專利名稱：多芯片集成封裝led的制作方法
技術領域：
本發明涉及LED芯片封裝領域。
背景技術：
多芯片集成封裝因其低成本、高高度成為新一代封裝方式，然而傳統集成封裝基板通常是MCPCB金屬基板(鋁基板)，電路置于絕緣層，電路絕緣層帶來的熱阻使芯片散熱困難；此外芯片通常簡單串聯或并聯，一旦有單顆失效，整個芯片組也隨之失效。

發明內容
本發明目的是本方案通過重新設計基板與電路，提高集成封裝的散熱性、出光效率及可靠性。本發明所采用的技術方案為一種多芯片集成封裝LED，包括位于底層的金屬基板，所述的金屬基板的上表面鍍有銀層，所述的金屬基板的預定位置向下凹陷形成若干凹杯，各個所述的凹杯的底部設置有電路、多個LED芯片，所述的電路包括正極電路、負極電路以及中間電路，其中一部分LED芯片并聯于所述的中間電路與正極電路之間，另一部分 LED芯片并聯于所述的中間電路與負極電路之間構成通路，所述的凹杯的內腔中填充有封裝膠。優選地，所述的金屬基板為鋁基板。優選地，所述的金屬基板為不銹鋼基板。優選地，所述的封裝膠為熒光粉封裝膠。由于采用上述技術方案，本發明通過重新設計基板和電路，將芯片直接置于金屬基板從而提高散熱性，鍍銀凹杯設計將有效增加出光，獨特的電路設計將提高芯片可靠性。


附圖1為根據本發明的多芯片集成封裝LED的側視圖； 附圖2為根據本發明的多芯片集成封裝LED的正視其中1、金屬基板；2、銀層；3、LED芯片；4、封裝膠；5、凹杯；6、電路。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。參見附圖1與附圖2所示，本實施例中的多芯片集成封裝LED，包括位于底層的金屬基板1，金屬基板1的上表面鍍有銀層2，金屬基板1的預定位置向下凹陷形成若干凹杯 5，各個凹杯5的底部設置有電路6、多個LED芯片3，電路6包括正極電路、負極電路以及中間電路，其中一部分LED芯片3并聯于中間電路與正極電路之間，另一部分LED芯片3并聯于中間電路與負極電路之間構成通路，凹杯5的內腔中填充有封裝膠6。其中，金屬基板1為鋁基板、不銹鋼基板或者由其它金屬材料制成；封裝膠6為熒光粉封裝膠。本發明的設計要點在干
1.提高散熱集成封裝所用基板為金屬基板，將芯片直接置于金屬基板上，避開傳統 MCPCB的絕緣層；
2.提高出光金屬基板并且做出若干凹杯，并且基板整面鍍銀；
3.提高可靠性使用三條電路(正極電路、中間電路、負極電路)，所有芯片都與中間電路聯接，萬一有單顆芯片失效，也不會影響其余芯片。從而，將芯片直接置于金屬基板從而提高散熱性，鍍銀凹杯設計將有效增加出光， 獨特的電路設計將提高芯片可靠性。以上實施方式只為說明本發明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人了解本發明的內容并加以實施，并不能以此限制本發明的保護范圍，凡根據本發明精神實質所做的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發明的保護范圍內。
權利要求
1.ー種多芯片集成封裝LED，其特征在于包括位于底層的金屬基板(1)，所述的金屬基板(1)的上表面鍍有銀層(2)，所述的金屬基板(1)的預定位置向下凹陷形成若干凹杯 (5),各個所述的凹杯(5)的底部設置有電路(6)、多個LED芯片(3)，所述的電路(6)包括正極電路、負極電路以及中間電路，其中一部分LED芯片(3)并聯于所述的中間電路與正極電路之間，另一部分LED芯片(3)并聯于所述的中間電路與負極電路之間構成通路，所述的凹杯(5)的內腔中填充有封裝膠(6)。
2.根據權利要求1所述的多芯片集成封裝LED，其特征在于所述的金屬基板(1)為鋁基板。
3.根據權利要求1所述的多芯片集成封裝LED，其特征在于所述的金屬基板(1)為不銹鋼基板。
4.根據權利要求1所述的多芯片集成封裝LED，其特征在于所述的封裝膠(6)為熒光粉封裝膠。
全文摘要
本發明涉及一種多芯片集成封裝LED，包括位于底層的金屬基板，所述的金屬基板的上表面鍍有銀層，所述的金屬基板的預定位置向下凹陷形成若干凹杯，各個所述的凹杯的底部設置有電路、多個LED芯片，所述的電路包括正極電路、負極電路以及中間電路，其中一部分LED芯片并聯于所述的中間電路與正極電路之間，另一部分LED芯片并聯于所述的中間電路與負極電路之間構成通路，所述的凹杯的內腔中填充有封裝膠。本發明通過重新設計基板和電路，將芯片直接置于金屬基板從而提高散熱性，鍍銀凹杯設計將有效增加出光，獨特的電路設計將提高芯片可靠性。
文檔編號H01L25/13GK102569626SQ20121000677
公開日2012年7月11日 申請日期2012年1月11日 優先權日2012年1月11日
發明者華斌 申請人:蘇州玄照光電有限公司