技術總結
本發明屬于電子工業和半導體材料技術領域，具體涉及一種SiC單晶生長過程中籽晶與石墨托的連接方法。包括以下步驟：第一步：在石墨托與SiC籽晶之間設置一個固定連接塊，在固定連接塊的上平面和下平面均旋涂光刻膠；第二步：在石墨托的下表面涂光刻膠，然后將涂有光刻膠的固定連接塊的上平面與涂有光刻膠的石墨托下表面相粘接；第三步：在SiC籽晶的上表面涂光刻膠，然后將其與涂有所述光刻膠的所述固定連接塊的下表面相互粘接；第四步：將粘結完成的SiC籽晶、固定連接塊和石墨托在高溫下進行退火，完成粘結過程。該方法采用光刻膠作為粘結材料，且采用了表面具有小孔的固定連接塊作為間接連接，避免了SiC直接與石墨托相連，同時具有環保的優點。

技術研發人員：楊繼勝;楊昆;高宇;鄭清超
受保護的技術使用者：河北同光晶體有限公司
文檔號碼：201611126130
技術研發日：2016.12.09
技術公布日：2017.05.31