技術總結
本發明公開了一種納米薄膜的制作方法，包括以下步驟：制備一基體；制備一碳納米管薄膜；刻蝕處理所述碳納米管薄膜，得到部分區域減薄或者穿透的碳納米管薄膜；將碳納米管薄膜溶解制成碳納米管分散液，并將碳納米管分散液添加到吸附用容器?中，向吸附用容器里添加吸附用介質，以浸潤的方式形成介質表面的半導體性碳納米管富集層；將至少一經過刻蝕處理的碳納米管薄膜置于所述基體的至少一個表面形成一碳納米管薄膜結構，從而形成一碳納米管薄膜復合材料預制體。本發明無需任何特殊裝置和繁雜工序，制備過程簡便、實用，而且低成本，有利于實現大面積碳納米管薄膜的制備，促進半導體性碳納米管薄膜在諸多領域的應用。

技術研發人員：許煥明
受保護的技術使用者：大新縣科學技術情報研究所（大新縣生產力促進中心）
文檔號碼：201611159924
技術研發日：2016.12.15
技術公布日：2017.05.31