1.一種制備無應(yīng)力InN納米線的方法，其特征是利用CVD設(shè)備升華法生長InN納米線；襯底采用藍(lán)寶石、硅或石英玻璃、GaN/藍(lán)寶石(硅)，襯底清洗后，先覆蓋單層或多層石墨烯薄膜；將覆有石墨烯薄膜的襯底表面沉積Au，放入CVD管式爐生長系統(tǒng)中，開始InN納米線生長；常壓，生長溫度：500–800℃；高純N2作為載氣先吹掃管式爐去除空氣等，然后持續(xù)通氣保護(hù)InN納米線外延，生長期間總N2載氣流量0-5slm；In源采用常規(guī)的高純金屬銦升華銦蒸汽和高純氨氣NH3反應(yīng)生成InN。高純氨氣作為氮源，NH3流量：100–2000sccm；生長時(shí)間30-150分鐘。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用升華法生長InN納米線，其特征是，采用常壓升華法，金屬In作為銦源，銦升華和NH3反應(yīng)，超過銦熔點(diǎn)溫度時(shí)升華；Au作為催化劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用升華法生長InN納米線，其特征是，石墨烯轉(zhuǎn)移到襯底上，在100-150℃溫度下烘干以使得石墨烯和襯底之間緊密接觸，時(shí)間10-20分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用升華法生長InN納米線，其特征是，生長溫度是：550-750℃。