技術(shù)特征：

1.一種用于mems器件的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電支撐層為中間支撐層，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電支撐層為基礎(chǔ)支撐層，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

6.一種用于mems器件的屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括步驟：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟s2還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟s2還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求6-8中任意一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，還包括步驟：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述步驟s1還包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述mems器件區(qū)域還包括器件的結(jié)構(gòu)間隙；所述步驟s2還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述mems器件區(qū)域還包括器件的結(jié)構(gòu)間隙；所述步驟s2還包括：

13.一種用于mems器件的屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括步驟：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法，其特征在于，所述步驟s2還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法，其特征在于，所述步驟s2還包括，在所述蓋板晶圓的中間支撐層上形成第二屏蔽單元，所述第二屏蔽單元貫穿所述基礎(chǔ)介質(zhì)隔離層；

16.根據(jù)權(quán)利要求13-15任意一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，還包括步驟：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，所述步驟s1還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法，其特征在于，所述mems器件區(qū)域還包括器件的結(jié)構(gòu)間隙；所述步驟s2還包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的制備方法，其特征在于，所述mems器件區(qū)域還包括器件的結(jié)構(gòu)間隙；所述步驟s2還包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例涉及一種用于MEMS器件的屏蔽結(jié)構(gòu)及其制備方法，該屏蔽結(jié)構(gòu)包括：第一導(dǎo)電支撐層；器件層，形成于所述第一導(dǎo)電支撐層之上，所述器件層包括MEMS器件區(qū)域和屏蔽互連區(qū)域；器件介質(zhì)隔離層，形成于所述器件層之上；第二導(dǎo)電支撐層，形成于所述器件介質(zhì)隔離層之上；屏蔽單元，所述屏蔽單元貫穿所述器件介質(zhì)隔離層，與所述第一導(dǎo)電支撐層、所述第二導(dǎo)電支撐層和所述屏蔽互連區(qū)域連接，形成固定電位結(jié)構(gòu)；所述固定電位結(jié)構(gòu)包圍所述MEMS器件區(qū)域，所述固定電位結(jié)構(gòu)與所述MEMS器件區(qū)域通過絕緣結(jié)構(gòu)電絕緣。

技術(shù)研發(fā)人員：曹正威,徐鵬飛,楊靖
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京中科格勵(lì)微科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/24