1.一種SiC單晶生長過程中籽晶與石墨托的連接方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)：在石墨托與SiC籽晶之間設置一個固定連接塊，在所述固定連接塊的上平面和下平面均旋涂光刻膠；
2)：在石墨托的下表面涂光刻膠，然后將涂有所述光刻膠的固定連接塊的上平面與所述涂有光刻膠的石墨托下表面相粘接；
3)：在所述SiC籽晶的上表面涂光刻膠，然后將其與涂有所述光刻膠的所述固定連接塊的下表面相互粘接；
4)：將粘結完成的SiC籽晶、固定連接塊和石墨托在高溫下進行退火，完成粘結過程。
2.根據權利要求1所述的連接方法，其特征在于，所述固定連接塊的上下平面均具有小孔，用于將所述光刻膠涂在所述小孔中，使連接更加牢固。
3.根據權利要求1所述的連接方法，其特征在于，所述固定連接塊為耐高溫材料，承受溫度大于1600℃。