本技術涉及直拉爐，具體為一種多籽晶直拉爐。

背景技術：

1、隨著世界光伏行業的發展，對硅單晶的質量要求越來越高，直徑也越來越大，硅單晶已經成為通用高品質光伏電池的材料基礎，有不可替代的作用，就硅晶體生長和制備而言，有天然硅晶體和人工硅晶體，天然硅晶體的數量很少，一般硅單晶都是人工制造的，為了制備性能良好的硅單晶，在生產實踐中，通過不斷地研究、實踐和探索，不斷完善了硅單晶生長技術，從熔體中生長單晶所用方法有區熔法、基座法、片狀單晶生長法、蹼狀單晶生長法等。

2、目前還會使用區熔法拉制硅芯，但是此種方法，每爐所能拉制硅芯的數量有限，且在拉制過程中，所使用的步進電機和交流電機產生的脈沖會對硅芯的拉制工藝產生影響；提拉頭上拉制硅芯所用的鎢絲繩在轉動性能、破壞力矩、正反向反復扭壽命無法達到最佳狀態，影響生成效率。

技術實現思路

1、針對現有技術的不足，本實用新型提供了一種多籽晶直拉爐，解決了上述背景技術中所提到的問題。

2、為實現以上目的，本實用新型通過以下技術方案予以實現：一種多籽晶直拉爐，包括爐體，所述爐體的頂部設置有籽晶軸，并且爐體內壁頂部的一側固定連接有導向桿，所述籽晶軸的表面固定連接有上安裝盤，所述籽晶軸的表面且位于上安裝盤的下方固定連接有下安裝盤，所述上安裝盤和下安裝盤之間轉動連接有籽晶夾頭，所述籽晶軸的表面且位于上安裝盤和下安裝盤之間固定連接有大齒輪，所述籽晶夾頭的表面固定連接有與大齒輪相嚙合的小齒輪。

3、優選的，所述籽晶夾頭的數量設置有六個，并且籽晶夾頭呈環形等距排列。

4、優選的，所述上安裝盤頂部的一側固定連接有第一限位板，并且下安裝盤底部的一側固定連接有第二限位板。

5、優選的，所述第一限位板和第二限位板內部的一側均固定連接有自潤滑石墨銅套，并且自潤滑石墨銅套的數量設置有兩個。

6、優選的，所述自潤滑石墨銅套的內壁與導向桿的表面滑動連接。

7、優選的，所述導向桿的頂端連接有法蘭，并且法蘭的表面開設有螺紋孔。

8、有益效果

9、本實用新型提供了一種多籽晶直拉爐。與現有技術相比具備以下有益效果：

10、該多籽晶直拉爐，通過爐體的頂部設置有籽晶軸，并且爐體內壁頂部的一側固定連接有導向桿，籽晶軸的表面固定連接有上安裝盤，籽晶軸的表面且位于上安裝盤的下方固定連接有下安裝盤，上安裝盤和下安裝盤之間轉動連接有籽晶夾頭，籽晶軸的表面且位于上安裝盤和下安裝盤之間固定連接有大齒輪，籽晶夾頭的表面固定連接有與大齒輪相嚙合的小齒輪，依靠將普通硅材料進行熔化一重新結晶來完成的，根據硅單晶的結晶規律，制造一個熔化和結晶的環境，將原材料放在坩堝中加熱熔化，控制溫度比硅單晶的結晶溫度略高，確保熔化后的硅材料在熔液表面可以結晶，直拉法生長硅單晶具有容易實現自動控制，生產效率高，易于制備大直徑硅單晶，并且晶體生長速度快、晶體的純度和完整性高，容易控制單晶中雜質濃度，可以制備低電阻率單晶等優點，是制備高質量大單晶，由于坩堝與籽晶桿朝著同一方向轉動，進而可以在坩堝和籽晶桿均具有高轉速的情況下，將坩堝與籽晶桿的轉速差控制在合理的范圍內，保證拉晶更高效和更高質量的完成。

技術特征：

1.一種多籽晶直拉爐，包括爐體(1)，其特征在于：所述爐體(1)的頂部設置有籽晶軸(2)，并且爐體(1)內壁頂部的一側固定連接有導向桿(3)，所述籽晶軸(2)的表面固定連接有上安裝盤(4)，所述籽晶軸(2)的表面且位于上安裝盤(4)的下方固定連接有下安裝盤(5)，所述上安裝盤(4)和下安裝盤(5)之間轉動連接有籽晶夾頭(6)，所述籽晶軸(2)的表面且位于上安裝盤(4)和下安裝盤(5)之間固定連接有大齒輪(7)，所述籽晶夾頭(6)的表面固定連接有與大齒輪(7)相嚙合的小齒輪(8)。

2.根據權利要求1所述的一種多籽晶直拉爐，其特征在于：所述籽晶夾頭(6)的數量設置有六個，并且籽晶夾頭(6)呈環形等距排列。

3.根據權利要求1所述的一種多籽晶直拉爐，其特征在于：所述上安裝盤(4)頂部的一側固定連接有第一限位板(9)，并且下安裝盤(5)底部的一側固定連接有第二限位板(10)。

4.根據權利要求3所述的一種多籽晶直拉爐，其特征在于：所述第一限位板(9)和第二限位板(10)內部的一側均固定連接有自潤滑石墨銅套(11)，并且自潤滑石墨銅套(11)的數量設置有兩個。

5.根據權利要求4所述的一種多籽晶直拉爐，其特征在于：所述自潤滑石墨銅套(11)的內壁與導向桿(3)的表面滑動連接。

6.根據權利要求1所述的一種多籽晶直拉爐，其特征在于：所述導向桿(3)的頂端連接有法蘭(12)，并且法蘭(12)的表面開設有螺紋孔。

技術總結
本技術公開了一種多籽晶直拉爐，包括爐體，所述爐體的頂部設置有籽晶軸，本技術涉及直拉爐技術領域。該多籽晶直拉爐，制造一個熔化和結晶的環境，將原材料放在坩堝中加熱熔化，控制溫度比硅單晶的結晶溫度略高，確保熔化后的硅材料在熔液表面可以結晶，直拉法生長硅單晶具有容易實現自動控制，生產效率高，易于制備大直徑硅單晶，并且晶體生長速度快、晶體的純度和完整性高，容易控制單晶中雜質濃度，可以制備低電阻率單晶等優點，是制備高質量大單晶，由于坩堝與籽晶桿朝著同一方向轉動，進而可以在坩堝和籽晶桿均具有高轉速的情況下，將坩堝與籽晶桿的轉速差控制在合理的范圍內，保證拉晶更高效和更高質量的完成。

技術研發人員：陳偉,周偉,沈俊
受保護的技術使用者：常州磐云精密機械有限公司
技術研發日：20240508
技術公布日：2025/4/28