專利名稱：緩蝕劑、其制備方法及化學(xué)機(jī)械拋光組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化學(xué)機(jī)械拋光水性組合物領(lǐng)域，尤其是涉及組合物中的新型緩蝕劑及其制備方法和含有該緩蝕劑的化學(xué)機(jī)械拋光組合物。
背景技術(shù)：
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)是上世紀(jì)八十年代由IBM研發(fā)的實(shí)現(xiàn)全局平整化的工藝技術(shù)，它可以避免缺陷隨互連層數(shù)的增加而逐層疊加，目前業(yè)已成為微電子制造業(yè)中幾乎所有步驟的核心微處理技術(shù)。隨著集成電路技術(shù)進(jìn)入到深亞微米級(jí)，由不斷縮小特征尺寸所帶來的互連性能降低已經(jīng)越來越明顯。這是因?yàn)樘卣鞒叽绲目s小將導(dǎo)致互連引線橫截面和線間距的減小，電阻、電容、電感引起的寄生效應(yīng)將會(huì)嚴(yán)重影響電路的性能。而采用低介電常數(shù)介質(zhì)材料(即低k介質(zhì)材料)則是提高互連性能的有效途徑之一。但是當(dāng)k< 2.2時(shí)，低k介質(zhì)層的機(jī)械強(qiáng)度下降，易出現(xiàn)低k薄膜脫層，所以必須開發(fā)低壓力拋光技術(shù)及拋光組合物來適應(yīng)新的生產(chǎn)需要。一般，減小下壓力會(huì)對(duì)包括拋光速率在內(nèi)的CMP總體性能產(chǎn)生不利影響。例如，采用成熟的商用銅拋光組合物進(jìn)行銅拋光，壓力為5. Opsi時(shí)拋光速率為333. 3nm/min, 而當(dāng)壓力減小到約O. 5psi時(shí),拋光速率減小至101. 9nm/min,相差3倍左右。因此,減小壓力拋光會(huì)嚴(yán)重的影響生產(chǎn)能力。化學(xué)機(jī)械拋光組合物在CMP步驟中是一種重要的影響因素。可根據(jù)選取的氧化劑、磨料和其它適合的添加劑如金屬緩蝕劑等來調(diào)節(jié)拋光性能，以按所需的拋光速率來提供有效的拋光，同時(shí)將表面缺陷、腐蝕降至最低，并得到最佳的平面化效果。 CN201110065350. 2提供了適用于在至少小于I. Opsi (6. 89kPa)的下壓力下拋光半導(dǎo)體晶片上銅的水性組合物，含有適用于低下壓力弱機(jī)械作用情況下的含硫腐蝕平衡劑，拋光去除速率最高可達(dá)1711. 4nm/min,表面粗糙度可至O. 30 O. 95nm。美國羅門哈斯公司提出了一種用于銅的低下壓力拋光組合物和方法(CN1644644A)，適用于在至少小于3. Opsi的下壓力下拋光半導(dǎo)體晶片上的銅，其中添加的含磷化合物可增加銅的去除，實(shí)施例中l(wèi).Opsi 壓力下，添加磷酸銨前后拋光去除速率分別為150. Onm/min和266. 3nm/min。US6，620，037 采用不添加緩蝕劑(如BTA)的拋光組合物進(jìn)行銅拋光以期提升拋光速率，然而該組合物仍需要3. Opsi或更大的下壓力以便有效的去除銅(3. Opsi時(shí)拋光速率為234. 6nm/min)。拋光液中選用的銅緩蝕劑多為唑類抑制劑，包括苯并三唑(BTA)、巰基苯并三唑 (MBT)、甲苯三唑(TTA)。但這些緩蝕劑大都具有不易制備，污染環(huán)境不環(huán)保的缺點(diǎn)，而且大多只適用在常壓下的拋光。因此需要提供一種新的緩蝕劑，更好地用于低下壓力的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上述至少一個(gè)發(fā)明目的，本發(fā)明一方面提供了一種新的、含有唑基和酮基的緩蝕劑。進(jìn)一步地，本發(fā)明還提供了這種緩蝕劑的制備方法。
另一方面，本發(fā)明提供了含有上述緩蝕劑的化學(xué)機(jī)械拋光組合物。具體地，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的實(shí)施例，本發(fā)明提供的緩蝕劑，其結(jié)構(gòu)式如下
(I)
權(quán)利要求
1 一種緩蝕劑，其結(jié)構(gòu)式如下
2.一種緩蝕劑的制備方法，包括如下步驟以無水乙醇為溶劑，以氨基唑類化合物、芳香醛、丙酮為原料，三者的摩爾比為 I : 1.2 : I. 2，在pH值2-3的條件下反應(yīng)，生成具有如權(quán)利要求I所述的緩蝕劑。
3.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中所述氨基唑類化合物選自5-氨基四唑，3-氨基三唑。
4.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其中所述芳香醛的結(jié)構(gòu)式如下
5.—種化學(xué)機(jī)械拋光組合物,包括膠體SiO2磨料l_20wt%、氧化劑O. 5-10wt%、絡(luò)合劑O. l_10wt%、如權(quán)利要求I所述的緩蝕劑、pH調(diào)節(jié)劑和水，其中所述氧化劑為無機(jī)或有機(jī)過氧化合物，其化合物分子中含至少一個(gè)過氧基團(tuán)或?yàn)楹刑幱诟哐趸瘧B(tài)元素的化合物中的任何一種或一種以上的混合物；所述PH調(diào)節(jié)劑選自包括無機(jī)酸堿、有機(jī)酸堿的組；所述絡(luò)合劑選自包括氨基乙酸、丙氨酸、谷氨酸、脯氨酸、羥谷氨酸、羥基乙叉二膦酸、 氨基三甲叉膦酸、2-羥基膦酰基乙酸、乙酸、草酸、檸檬酸、草酰胺的組或它們?nèi)我獗壤慕M合物；所述緩蝕劑的濃度為O. 01-5wt% ；所述組合物的PH值為2-7 ;優(yōu)選為pH值為3-5 ；所述水為去離子水或蒸餾水。
6.如權(quán)利要求5所述的化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其中所述緩蝕劑的濃度為 O. 01—0. 5wt % ο
7.如權(quán)利要求5所述的化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其中所述磨料為膠體二氧化硅，含量為 3-5wt%，平均粒度為10-200納米；優(yōu)選為平均粒度為50-80納米。
8.如權(quán)利要求5所述的化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其中所述氧化劑為過氧化氫，含量為 O. 9-3wt % ο
9.如權(quán)利要求5所述的化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其中所述絡(luò)合劑為氨基乙酸，含量為 O. 5-3wt % ο
10.如權(quán)利要求5所述的化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其中所述pH調(diào)節(jié)劑選自包括硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸、氫氧化鉀、氨水、乙醇胺、三乙醇胺的組以及它們?nèi)我獗壤慕M合物。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種新的、含有唑基和酮基的緩蝕劑，其結(jié)構(gòu)為(I)所示。進(jìn)一步地，本發(fā)明還提供了上述緩蝕劑的制備方法和含有該緩蝕劑的酸性化學(xué)機(jī)械拋光組合物。本發(fā)明公開的緩蝕劑，適合在超大規(guī)模集成電路多層銅布線銅的低下壓力化學(xué)機(jī)械拋光組合物中使用，可迅速在銅表面成膜，保護(hù)銅表面，抑制腐蝕，顯著減少化學(xué)腐蝕坑等缺陷，改善拋光液的性能。圖中R1為三唑基或者四唑基。
文檔編號(hào)C07D249/14GK102586783SQ201210004900
公開日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2012年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月9日
發(fā)明者戴媛靜, 董瑩, 路新春, 雒建斌 申請(qǐng)人:清華大學(xué)