基底a11的距離為10cm。

本實施例制備的抗菌耐磨非晶碳涂層由厚度為1.2μm的銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1、厚度為80nm的梯度層c3和厚度為50nm的過渡層c2組成。

本實施例制備的抗菌耐磨器件由金屬基底a1和上述抗菌耐磨非晶碳涂層組成，其中，過渡層c2的下底面與金屬基底a1接觸，上底面與梯度層c3的下底面接觸，梯度層c3的上底面與涂層c1的下底面接觸，涂層c1的上底面裸露在抗菌耐磨器件的表面。

本實施例中，涂層c1中各物質的原子百分含量為：碳76.5at.％，氧11.6at.％，硅7.2at.％，銀4.7at.％；

涂層c2中各物質的原子百分含量為：硅84.5％，銀15.5％；

梯度層c3中硅元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由84.5％遞減至7.2％；銀元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由15.5％遞減至4.7％；碳元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至76.5％；氧元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至11.6％；

所述涂層c1的拉曼光譜的特征峰為：g峰位于1550cm^-1，d峰位于1370cm^-1；d峰與g峰強度比為1:2.6。

實施例3

將co-ni-cr-mo合金(f562)片用無水乙醇和丙酮分別超聲清洗不銹鋼片30min，然后烘干，將處理后的不銹鋼片置于真空鍍膜室中，抽真空至壓強為5×10^-3pa，然后通入氬氣至壓強為3pa，打開偏壓電源，用氬(ar)等離子體進行濺射清洗金屬基底a20min，得到金屬基底a1，濺射清洗條件為電源功率為25kw，對所述金屬基底施加的負偏壓為-600v，偏壓占空比為60％；

將金屬基底a1置于磁控濺射鍍膜沉積室內，將鍍膜沉積室抽真空至壓強為5×10^-4pa，然后以100sccm的流速向沉積室內通入氬氣，至壓強為5pa，開啟偏壓電源，在金屬基底a1上濺射沉積過渡層c2，得到復合基底a11，濺射條件為以銀硅復合靶t1為靶材(a銀1/a硅1＝1/12)，對所述金屬基底a1施加的負偏壓為-120v，偏壓占空比為70％，濺射電流為2a，靶材與金屬基底a1距離10cm，沉積時間為20min；

向磁控濺射鍍膜沉積室內通入乙炔氣體和氬氣(乙炔流速為30sccm，氬氣流量為180sccm)，至鍍膜沉積室內的壓強為2pa，然后開啟偏壓電源，在中頻電場的作用下產生碳等離子體和氬等離子體的混合等離子體，用該混合等離子體濺射銀硅復合靶t(a銀/a硅＝1/3)，在復合基底a11上沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，得到抗菌耐磨非晶碳涂層，濺射條件為對所述復合基底a11施加的偏壓為180v，偏壓占空比為50％，濺射電流為1a，銀硅復合靶t與所述復合基底a11的距離為8cm，沉積時間為75min。

向磁控濺射鍍膜沉積室內通入氬氣(氬氣流量為120sccm)，至鍍膜沉積室內的壓強為1.0pa，然后再通入乙炔氣體，同時開啟偏壓電源，然后開啟偏壓電源，在中頻電場的作用下產生碳等離子體和氬等離子體的混合等離子體，用該混合等離子體濺射銀硅復合靶t(a銀/a硅＝1/3)，在基底a11上濺射沉積梯度層c3，得到復合基底a12，其中，在沉積梯度層c3的過程中，碳源氣體的流量從0以15sccm/min的速率逐漸遞增至30sccm；然后在乙炔流量為30sccm的條件下沉積75min，在復合基底a12上沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，得到抗菌耐磨非晶碳涂層，濺射條件為：濺射條件為對所述復合基底a11施加的偏壓為180v，偏壓占空比為50％，濺射電流為1a，銀硅復合靶t與所述復合基底a11的距離為8cm。

本實施例制備的抗菌耐磨非晶碳涂層由厚度為2μm的銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1、厚度為50nm的梯度層c3和厚度為150nm的過渡層c2組成。

本實施例制備的抗菌耐磨器件由金屬基底a1和上述抗菌耐磨非晶碳涂層組成，其中，過渡層c2的下底面與金屬基底a1接觸，上底面與梯度層c3的下底面接觸，梯度層c3的上底面與涂層c1的下底面接觸，涂層c1的上底面裸露在抗菌耐磨器件的表面。

本實施例中，涂層c1中各物質的原子百分含量為：碳78.3at.％，氧13.8at.％，硅4.6at.％，銀3.3at.％；

涂層c2中各物質的原子百分含量為：硅92.1％，銀7.9％；

梯度層c3中硅元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由92.1％遞減至4.6％；銀元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由7.9％遞減至3.3％；碳元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至78.3％；氧元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至13.8％；

所述涂層c1的拉曼光譜的特征峰為：g峰位于1520cm^-1，d峰位于1320cm^-1；d峰與g峰強度比為1:1.6。

實施例4

將不銹鋼片用無水乙醇和丙酮分別超聲清洗不銹鋼片40min，然后用氬氣吹干，將處理后的不銹鋼片置于真空鍍膜室中，抽真空至壓強為5×10^-4pa，然后通入氬氣至壓強為1pa，打開偏壓電源，用氬(ar)等離子體進行濺射清洗金屬基底50min，得到金屬基底a1，濺射清洗條件為電源功率為50kw，對所述金屬基底施加的負偏壓為-900v，偏壓占空比為80％；

將金屬基底a1置于磁控濺射鍍膜沉積室中，將鍍膜沉積室抽真空至壓強為2×10^-3pa，然后以80sccm的流速向沉積室內通入氬氣，至壓強為2pa，開啟偏壓電源，在金屬基底a1上濺射沉積過渡層c2，得到復合基底a11，濺射條件為以銀硅復合靶t1為靶材(a銀1/a硅1＝1/15)，對所述金屬基底a1施加的負偏壓為-80v，偏壓占空比為40％，濺射電流為3a，靶材與金屬基底a1距離3cm，沉積時間為5min；

向磁控濺射鍍膜沉積室內通入氬氣(氬氣流量為80sccm)，至鍍膜沉積室內的壓強為0.5pa，然后再通入乙炔氣體，同時開啟偏壓電源，在中頻電場的作用下產生碳等離子體和氬等離子體的混合等離子體，用該混合等離子體濺射銀硅復合靶t(a銀/a硅＝1/8)，在基底a11上濺射沉積梯度層c3，得到復合基底a12，其中，在沉積梯度層c3的過程中，碳源氣體的流量從0以2sccm/min的速率逐漸遞增至40sccm；然后在乙炔流量為40sccm的條件下沉積40min，在復合基底a12上沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，得到抗菌耐磨非晶碳涂層，濺射條件為：濺射條件為對所述復合基底a11施加的偏壓為200v，偏壓占空比為80％，濺射電流為4a，銀硅復合靶t與所述復合基底a11的距離為10cm。

本實施例制備的抗菌耐磨非晶碳涂層由厚度為1μm的銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1、厚度為150nm的梯度層c3和厚度為40nm的過渡層c2組成。

本實施例制備的抗菌耐磨器件由金屬基底a1和上述抗菌耐磨非晶碳涂層組成，其中，過渡層c2的下底面與金屬基底a1接觸，上底面與梯度層c3的下底面接觸，梯度層c3的上底面與涂層c1的下底面接觸，涂層c1的上底面裸露在抗菌耐磨器件的表面。

本實施例中，涂層c1中各物質的原子百分含量為：碳75at.％，氧10at.％，硅8at.％，銀7at.％；

涂層c2中各物質的原子百分含量為：硅80％，銀20％；

梯度層c3中硅元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由80％遞減至8％；銀元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由20％遞減至7％；碳元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至75％；氧元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至10％；

所述涂層c1的拉曼光譜的特征峰為：g峰位于1580cm^-1，d峰位于1320cm^-1；d峰與g峰強度比為1:1。

實施例5

將銅片用無水乙醇和丙酮分別超聲清洗不銹鋼片10min，然后用氮氣吹干，將處理后的不銹鋼片置于真空鍍膜室中，抽真空至壓強為1×10^-4pa，然后通入氬氣至壓強為4pa，打開偏壓電源，用氬(ar)等離子體進行濺射清洗銅基底5min，得到銅基底a1，濺射清洗條件為電源功率為1kw，對所述銅基底施加的負偏壓為-500v，偏壓占空比為30％；

將銅基底a1置于磁控濺射鍍膜沉積室內，將鍍膜沉積室抽真空至壓強為1×10^-3pa，然后以240sccm的流速向沉積室內通入氬氣，至壓強為10pa，開啟偏壓電源，在銅基底a1上濺射沉積過渡層c2，得到復合基底a11，濺射條件為以銀硅復合靶t1為靶材(a銀1/a硅1＝1/6)，對所述銅基底a1施加的負偏壓為-80v，偏壓占空比為80％，濺射電流為1a，靶材與銅基底a1距離15cm，沉積時間為30min；

向磁控濺射鍍膜沉積室內通入氬氣(氬氣流量為200sccm)，至鍍膜沉積室內的壓強為1pa，然后再通入乙炔氣體，同時開啟偏壓電源，在中頻電場的作用下產生碳等離子體和氬等離子體的混合等離子體，用該混合等離子體濺射銀硅復合靶t(a銀/a硅＝1/2)，在基底a11上濺射沉積梯度層c3，得到復合基底a12，其中，在沉積梯度層c3的過程中，碳源氣體的流量從0以2sccm/min的速率逐漸遞增至20sccm；然后在乙炔流量為20sccm的條件下沉積100min，在復合基底a12上沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，得到抗菌耐磨非晶碳涂層，濺射條件為：濺射條件為對所述復合基底a11施加的偏壓為180v，偏壓占空比為40％，濺射電流為4a，銀硅復合靶t與所述復合基底a11的距離為8cm。

本實施例制備的抗菌耐磨非晶碳涂層由厚度為3μm的銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1、厚度為120nm的梯度層c3和厚度為200nm的過渡層c2組成。

本實施例制備的抗菌耐磨器件由金屬基底a1和上述抗菌耐磨非晶碳涂層組成，其中，過渡層c2的下底面與金屬基底a1接觸，上底面與梯度層c3的下底面接觸，梯度層c3的上底面與涂層c1的下底面接觸，涂層c1的上底面裸露在抗菌耐磨器件的表面。

本實施例中，涂層c1中各物質的原子百分含量為：碳80at.％，氧15at.％，硅3at.％，銀2at.％；

涂層c2中各物質的原子百分含量為：硅94.3％，銀5.7％；

梯度層c3中硅元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由94.3％遞減至5.7％；銀元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由5.7％遞減至2％；碳元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至80％；氧元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至15％；

所述涂層c1的拉曼光譜的特征峰為：g峰位于1500cm^-1，d峰位于1300cm^-1；d峰與g峰強度比為1:3。

實施例6

按照實施例1的方法，不同的是，在制備金屬器材的過程中，不制備過渡層，首先在金屬基底上沉積梯度層c3，再沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1。

本實施例制備的抗菌耐磨器件由金屬基底a1、梯度層c3和抗菌耐磨非晶碳涂層c1組成，所述梯度層c3的下底面與所述基底接觸，上底面與涂層c1的下底面接觸，所述涂層c1的上底面裸露在外。

實施例7

按照實施例1的方法，不同的是，在制備金屬器材的過程中，不制備梯度層，首先在金屬基底上過渡層c2，再沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1。

本實施例制備的抗菌耐磨器件由金屬基底a1、過渡層c2和抗菌耐磨非晶碳涂層c1組成，所述過渡層c2的下底面與所述基底接觸，上底面與涂層c1的下底面接觸，所述涂層c1的上底面裸露在外。

實施例8

按照實施例1的方法，不同的是，在制備金屬器材的過程中，不制備過渡層和梯度層，直接在金屬基底上沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1。

本實施例制備的抗菌耐磨非晶碳涂層為厚度為1.5μm的銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1。

本實施例制備的抗菌耐磨器件由金屬基底a1和上述抗菌耐磨非晶碳涂層組成，涂層c1裸露在抗菌耐磨器件a1的表面。

對比例1

按照實施例1的方法，不同的是，所述類石墨非晶碳涂層中不含銀和硅，具體步驟如下：

對醫用不銹鋼(316l)片進行預處理和等離子體清洗，得到金屬基底a1，金屬基底的預處理步驟和等離子體清洗步驟，同實施例1。

向磁控濺射鍍膜沉積室內通入乙炔氣體和氬氣(乙炔流速為25sccm，氬氣流量為100sccm)，至鍍膜沉積室內的壓強為2.0pa，然后開啟偏壓電源，在中頻電場的作用下產生碳等離子體和氬等離子體的混合等離子體，用該混合等離子體濺射石墨靶，在復合基底a11上沉積類石墨非晶碳涂層，濺射條件為對金屬基底施加的偏壓為150v，偏壓占空比為60％，濺射電流為2a，石墨靶與所述復合基底a11的距離為8cm，沉積時間為60min。

本對比例制備的抗菌耐磨器件由金屬基底a1、厚度為1.5μm的類石墨非晶碳涂層c1組成，涂層c1裸露在抗菌耐磨器件a1的表面。

對比例2

按照實施例1的方法，不同的是，所述銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層中不含銀，在沉積過渡層時，陰極靶為硅靶，其中硅靶中硅的純度為99.99％。

對醫用不銹鋼(316l)片進行預處理和等離子體清洗，得到金屬基底a1，金屬基底的預處理步驟和等離子體清洗步驟，同實施例1。

將金屬基底a1置于磁控濺射鍍膜沉積室內，將鍍膜沉積室抽真空至壓強為1×10^-3pa，然后以160sccm的流速向沉積室內通入氬氣，至壓強為4.5pa，開啟偏壓電源，在金屬基底a1上濺射沉積過渡層c2，得到復合基底a11，濺射條件為以硅靶為靶材，對所述金屬基底a1施加的負偏壓為-100v，偏壓占空比為50％，濺射電流為2a，靶材與金屬基底距離8cm，沉積時間為10min；

向磁控濺射鍍膜沉積室內通入氬氣(氬氣流量為100sccm)，至鍍膜沉積室內的壓強為2.0pa，然后再通入乙炔氣體，同時開啟偏壓電源，在中頻電場的作用下產生碳等離子體和氬等離子體的混合等離子體，用該混合等離子體濺射硅靶，在基底a11上濺射沉積梯度層c3，得到復合基底a12，其中，在沉積梯度層c3的過程中，碳源氣體的流量從0以5sccm/min的速率逐漸遞增至25sccm；然后在乙炔流量為25sccm的條件下沉積60min，在復合基底a12上沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，得到抗菌耐磨非晶碳涂層，濺射條件為：對所述復合基底a11施加的偏壓為150v，偏壓占空比為60，濺射電流為2a，銀硅復合靶t與所述復合基底a11的距離為8cm。

本對比例制備的抗菌耐磨器件由金屬基底a1、厚度為1.3μm的硅摻雜類石墨非晶碳涂層c1、厚度為100nm的梯度層c3和厚度為100nm的過渡層c2組成，過渡層c2的下底面與金屬基底a1接觸，上底面與梯度層c3的下底面接觸，梯度層c3的上底面與涂層c1的下底面接觸，涂層c1的上底面裸露在抗菌耐磨器件的表面。

其中，涂層c1中各物質的原子百分含量為：碳77.6at.％，氧12.6at.％，硅9.8at.％；

過渡層c2中各物質的原子百分含量為：硅100at.％；

梯度層c3中硅元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由100％遞減至9.8％；碳元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至77.6％；氧元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至12.6％。

對比例3

按照實施例1的方法，不同的是，所述類石墨非晶碳涂層中不含硅，在沉積過渡層時，陰極靶為銀靶，其中銀靶中銀的純度為99.99％。

對醫用不銹鋼(316l)片進行預處理和等離子體清洗，得到金屬基底a1，金屬基底的預處理步驟和等離子體清洗步驟，同實施例1。

將金屬基底a1置于磁控濺射鍍膜沉積室內，將鍍膜沉積室抽真空至壓強為1×10^-3pa，然后以160sccm的流速向沉積室內通入氬氣，至壓強為4.5pa，開啟偏壓電源，以銀靶為靶材，在金屬基底a1上濺射沉積過渡層c2，得到復合基底a11，濺射條件為對所述金屬基底a1施加的負偏壓為-100v，偏壓占空比為50％，濺射電流為2a，靶材與金屬基底距離8cm，沉積時間為10min；

向磁控濺射鍍膜沉積室內通入氬氣(氬氣流量為100sccm)，至鍍膜沉積室內的壓強為2.0pa，然后再通入乙炔氣體，同時開啟偏壓電源，在中頻電場的作用下產生碳等離子體和氬等離子體的混合等離子體，用該混合等離子體濺射銀靶，在基底a11上濺射沉積梯度層c3，得到復合基底a12，其中，在沉積梯度層c3的過程中，碳源氣體的流量從0以5sccm/min的速率逐漸遞增至25sccm；然后在乙炔流量為25sccm的條件下沉積60min，在復合基底a12上沉積銀硅共摻雜類石墨非晶碳涂層c1，得到抗菌耐磨非晶碳涂層，濺射條件為：對所述復合基底a11施加的偏壓為150v，偏壓占空比為60，濺射電流為2a，銀硅復合靶t與所述復合基底a11的距離為8cm。

本對比例制備的抗菌耐磨器件由金屬基底a1、厚度為1.5μm的硅摻雜類石墨非晶碳涂層c1、厚度為100nm的梯度層c3和厚度為90nm的過渡層c2組成，過渡層c2的下底面與金屬基底a1接觸，上底面與梯度層c3的下底面接觸，梯度層c3的上底面與涂層c1的下底面接觸，涂層c1的上底面裸露在抗菌耐磨器件的表面。

其中，涂層c1中各物質的原子百分含量為：碳77.4at.％，氧13.3at.％，銀9.3at.％；

過渡層c2中各物質的原子百分含量為：銀100at.％；

梯度層c3中銀元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由100％遞減至9.3％；碳元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至77.4％；氧元素的含量從梯度層c3的下底面到梯度層的上底面由0遞增至13.3％。

1、抗菌測試：

采用平板計數對樣品進行抗菌性能測試。

將樣品用丙酮、乙醇清洗后，用75％乙醇浸泡2h以殺死樣品表面的細菌，置于培養皿中于超凈臺中自然風干。然后在每個樣品表面滴加200μl菌液(10⁵cfu/ml)，用滅菌的封口膜覆蓋后于37℃培養箱中培養24h。用20ml滅菌的含有0.3％吐溫-80的生理鹽水徹底清洗表面得到菌液，并將菌液稀釋10倍和100倍，分別取未稀釋、稀釋10倍、稀釋100倍菌液0.2ml均勻涂覆在固體培養基上，37℃培養分別培養24h，7d和30d，計算樣品的抗菌率，實驗結果如表1所示。

抗菌率的計算公式為：

抗菌率＝(n對照-n實驗)/n對照×100％

其中，n對照為空白對照組菌落數，n實驗為實驗組菌落數；

本實驗中實驗組為實施例1～6和對比例1～3中的抗菌耐磨器件為實驗組，對照組為316l不銹鋼基底，實驗結果如表1所示。

2、血液相容性評價：

采用動態凝血時間評價內源性凝血因子被激活的程度,以觀察材料對凝血時間的影響。步驟如下：

(1)將材料置于表面皿中，將0.5ml經acd抗凝的新鮮人血涂于材料表面，再用微量移液器加20μl0.2m的cacl2溶液并迅速混勻；

(2)于20min取出材料膜片(每組設三個平行樣本)，用100ml蒸餾水緩緩流過材料表面，將流液收集在燒杯里；

(3)用721分光光度計在540nm波長下測定不同接觸時間實驗所得流液的吸光度值(o.d值)，實驗結果如表1所示。

3、結合力測試

本發明采用壓坑法在100kg負荷下評價抗菌耐磨器件中涂層與基底的縱向結合力，采用劃痕法評價抗菌耐磨器件中涂層與基底的橫向結合力，實驗結果如表2所示。

4、應力測試

根據專利cn103630277b提供的“薄膜應力測試方法”檢測薄膜應力，實驗結果如表2所示。

5、摩擦學測試

采用umt-2mt摩擦儀(美國cetr公司)對涂層進行摩擦學測試，將樣品與si3n4球(直接6～10mm)在生理鹽水溶液中對磨，滑動速度為0.1m/s，法向載荷為5n，測試結果如表2和圖2～3所示。

表1：實施例1～6及對比例1～3中各抗菌耐磨器件的抗菌性能和血液相容性性能表

表2實施例1～6及對比例1～3中各抗菌耐磨器件的力學性能表

以上詳細描述了本發明的優選實施方式，但是，本發明并不限于上述實施方式中的具體細節，在本發明的技術構思范圍內，可以對本發明的技術方案進行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本發明的保護范圍。

另外需要說明的是，在上述具體實施方式中所描述的各個具體技術特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進行組合。為了避免不必要的重復，本發明對各種可能的組合方式不再另行說明。

此外，本發明的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合，只要其不違背本發明的思想，其同樣應當視為本發明所公開的內容。