本技術屬于單晶爐，尤其涉及一種單晶爐。

背景技術：

1、直拉法單晶爐是在惰性氣體環境中，用石墨電阻加熱器將多晶硅原料熔化，通過提拉法生長單晶的設備。在現有的直拉法單晶爐氣路設計中，上保護氣氣流較容易在副室爐腔內產生回流，將單晶爐副室及閥倉內的雜質帶入到硅熔體之中，引入的雜質會直接導致單晶硅圓棒拉制過程中的放肩斷線率和等徑斷線率大幅提升，降低產量，提高單晶硅生產成本。

技術實現思路

1、本實用新型實施例提供一種單晶爐，旨在解決單晶爐氣路中保護氣在副室爐腔內產生回流，直接導致單晶硅圓棒拉制過程中的放肩斷線率和等徑斷線率大幅提升的問題。

2、本實用新型實施例是這樣實現的，本實用新型提供一種單晶爐包括：連通在一起的主腔室和副腔室，所述副腔室設置在所述主腔室的上方，所述副腔室上設有第一進氣口；以及

3、設置在所述副腔室上的第一法蘭，所述第一法蘭包括沿進氣方向依次設置的第一進氣孔和斜孔，所述第一進氣孔和所述斜孔連通，所述斜孔與所述第一進氣口連接，其中，沿氣體進入方向，所述斜孔向上傾斜設置。

4、更進一步地，所述斜孔的傾斜角度為1°～89°。

5、更進一步地，所述第一法蘭還包括第一環形空間，所述第一環形空間分別連通所述第一進氣孔和所述斜孔。

6、更進一步地，所述第一環形空間包括第一頂面、第一底面和分別連接所述第一頂面和第一底面的第一內側面與第一外側面，所述斜孔連接在所述第一內側面靠近所述第一底面的一端，所述第一進氣孔連接在所述第一外側面上。

7、更進一步地，所述第一進氣孔沿著水平方向設置。

8、更進一步地，所述單晶爐還包括第二法蘭，所述第二法蘭設置在所述主腔室上，所述主腔室上還設有第二進氣口，所述第二法蘭包括第二進氣孔和第三進氣孔，所述第二進氣孔和所述第三進氣孔同軸設置，所述第二進氣孔和所述第三進氣孔連通，所述第三進氣孔與所述第二進氣口連接。

9、更進一步地，所述主腔室上還設有第三進氣口，所述第二法蘭還包括第四進氣孔，所述第四進氣孔的軸線與所述第二進氣孔的軸線相交，所述第二進氣孔和所述第四進氣孔連通，所述第四進氣孔與所述第三進氣口連接。

10、更進一步地，所述第二法蘭還包括第二環形空間，所述第二環形空間分別連通所述第二進氣孔、所述第三進氣孔和所述第四進氣孔。

11、更進一步地，所述第二環形空間包括第二頂面、第二底面和分別連接所述第二頂面和第二底面的第二內側面與第二外側面，所述第二進氣孔連接在所述第二外側面上，所述第三進氣孔連接在所述第二內側面上，所述第四進氣孔連接在所述第二底面上。

12、更進一步地，所述第三進氣口沿著豎直方向設置。

13、在本申請實施方式的單晶爐中，單晶爐包括連通在一起的主腔室和副腔室以及第一法蘭，副腔室設置在主腔室的上方，副腔室上設有第一進氣口，第一法蘭設置在副腔室上，第一法蘭包括沿進氣方向依次設置的第一進氣孔和斜孔，第一進氣孔和斜孔連通，斜孔與第一進氣口連接，其中，沿氣體進入方向，斜孔向上傾斜設置。如此，第一法蘭可以實現復用，惰性氣體可以通過第一法蘭的第一進氣孔和斜孔進入至副腔室中，斜孔可以有效減少副腔室渦流，進而減少雜質進入主腔室區域，提高單晶硅生產效率。

技術特征：

1.一種單晶爐，其特征在于，包括：連通在一起的主腔室和副腔室，所述副腔室設置在所述主腔室的上方，所述副腔室上設有第一進氣口；以及

2.如權利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述斜孔的傾斜角度為1°～89°。

3.如權利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述第一法蘭還包括第一環形空間，所述第一環形空間分別連通所述第一進氣孔和所述斜孔。

4.如權利要求3所述的單晶爐，其特征在于，所述第一環形空間包括第一頂面、第一底面和分別連接所述第一頂面和第一底面的第一內側面與第一外側面，所述斜孔連接在所述第一內側面靠近所述第一底面的一端，所述第一進氣孔連接在所述第一外側面上。

5.如權利要求3所述的單晶爐，其特征在于，所述第一進氣孔沿著水平方向設置。

6.如權利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述單晶爐還包括第二法蘭，所述第二法蘭設置在所述主腔室上，所述主腔室上還設有第二進氣口，所述第二法蘭包括第二進氣孔和第三進氣孔，所述第二進氣孔和所述第三進氣孔同軸設置，所述第二進氣孔和所述第三進氣孔連通，所述第三進氣孔與所述第二進氣口連接。

7.如權利要求6所述的單晶爐，其特征在于，所述主腔室上還設有第三進氣口，所述第二法蘭還包括第四進氣孔，所述第四進氣孔的軸線與所述第二進氣孔的軸線相交，所述第二進氣孔和所述第四進氣孔連通，所述第四進氣孔與所述第三進氣口連接。

8.如權利要求7所述的單晶爐，其特征在于，所述第二法蘭還包括第二環形空間，所述第二環形空間分別連通所述第二進氣孔、所述第三進氣孔和所述第四進氣孔。

9.如權利要求8所述的單晶爐，其特征在于，所述第二環形空間包括第二頂面、第二底面和分別連接所述第二頂面和第二底面的第二內側面與第二外側面，所述第二進氣孔連接在所述第二外側面上，所述第三進氣孔連接在所述第二內側面上，所述第四進氣孔連接在所述第二底面上。

10.如權利要求7所述的單晶爐，其特征在于，所述第三進氣口沿著豎直方向設置。

技術總結
本技術適用于單晶爐技術領域，提供了一種單晶爐。單晶爐包括連通在一起的主腔室和副腔室以及第一法蘭，副腔室設置在主腔室的上方，副腔室上設有第一進氣口，第一法蘭設置在副腔室上，第一法蘭包括沿進氣方向依次設置的第一進氣孔和斜孔，第一進氣孔和斜孔連通，斜孔與第一進氣口連接，其中，沿氣體進入方向，斜孔向上傾斜設置。如此，第一法蘭可以實現復用，惰性氣體可以通過第一法蘭的第一進氣孔和斜孔進入至副腔室中，斜孔可以有效減少副腔室渦流，進而減少雜質進入主腔室區域，提高單晶硅生產效率。

技術研發人員：林永圳,陳輝,潘軍明,張駿凱,王永謙,陳剛
受保護的技術使用者：浙江愛旭太陽能科技有限公司
技術研發日：20240715
技術公布日：2025/4/28