技術特征：

1.一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，

2.根據權利要求1所述的一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，

3.根據權利要求2所述的一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，

4.根據權利要求1或2或3所述的一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，

5.根據權利要求1所述的一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，

6.根據權利要求1或5所述的一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，

7.根據權利要求6所述的一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，

8.根據權利要求1所述的一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，

9.根據權利要求8所述的一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，

10.根據權利要求1所述的一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其特征在于，

技術總結
本發明涉及碳化硅晶體生長領域，尤其涉及一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其包括一個坩堝主體，所述坩堝主體從上至下按照溫區分布劃分為高溫區以及低溫區，且所述高溫區以及低溫區相互連通；其中，所述高溫區內設置有一個用于盛放碳化硅粉源的粉料曲，所述高溫區的頂部還設置有一個用于盛放碳粉的碳粉區；所述低溫區底部粘結設置有一個用于沉積碳化硅晶體的籽晶；所述坩堝主體內部還設置有用于過濾固體顆粒掉落至籽晶表面的過濾裝置。本申請通過改變坩堝主體內部高溫區與低溫區的設置方向，有效改變了用于碳化硅單晶沉積的氣體的擴散方向以及分布方式，從而提升了晶體生長速率。

技術研發人員：高冰,李璐杰
受保護的技術使用者：浙江晶越半導體有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28