本技術(shù)涉及晶圓鍍膜，具體涉及一種鍍al層的晶圓pad層結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體集成電路是將很多元件集成到一個(gè)芯片內(nèi),以處理和儲(chǔ)存各種功能的電子部件。由于半導(dǎo)體集成電路是通過(guò)在晶圓的薄基板上制造多個(gè)相同電路而產(chǎn)生的,因此晶圓是半導(dǎo)體的基礎(chǔ),就像制作披薩時(shí)添加配料之前先做面團(tuán)一樣。半導(dǎo)體集成電路是將許多元件集成到一個(gè)芯片中以處理和存儲(chǔ)各種功能的電子組件。

2、晶圓是指將硅(si)、砷化鎵(gaas)等生成的單晶柱切成薄片的圓盤。大部分晶圓都是由沙子中提取的硅制成的。目前晶圓鍍膜的m2(pad)層材料性能不穩(wěn)定，成本價(jià)格太高。在實(shí)際應(yīng)用的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)成膜結(jié)束后al材料的本身應(yīng)力、粗糙度，反射值等重要性能指標(biāo)都會(huì)發(fā)生不可控的變化形態(tài)。不同形態(tài)下的al層對(duì)封裝的質(zhì)量影響都是不同的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本實(shí)用新型提供一種鍍al層的晶圓pad層結(jié)構(gòu)。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種鍍al層的晶圓pad層結(jié)構(gòu)，其包括pad層和al層，所述pad層包括基板層和金屬層，所述金屬層包括鈦層，所述金屬層表面鍍有al層，所述al層包括第一含al層和第三含al層，所述第一含al層的材料選自鋁和/或銅，所述第一含al層與晶圓pad層材料的基層連接，所述第三含al層的材料選自鋁，所述第一含al層的硬度大于等于100g/cm2，所述第三含al層的硬度小于等于50g/cm2，所述第一含al層、第三含al層的厚度比為1:1。

3、優(yōu)選的，在所述第一含al層和所述第三含鋁層之間外還設(shè)置第二含al層，所述第二含al層的材料選自鋁，所述第二含al層的硬度為60-80g/cm2。

4、優(yōu)選的，所述第一含al層、第二含al層和含第三al層的厚度比為2:1:2。

5、優(yōu)選的，al層結(jié)構(gòu)的厚度為1600nm-2800nm。

6、優(yōu)選的，所述第一含al層的材料選自鋁銅合金、純鋁、純銅的一種或幾種。

7、本實(shí)用新型的有益效果如下：

8、本實(shí)用新型al層按照以上的分層鍍膜，后續(xù)進(jìn)行封裝時(shí)，植球可以做到?jīng)]有溢鋁，imc的共晶性也不會(huì)發(fā)生問(wèn)題，可靠性(脫膜、高溫)這些問(wèn)題都能得到解決，降低了鍍膜成本，解決了封裝植球倒裝后面的imc不良的問(wèn)題，將成膜后al層關(guān)鍵性能提升。

技術(shù)特征：

1.一種鍍al層的晶圓pad層結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括pad層和al層，所述pad層包括基板層和金屬層，所述金屬層包括鈦層，所述金屬層表面鍍有al層，所述al層包括第一含al層和第三含al層，所述第一含al層的材料選自鋁和/或銅，所述第一含al層與晶圓pad層材料的基層連接，所述第三含al層的材料選自鋁，所述第一含al層的硬度大于等于100g/cm2，所述第三含al層的硬度小于等于50g/cm2，所述第一含al層、第三含al層的厚度比為1:1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍al層的晶圓pad層結(jié)構(gòu)，其特征在于：在所述第一含al層和所述第三含al層之間外還設(shè)置第二含al層，所述第二含al層的材料選自鋁，所述第二含al層的硬度為60-80g/cm2。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍al層的晶圓pad層結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一含al層、第二含al層和含第三al含層的厚度比為2:1:2。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍al層的晶圓pad層結(jié)構(gòu)，其特征在于：al層結(jié)構(gòu)的厚度為1600nm-2800nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍al層的晶圓pad層結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一含al層的材料選自鋁銅合金、純鋁、純銅的一種或幾種。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種鍍AL層的晶圓PAD層結(jié)構(gòu)，其包括PAD層和AL層，所述PAD層包括基板層和金屬層，所述金屬層包括鈦層，所述金屬層表面鍍有AL層，所述AL層包括第一含AL層和第三含AL層，所述第一含AL層的材料選自鋁和/或銅，所述第一含AL層與晶圓PAD層材料的基層連接，所述第三含AL層的材料選自鋁，所述第一含AL層的硬度大于等于100g/cm<supgt;2</supgt;，所述第三含AL層的硬度小于等于50g/cm<supgt;2</supgt;，所述第一含AL層、第三含AL層的厚度比為1:1。AL層按照以上的分層鍍膜，后續(xù)進(jìn)行封裝時(shí)，植球可以做到?jīng)]有溢鋁，IMC的共晶性也不會(huì)發(fā)生問(wèn)題，可靠性(脫膜、高溫)這些問(wèn)題都能得到解決。

技術(shù)研發(fā)人員：姜美榮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：杭州美迪凱光電科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240628
技術(shù)公布日：2025/4/28