本發明涉及磁控濺射，尤其涉及一種提高磁控濺射靶材利用率的方法。

背景技術：

1、磁性和mo記錄介質運用廣泛，特別是用于計算機工業中。在計算機相關應用中使用的磁盤形式磁性介質，通常包括非磁性金屬襯底，鋁鎂(al-mg)等鋁(al)基合金，其具有至少一個主表面，在該表面上依次沉積包括構成介質的多個薄膜層的層堆疊。這樣的層可以從襯底表面依次包括電鍍層，電鍍層一般包括：非晶鎳磷(nip)的電鍍層、多晶底層、鉻(cr)或cr基合金的電鍍層、磁性層、鈷(co)基合金的電鍍層，以及保護性外涂層，通常是碳(c)或摻有氫(h)、氮(n)和氟(f)中的至少一種的碳。

2、根據傳統的制造方法中，大多數層通過陰極濺射沉積。類似的情況存在于磁光(mo)介質的制造中，其中包括多個薄膜層的層堆疊，例如具有反射特性或熱磁特性的合金層(例如tbfeco等)，用于作為寫入、寫入輔助和讀出層，被順序濺射沉積在合適的襯底表面上。

3、濺射沉積之前需要對襯底即濺射靶表面進行侵蝕，形成侵蝕軌跡，傳統方式一般對濺射靶的單面進行侵蝕，進行雙面侵蝕時，可能由于重疊的侵蝕軌導致濺射靶被穿透，使得濺射靶失效，為了提高濺射靶的利用率，特別是含貴金屬靶的利用率，有必要提高磁控濺射靶材利用率的方法。

技術實現思路

1、本發明的目的是為了解決現有技術中存在的缺點，而提出的一種提高磁控濺射靶材利用率的方法。

2、為了實現上述目的，本發明采用了如下技術方案：

3、一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，包括以下步驟：

4、步驟1、采用磁增強濺射設備，對濺射靶第一表面進行濺射，并將濺射靶第二表面與所述磁增強濺射設備的陰極電接觸；

5、步驟2、當濺射靶第一表面上的第一侵蝕軌跡到達預定深度時，從所述磁增強濺射設備中取出所述濺射靶；

6、步驟3、將所述濺射靶翻轉后安裝在所述磁增強濺射設備中，使得所述第二表面為濺射表面，所述第一表面為相對表面，第一表面通過背板與磁增強濺射設備的陰極電接觸，通過背板改變磁通量通過所述濺射靶的通道，在第二表面指定區域濺射形成第二侵蝕軌跡；

7、步驟4、通過磁增強濺射設備在濺射靶的第二表面形成橫向偏移的第二侵蝕軌跡并達到預定深度。

8、優選的，所述背板由至少一種能夠在濺射靶第二表面進行濺射期間在其中形成與所述濺射靶第一侵蝕軌跡橫向偏移的第二侵蝕軌跡的材料組成，且背板上設置有與第一侵蝕軌跡端部接觸的環狀的凸起部，通過該凸起部將磁場導向第二侵蝕軌跡。

9、優選的，所述濺射靶由用于形成磁性或磁光記錄介質的薄膜層的材料組成，所述材料選自非磁性金屬單質、非磁性合金、磁性金屬單質、磁性合金、電介質、熱磁性合金、碳、碳化合物中的一種。

10、優選的，所述背板由改變磁通量通過所述濺射靶的通道的材料組成。

11、優選的，所述背板由cr或cocr合金組成。

12、優選的，所述背板的厚度為0.3cm-3.5cm。

13、優選的，所述凸起部上與曲面相對的豎直端面上設置有第一屏蔽層。

14、優選的，所述背板的上端面設置有第二屏蔽層，所述第二屏蔽層與第一屏蔽層相連接。

15、優選的，當第二侵蝕軌跡位于凸起部內部時，第二屏蔽層位于凸起部外側。

16、優選的，當第二侵蝕軌跡位于凸起部外部時，第二屏蔽層位于凸起部內部。

17、本發明的有益效果是：

18、1、相對于傳統的濺射方法，本發明提出的濺射方法，在濺射靶的濺射靶第一表面濺射完畢后，將濺射靶翻轉，改變磁通量后，再對濺射靶第二表面進行濺射，相對于傳統的單面濺射，有效的提高了濺射靶的利用率。

19、2、背板上的凸起部與第一屏蔽層以及第二屏蔽層相配合，能夠將磁通量通過濺射靶的通道，從而使得在濺射靶的指定區域形成第二侵蝕軌跡，另一方面，凸起部能夠減少濺射靶的位移，提高濺射過程中，濺射靶的穩定性。

20、3、本發明有利地提供了用于獲得在磁輔助濺射中使用的濺射靶的顯著增加的利用率和壽命的方法論和設備，從而實現顯著降低成本和減少頻繁靶更換所需的設備停機時間。當濺射靶由昂貴材料組成時，本發明的方法和設備特別適用。

技術特征：

1.一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據權利要求1所述的一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，其特征在于，所述背板由至少一種能夠在濺射靶第二表面進行濺射期間在其中形成與所述濺射靶第一侵蝕軌跡橫向偏移的第二侵蝕軌跡的材料組成，且背板上設置有與第一侵蝕軌跡端部接觸的環狀的凸起部，通過該凸起部將磁場導向第二侵蝕軌跡。

3.根據權利要求1所述的一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，其特征在于，所述濺射靶由用于形成磁性或磁光記錄介質的薄膜層的材料組成，所述材料選自非磁性金屬單質、非磁性合金、磁性金屬單質、磁性合金、電介質、熱磁性合金、碳、碳化合物中的一種。

4.根據權利要求1所述的一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，其特征在于，所述背板由改變磁通量通過所述濺射靶的通道的材料組成。

5.根據權利要求3所述的一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，其特征在于，所述背板由cr或cocr合金組成。

6.根據權利要求3所述的一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，其特征在于，所述背板的厚度為0.3cm-3.5cm。

7.根據權利要求1-6任一所述的一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，其特征在于，所述凸起部上與曲面相對的豎直端面上設置有第一屏蔽層。

8.根據權利要求7所述的一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，其特征在于，所述背板的上端面設置有第二屏蔽層，所述第二屏蔽層與第一屏蔽層相連接。

9.根據權利要求8所述的一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，其特征在于，當第二侵蝕軌跡位于凸起部內部時，第二屏蔽層位于凸起部外側。

10.根據權利要求8所述的一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，其特征在于，當第二侵蝕軌跡位于凸起部外部時，第二屏蔽層位于凸起部內部。

技術總結
本發明涉及磁控濺射技術領域，尤其涉及一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，一種提高磁控濺射靶材利用率的方法，包括以下步驟：步驟1、采用磁增強濺射設備，對濺射靶第一表面進行濺射；步驟2、從所述磁增強濺射設備中取出所述濺射靶；步驟3、將所述濺射靶翻轉后安裝在所述磁增強濺射設備中，在第二表面指定區域濺射形成第二侵蝕軌跡；步驟4、通過磁增強濺射設備在濺射靶的第二表面形成橫向偏移的第二侵蝕軌跡并達到預定深度，相對于傳統的濺射方法，本發明提出的濺射方法，在濺射靶的濺射靶第一表面濺射完畢后，將濺射靶翻轉，改變磁通量后，再對濺射靶第二表面進行濺射，相對于傳統的單面濺射，有效的提高了濺射靶的利用率。

技術研發人員：毛思寧,程遠達,程其兵,陳簫簫
受保護的技術使用者：亞芯半導體材料（江蘇）有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24