技術總結
一種制備無應力InN納米線的方法，利用CVD設備升華法生長InN納米線；襯底采用藍寶石、硅或石英玻璃、GaN/藍寶石(硅)，襯底清洗后，先覆蓋單層或多層石墨烯薄膜；將覆有石墨烯薄膜的襯底表面沉積Au，放入CVD管式爐生長系統中，開始InN納米線生長；常壓，生長溫度：500–800℃；高純N2作為載氣先吹掃管式爐去除空氣等，然后持續通氣保護InN納米線外延，生長期間總N2載氣流量0?5slm；In源采用常規的高純金屬銦升華銦蒸汽和高純氨氣N?H3反應生成InN。高純氨氣作為氮源，NH3流量：100–2000sccm；生長時間30?150分鐘。

技術研發人員：修向前;陳丁丁;李悅文;陳琳;華雪梅;謝自力;韓平;陸海;顧書林;施毅;張榮;鄭有炓
受保護的技術使用者：南京大學
文檔號碼：201611103463
技術研發日：2016.12.05
技術公布日：2017.05.31