技術總結
本實用新型公開了一種N濃度分布均衡的GaN晶體生長裝置，包括密封釜體，釜體內設有坩堝，坩堝裝設有金屬鎵與金屬鈉混合組成的生長溶液，釜體的上蓋連接有被動攪拌軸，被動攪拌軸的下端兩側設有L形攪拌葉，被動攪拌軸及L形攪拌葉中設有連通的通N管道，坩堝底側支撐有GaN籽晶，坩堝的下端設有可加熱的驅動轉盤，驅動轉盤通過轉軸連接有位于釜體外的轉動電機。本實用新型利用驅動轉盤和被動攪拌機構的配合對GaN生長溶液進行攪拌，被動攪拌機構內設有通N管道，能夠在攪拌的同時通N，從而改善生長溶液中N濃度分布均衡性，保障目標籽晶處的液相外延生長。

技術研發人員：張新峰
受保護的技術使用者：張新峰
文檔號碼：201620579933
技術研發日：2016.06.15
技術公布日：2016.11.30