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一種倒角設(shè)備和方法與流程

文檔序號:41773061發(fā)布日期:2025-04-29 18:44閱讀:4來源:國知局
一種倒角設(shè)備和方法與流程

本申請涉及晶圓加工領(lǐng)域,尤其是涉及一種倒角設(shè)備和方法。


背景技術(shù):

1、晶圓倒角設(shè)備是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵設(shè)備,用于對晶圓邊緣進行精確倒角處理。倒角工藝旨在去除晶圓邊緣的毛刺和損傷,以提高晶圓的機械強度和后續(xù)加工的良品率。

2、現(xiàn)有技術(shù)中,經(jīng)過倒角后的晶圓表面存在較多碎屑,碎屑會造成晶圓劃傷,需要對晶圓進行清洗,然而晶圓難以清洗潔凈,從而降低晶圓品質(zhì)。

3、因此,現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)問題在于:倒角后的晶圓難以清洗潔。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N倒角設(shè)備和方法,通過設(shè)置清洗機構(gòu)對晶圓進行清洗,達到提高晶圓清洗潔凈程度的技術(shù)效果。

2、一方面,本申請?zhí)峁┑囊环N倒角設(shè)備,采用如下的技術(shù)方案:

3、一種倒角設(shè)備,包括:倒角機構(gòu),所述倒角機構(gòu)用于對晶圓進行倒角;清洗機構(gòu),所述清洗機構(gòu)用于對晶圓進行清洗,所述清洗機構(gòu)包括:殼體,所述殼體的內(nèi)部具有清洗腔,晶圓位于所述清洗腔內(nèi)進行清洗;載體,所述載體設(shè)置于所述清洗腔的內(nèi)部,所述載體具有承載面,所述承載面具有吸附功能,所述承載面用于吸附并承載晶圓;所述載體具有繞軸自轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)動自由度以帶動晶圓旋轉(zhuǎn);以及噴淋組件,所述噴淋組件設(shè)置于所述清洗腔的內(nèi)部,所述噴淋組件用于對晶圓噴淋清洗;轉(zhuǎn)移機構(gòu),所述轉(zhuǎn)移機構(gòu)設(shè)置于所述倒角機構(gòu)和所述清洗機構(gòu)之間,所述轉(zhuǎn)移機構(gòu)用于由所述倒角機構(gòu)向所述清洗機構(gòu)轉(zhuǎn)移晶圓;以及紅外機構(gòu),所述紅外機構(gòu)設(shè)置于所述清洗機構(gòu)的上方,所述紅外機構(gòu)用于獲取所述清洗機構(gòu)內(nèi)的晶圓表面的溫度分布成像以檢測晶圓清洗潔凈情況。

4、作為優(yōu)選,所述噴淋組件包括:第一噴淋件,所述第一噴淋件設(shè)置于所述清洗腔的內(nèi)部,所述第一噴淋件位于所述承載面的上方,且所述第一噴淋件傾斜向下設(shè)置,所述第一噴淋件用于對晶圓的上表面噴淋清洗;第二噴淋件,所述第二噴淋件設(shè)置于所述清洗腔的內(nèi)部,所述第二噴淋件位于所述承載面的下方,且所述第二噴淋件傾斜向上設(shè)置,所述第二噴淋件用于對晶圓的下表面噴淋清洗。

5、作為優(yōu)選,所述載體包括:載體座,所述載體座設(shè)置于所述清洗腔的內(nèi)部,所述載體座具有繞軸自轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)動自由度;子載體,所述子載體具有兩個,兩個所述子載體連接于所述載體座上,且兩個所述子載體的頂部均設(shè)置有用于吸附和承載晶圓的承載面。

6、作為優(yōu)選,兩個所述子載體相對獨立且并列設(shè)置,兩個所述子載體關(guān)于所述載體座的旋轉(zhuǎn)中心呈中心對稱。

7、作為優(yōu)選,所述子載體活動連接于所述載體座上,以使得所述子載體至少具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài):在第一狀態(tài)下,所述子載體與晶圓接觸并吸附;在第二狀態(tài)下,所述子載體與晶圓分離,使得兩個所述子載體可同時或交替吸附晶圓。

8、作為優(yōu)選,所述子載體沿豎直方向滑移連接于所述載體座上,所述載體還包括驅(qū)動件,所述驅(qū)動件連接于所述子載體與所述載體座之間,所述驅(qū)動件用于驅(qū)動所述子載體在豎直方向上移動。

9、作為優(yōu)選,所述子載體的頂部側(cè)邊設(shè)置有吸附口,所述吸附口與所述承載面的負壓路徑連通;所述載體還包括:阻擋件,所述阻擋件連接于所述子載體上并與相鄰所述子載體的吸附口配合,使阻擋件可隨所述子載體升降并形成有第一工位和第二工位:在第一工位上,所述子載體處于第一狀態(tài),所述阻擋件覆蓋于相鄰所述子載體上的吸附口,使相鄰所述子載體上的吸附口封閉;在第二工位上,所述子載體處于第二狀態(tài),所述阻擋件脫離于相鄰所述子載體上的吸附口,使相鄰所述子載體上的吸附口開啟。

10、作為優(yōu)選,所述阻擋件包括:連接部,所述連接部連接于所述子載體;覆蓋部,所述覆蓋部連接于所述連接部,且所述覆蓋部用于與相鄰所述子載體的吸附口配合。

11、作為優(yōu)選,兩個所述子載體均具有接觸面,兩個所述接觸面相互接觸,所述接觸面的頂部設(shè)置有吸附口,所述吸附口與所述承載面的負壓路徑連通;使得所述子載體在第一狀態(tài)下,所述接觸面封堵相鄰所述子載體的吸附口;所述子載體在第二狀態(tài)下,所述接觸面脫離于相鄰所述子載體的吸附口。

12、另一方面,本申請?zhí)峁┑囊环N倒角方法,采用如下的技術(shù)方案:

13、一種倒角方法,應(yīng)用于所述的倒角設(shè)備,使晶圓通過倒角設(shè)備進行倒角;使晶圓通過清洗機構(gòu)清洗;使晶圓通過紅外機構(gòu)獲取晶圓表面的溫度分布成像以檢測晶圓清洗潔凈情況。

14、綜上所述,本申請包括以下至少一種有益技術(shù)效果:

15、本申請?zhí)岢龅牡菇窃O(shè)備具備清洗機構(gòu)和紅外機構(gòu),清洗機構(gòu)可對晶圓全面清洗,減少晶圓表面碎屑殘留的可能,提高晶圓潔凈度;清洗結(jié)束后可通過紅外機構(gòu)獲取晶圓表面溫度成像,基于溫度分布成像以檢測晶圓清洗潔凈情況,實現(xiàn)非接觸式潔凈度檢測,提升工藝可靠性,提高晶圓清洗潔凈程度。



技術(shù)特征:

1.一種倒角設(shè)備,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種倒角設(shè)備,其特征在于,所述噴淋組件(230)包括:

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種倒角設(shè)備,其特征在于,所述載體(220)包括:

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種倒角設(shè)備,其特征在于,

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種倒角設(shè)備,其特征在于,所述子載體(223)活動連接于所述載體座(222)上,以使得所述子載體(223)至少具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài):在第一狀態(tài)下,所述子載體(223)與晶圓(w)接觸并吸附;在第二狀態(tài)下,所述子載體(223)與晶圓(w)分離,使得兩個所述子載體(223)可同時或交替吸附晶圓(w)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種倒角設(shè)備,其特征在于,所述子載體(223)沿豎直方向滑移連接于所述載體座(222)上,所述載體(220)還包括驅(qū)動件,所述驅(qū)動件連接于所述子載體(223)與所述載體座(222)之間,所述驅(qū)動件用于驅(qū)動所述子載體(223)在豎直方向上移動。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種倒角設(shè)備,其特征在于,所述子載體(223)的頂部側(cè)邊設(shè)置有吸附口(2231),所述吸附口(2231)與所述承載面(221)的負壓路徑連通;所述載體(220)還包括:

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種倒角設(shè)備,其特征在于,所述阻擋件(224)包括:

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種倒角設(shè)備,其特征在于,兩個所述子載體(223)均具有接觸面(2232),兩個所述接觸面(2232)相互接觸,所述接觸面(2232)的頂部設(shè)置有吸附口(2231),所述吸附口(2231)與所述承載面(221)的負壓路徑連通;使得所述子載體(223)在第一狀態(tài)下,所述接觸面(2232)封堵相鄰所述子載體(223)的吸附口(2231);所述子載體(223)在第二狀態(tài)下,所述接觸面(2232)脫離于相鄰所述子載體(223)的吸附口(2231)。

10.一種倒角方法,其特征在于,應(yīng)用于如權(quán)利要求1-9任意一項所述的倒角設(shè)備,


技術(shù)總結(jié)
本申請涉及晶圓加工領(lǐng)域,尤其是涉及一種倒角設(shè)備和方法,包括:倒角機構(gòu),所述倒角機構(gòu)用于對晶圓進行倒角;清洗機構(gòu),所述清洗機構(gòu)用于對晶圓進行清洗;轉(zhuǎn)移機構(gòu),所述轉(zhuǎn)移機構(gòu)設(shè)置于所述倒角機構(gòu)和所述清洗機構(gòu)之間,所述轉(zhuǎn)移機構(gòu)用于由所述倒角機構(gòu)向所述清洗機構(gòu)轉(zhuǎn)移晶圓;以及紅外機構(gòu),所述紅外機構(gòu)設(shè)置于所述清洗機構(gòu)的上方,所述紅外機構(gòu)用于獲取所述清洗機構(gòu)內(nèi)的晶圓表面的溫度分布成像以檢測晶圓清洗潔凈情況。通過設(shè)置清洗機構(gòu)對晶圓進行清洗,達到提高晶圓清洗潔凈程度的技術(shù)效果。

技術(shù)研發(fā)人員:朱亮,李陽健,趙志鵬,先澤文,郭星來
受保護的技術(shù)使用者:浙江求是半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/4/28
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