1.一種納米薄膜的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：制備一基體；制備一碳納米管薄膜；刻蝕處理所述碳納米管薄膜，得到部分區域減薄或者穿透的碳納米管薄膜；將碳納米管薄膜溶解制成碳納米管分散液，并將碳納米管分散液添加到吸附用容器 中，向吸附用容器里添加吸附用介質，以浸潤的方式形成介質表面的半導體性碳納米管富集層；將至少一經過刻蝕處理的碳納米管薄膜置于所述基體的至少一個表面形成一碳納米管薄膜結構，從而形成一碳納米管薄膜復合材料預制體；加熱所述碳納米管薄膜復合材料預制體，使所述碳納米管薄膜結構與所述基體復合，從而得到一碳納米管薄膜復合材料；所述基體為高分子基體；所述碳納米管薄膜采用浮動催化法或可紡絲陣列拉膜法制備或采用巴基紙碳納米管薄膜；“刻蝕處理所述碳納米管薄膜”步驟具體為：先用有機溶劑處理所述碳納米管薄膜，形成致密化的碳納米管薄膜，再對致密化的碳納米管薄膜進行刻蝕處理。
2.根據權利要求1所述的納米薄膜的制作方法，其特征在于，所述“用有機溶劑處理所述碳納米管薄膜，形成致密化的碳納米管薄膜”步驟具體為：將有機溶劑直接噴涂在所述碳納米管薄膜表面，直至整個碳納米管薄膜被有機溶劑浸潤，待有機溶劑揮發后，形成致密化的碳納米管薄膜，所述致密化的碳納米管薄膜的厚度大于50nm。
3.根據權利要求1所述的納米薄膜的制作方法，其特征在于，所述“刻蝕處理所述碳納米管薄膜”為激光刻蝕或者光熱刻蝕處理所述碳納米管薄膜。
4.根據權利要求1所述的納米薄膜的制作方法，其特征在于，“將至少一經過刻蝕處理的碳納米管薄膜置于所述基體的至少一個表面形成一碳納米管薄膜結構，從而形成一碳納米管薄膜復合材料預制體”步驟具體為：采用噴涂或浸泡的方法將所述基體 置于所述經過刻蝕處理的碳納米管薄膜上。