技術特征：

技術總結
本發明提出了一種氫源裝置，包括硅基腔以及在中壓狀態下封裝在硅基腔中儲氫材料，所述硅基腔上設有向氫原子頻標輸送氫源的出口，所述儲氫材料為在過飽和氫氣環境中吸附氫后的儲氫材料。本發明提出了一種氫源裝置的制造方法，包括步驟：將儲氫材料在中壓狀態下生長在硅基腔中；向硅基腔中注入過飽和氫氣；將硅基腔封裝；在所述硅基腔上設置向氫原子頻標輸送氫源的出口。本發明提出了一種氫原子頻標，包括所述氫源裝置。本發明使氫源微型化，同時，在氫原子頻標中使氫氣循環利用，實現了氫源的閉環微系統，解決傳統開放式原子制備系統效率不高的缺點，促使氫原子頻標實現芯片級體積。

技術研發人員：王立坤
受保護的技術使用者：王立坤
技術研發日：2017.07.18
技術公布日：2017.10.03