有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、量子阱層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述量子阱層包括依次層疊的至少兩層醋酸鋅層及設置于相鄰的兩層醋酸鋅層之間的空穴緩沖層，所述空穴緩沖層的材料為PEDOT與PSS的混合物。上述有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。
[0003]但是在有機小分子材料中，空穴傳輸速率比電子傳輸速率要高兩個數(shù)量級以上，因此，往往導致空穴與電子的復合幾率低下，從而降低了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。

【發(fā)明內容】

[0004]基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]—種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、量子講層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述量子阱層包括依次層疊的至少兩層醋酸鋅層及設置于相鄰的兩層醋酸鋅層之間的空穴緩沖層，所述空穴緩沖層的材料為PEDOT與PSS的混合物。
[0006]在其中一個實施例中，所述醋酸鋅層及所述空穴緩沖層的厚度均為20nnTl00nm。
[0007]在其中一個實施例中，所述空穴緩沖層的層數(shù)為大于等于I且小于等于5的整數(shù)。
[0008]在其中一個實施例中，所述PEDOT與PSS的質量比為2: I?6: I。
[0009]在其中一個實施例中,所述發(fā)光層的材料為發(fā)光材料與空穴傳輸材料摻雜形成的混合物，所述發(fā)光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥，所述空穴傳輸材料為1，1_ 二[4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ - (1-萘基)4，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺，所述發(fā)光材料的質量百分含量為1%?20%。
[0010]在其中一個實施例中，所述電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、
I,2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。
[0011]在其中一個實施例中，所述電子注入層的材料為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或氟化鋰。
[0012]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0013]在基底表面形成陽極；
[0014]在陽極表面形成量子阱層，所述量子阱層包括依次層疊的至少兩層醋酸鋅層及設置于相鄰的兩層醋酸鋅層之間的空穴緩沖層，所述空穴緩沖層的材料為PEDOT與PSS的混合物；
[0015]在所述量子阱層表面形成發(fā)光層；
[0016]在所述發(fā)光層表面形成電子傳輸層；[0017]在所述電子傳輸層表面形成電子注入層；及
[0018]在所述電子注入層表面形成陰極。
[0019]在其中一個實施例中，所述醋酸鋅層由醋酸鋅溶液旋涂后干燥形成。
[0020]在其中一個實施例中，所述醋酸鋅溶液由以下步驟配制得到:將水和醋酸溶液以體積比1: 2混合形成溶劑；將氧化鋅加入到所述溶劑中形成質量濃度為109^35%的醋酸鋅溶液。
[0021]上述有機電致發(fā)光器件及其制備方法，通過設置量子阱層，醋酸鋅層中醋酸鋅的功函約為-7.2ev,為量子阱勢壘，空穴緩沖層的HOMO能級約為_5.4eV,為量子阱勢阱，兩者之間有1.8eV的電勢差，可以有效抑制空穴的傳輸，提高空穴與電子的復合幾率，最終使有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖；
[0023]圖2為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0024]圖3為實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的流明效率與亮度關系圖。
【具體實施方式】
[0025]下面結合附圖和具體實施例對有機電致發(fā)光器件及其制備方法進一步闡明。
[0026]請參閱圖1，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100包括依次層疊的陽極20、量子阱層30、發(fā)光層40、電子傳輸層5 0、電子注入層60及陰極70。
[0027]陽極20為銦錫氧化物玻璃(IT0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)，摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(IZ0)，優(yōu)選為IT0。
[0028]量子阱層30形成于陽極20表面。量子阱層30為醋酸鋅(ZnAC2)與空穴緩沖材料的組合:醋酸鋅層/[空穴緩沖層/醋酸鋅層]。本實施方式中，量子阱層30包括兩個層疊的醋酸鋅層31及設置于兩個醋酸鋅層31之間的空穴緩沖層33。空穴緩沖層33的材料為聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)與聚苯磺酸鈉(PSS)的混合物，其中PEDOT與PSS的質量比為2: 1飛:1，優(yōu)選為2: I。醋酸鋅層31及空穴緩沖層33的厚度均為20nnTl00nm。
[0029]量子阱層30用于對空穴進行限制，調控空穴的數(shù)目，進而調節(jié)空穴的傳輸速率，利用量子阱層，形成一個空穴的勢阱，使傳輸?shù)目昭ń涍^此區(qū)域一部分被勢阱(量子阱)限制，另一部分傳輸?shù)桨l(fā)光層與電子進行復合產生激子。其中，醋酸鋅層31中醋酸鋅功函數(shù)為-7.2eV,為量子阱勢壘，空穴緩沖層33的HOMO能級約為-5.4eV,為量子阱勢阱，兩者之間有1.8eV的電勢差，可有效抑制空穴的傳輸。
[0030]變化量子阱層30中醋酸鋅層31及空穴緩沖層33的層數(shù)可以對空穴傳輸速率進行調控，最終提高激子的復合幾率，此時量子阱層30包括三個以上的醋酸鋅層31，相鄰的兩個醋酸鋅層31之間設有空穴緩沖層33，即醋酸鋅層/[空穴緩沖層/醋酸鋅層]n，空穴緩沖層33的層數(shù)即量子阱層30的周期數(shù)n為大于等于I且小于等于5的整數(shù)。
[0031]發(fā)光層40形成于量子講層30的表面。發(fā)光層40的材料為發(fā)光材料與空穴傳輸材料摻雜形成的混合物。發(fā)光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))或三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3),空穴傳輸材料為1，1- 二 [4-[N,N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N，- (1-萘基)-N，N，- 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)。其中，發(fā)光材料的質量百分含量為1%?20%，優(yōu)選為10%。發(fā)光層40的材料優(yōu)選為Ir(ppy)3與NPB摻雜形成的混合物。發(fā)光層40的厚度為2nnT30nm,優(yōu)選為20nm。
[0032]電子傳輸層50形成于發(fā)光層40表面。電子傳輸層50的材料為4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，優(yōu)選為TPBI。電子傳輸層50的厚度為40nnT80nm,優(yōu)選為60nm。
[0033]電子注入層60形成于電子傳輸層50表面。電子注入層60的材料為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或氟化鋰(LiF)，優(yōu)選為LiF。電子注入層60的厚度為 0.5nm?10nm,優(yōu)選為 0.7nm。
[0034]陰極70形成于電子注入層60表面。陰極70的材料為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au),優(yōu)選為Ag。陰極70的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為120nm。
[0035]上述有機電致發(fā)光器件100通過依次層疊的第一醋酸鋅層31、空穴緩沖層33及第二醋酸鋅層35組成量子阱層30，第一醋酸鋅層31及第二醋酸鋅層35中醋酸鋅的功函約為-7.2ev,為量子阱勢壘，空穴緩沖層33的HOMO能級約為-5.4eV,為量子阱勢阱，兩者之間有1.8eV的電勢差，可以有效抑制空穴的傳輸，提高空穴與電子的復合幾率。變化量子阱層30的層數(shù)則可以對空穴傳輸速率進行調控，提高激子的復合幾率，最終提高發(fā)光效率。由于醋酸鋅是納米結構，納米結構具有互穿網狀結構，光線在里面可以遇到納米粒子，然后進行散射)，因此，可以將往兩側發(fā)射的光散射回到有機電致發(fā)光器件100中路，較大的提高了發(fā)光效率。
[0036]可以理解，該有機電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設置其他功能層。
[0037]請同時參閱圖2，一實施例的有機電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0038]步驟S110、在陽極20表面形成量子阱層30。
[0039]陽極20為銦錫氧化物玻璃(IT0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)，摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(IZ0)，優(yōu)選為IT0。
[0040]本實施方式中，對陽極20前處理包括去除陽極20表面的有機污染物及對陽極20進行等氧離子處理。將陽極20采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除陽極20表面的有機污染物；對陽極20進行等氧離子處理時間為5mirTl5min，功率為 10?50W。
[0041]量子阱層30由旋涂形成。量子阱層30為醋酸鋅(ZnAC2)與空穴緩沖材料的組合:醋酸鋅層/[空穴緩沖層/醋酸鋅層]。本實施方式中，量子阱層30包括兩個層疊的醋酸鋅層31及設置于兩個醋酸鋅層31之間的空穴緩沖層33。空穴緩沖層33的材料為聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)與聚苯磺酸鈉(PSS)的混合物，其中PEDOT與PSS的質量比為
2: T6: 1，優(yōu)選為2: I。醋酸鋅層31及空穴緩沖層33的厚度均為20nnTl00nm。
[0042]第一醋酸鋅層31及第二醋酸鋅層35均由醋酸鋅溶液旋涂形成。醋酸鋅溶液由以下步驟配制而成:將水和醋酸溶液以體積比1: 2混合形成溶劑，其中醋酸溶液的質量濃度為109^20%;將氧化鋅加入到所述溶劑中形成質量濃度為109^35%的醋酸鋅溶液。旋涂后，在20°C?50°C下烘干。
[0043]空穴緩沖層33由PED0T:PSS的水溶液旋涂第一醋酸鋅層31表面制成。其中PEDOT與PSS的質量比為2: I?6: 1，優(yōu)選為2: I。PED0T:PSS的質量濃度為1%?10%，優(yōu)選為2%。旋涂后，在100°C?200°C下加熱15?60min，優(yōu)選的，旋涂后在200°C下加熱30min。
[0044]量子阱層30用于對空穴進行限制，調控空穴的數(shù)目，進而調節(jié)空穴的傳輸速率，利用量子阱層，形成一個空穴的勢阱，使傳輸?shù)目昭ń涍^此區(qū)域一部分被勢阱(量子阱)限制，另一部分傳輸?shù)桨l(fā)光層與電子進行復合產生激子。其中，醋酸鋅層31中醋酸鋅功函數(shù)為-7.2eV,為量子阱勢壘，空穴緩沖層33的HOMO能級約為-5.4eV,為量子阱勢阱，兩者之間有1.8eV的電勢差，可有效抑制空穴的傳輸。
[0045]變化量子阱層30中醋酸鋅層31及空穴緩沖層33的層數(shù)可以對空穴傳輸速率進行調控，最終提高激子的復合幾率，此時量子阱層30包括三個以上的醋酸鋅層31，相鄰的兩個醋酸鋅層31之間設有空穴緩沖層33，即醋酸鋅層/[空穴緩沖層/醋酸鋅層]n，空穴緩沖層33的層數(shù)即量子阱層30的周期數(shù)n為大于等于I且小于等于5的整數(shù)。
[0046]步驟S120、在量子阱層30表面形成發(fā)光層40。
[0047]發(fā)光層40由蒸鍍形成。發(fā)光層40的材料為發(fā)光材料與空穴傳輸材料摻雜形成的混合物。發(fā)光材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)，空穴傳輸材料為I, 1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)、4，4,，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N，- (1-萘基)-N，N，- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(冊8)。其中，發(fā)光材料的質量百分含量為1%?20%，優(yōu)選為10%。發(fā)光層40的材料優(yōu)選為Ir(ppy)3與NPB摻雜形成的混合物。發(fā)光層40的厚度為2nnT30nm,優(yōu)選為20nm。
[0048]步驟S130、在發(fā)光層40表面形成電子傳輸層50。
[0049]電子傳輸層50由蒸鍍形成。電子傳輸層50的材料為4，7_ 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)U, 2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI )，優(yōu)選為TPBI。電子傳輸層50的厚度為40nnT80nm,優(yōu)選為60nm。
[0050]步驟S140、在電子傳輸層50表面形成電子注入層60。
[0051]電子注入層60由蒸鍍形成。電子注入層60的材料為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或氟化鋰(LiF)，優(yōu)選為LiF。電子注入層60的厚度為0.5nm?10nm，優(yōu)選為0.7nm。
[0052]步驟S150、在電子注入層60表面形成陰極70。
[0053]陰極70由蒸鍍形成。陰極70的材料為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au),優(yōu)選為Ag。陰極70的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為120nm。
[0054]上述有機電致發(fā)光器件制備方法，由旋涂的方法制備量子阱層30，工藝簡單。
[0055]以下結合具體實施例對本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法進行詳細說明。
[0056]本發(fā)明實施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜設備(沈陽科學儀器研制中心有限公司，壓強〈IX 10_3Pa)、電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2602)、電致發(fā)光光譜測試儀(美國photo research公司，型號:PR650)以及屏幕亮度計(北京師范大學，型號:ST-86LA)。
[0057]實施例1
[0058]本實施例制備的結構為IT0/ZnAC2: (PEDOT: PSS: ZnAC2) 2/NPB:1r (ppy) 3/TPBi/LiF/Ag的有機電致發(fā)光器件。
[0059]先將ITO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；清洗干凈后對ITO進行氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ;旋涂制備量子阱層:醋酸鋅層/[空穴緩沖層/醋酸鋅層]2，醋酸鋅層的厚度為50nm，由質量濃度為18%的醋酸鋅溶液旋涂形成，空穴緩沖層的厚度為40nm，由質量濃度為2%的PED0T:PSS的水溶液旋涂形成，其中PEDOT與PSS的質量比為2: 1，旋涂在室溫下進行；蒸鍍發(fā)光層，材料為Ir(ppy)3:NPB，摻雜比例為10%，厚度為20nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為60nm ;蒸鍍電子注入層，材料為LiF，厚度為
0.7nm ;蒸鍍陰極，材料為Ag，厚度為120nm，最后得到所需要的無機量子阱有機電致發(fā)光器件。蒸鍍發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極的條件基本一致，均在真空下進行，溫度為200°C，壓強為 l(T5Pa。
[0060]請參閱圖3，所示為實施例1中制備的結構為IT0/ZnAC2: (PEDOT: PSS: ZnAC2) 2/NPB:1r(ppy)3/TPBi/LiF/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結構為ITO/PEDOT: PSS/NPB:1r (ppy) 3/TPBi/LiF/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線2)的流明效率與亮度的關系。對比例制備有機電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實施例1均相同，其不同在于用空穴緩沖層(PEDOT:PSS)取代量子阱層 ZnAC2: (PEDOT:PSS:ZnAC2)2。
[0061]從圖上可以看到，在不同的亮度下，實施例1的流明效率都比對比例的要大，最大的流明效率為19.71m/W，而對比例的僅為15.llm/W，這就說明，當采用本發(fā)明的量子阱結構時，對空穴傳輸速率進行了調控，使空穴的傳輸速率與電子的傳輸速率匹配，從而提高空穴-電子的復合幾率，最終提高了發(fā)光效率。
[0062]以下各個實施例制備的有機電致發(fā)光器件的電流效率都與實施例1相類似，各有機電致發(fā)光器件也具有類似的電流效率，在下面不再贅述。
[0063]實施例2
[0064]本實施例制備的結構為IZ0/ZnAC2: (PEDOT: PSS: ZnAC2)/TCTA = Firp ic/Bphen/CsF/Au的有機電致發(fā)光器件。
[0065]先將IZO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；清洗干凈后對導電基底進行合適的處理:氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ;接著旋涂量子阱:醋酸鋅層/[空穴緩沖層/醋酸鋅層]:，醋酸鋅層的厚度為20nm，由質量濃度為35%的醋酸鋅溶液旋涂形成，空穴緩沖層的厚度為lOOnm，由質量濃度為1%的PED0T:PSS的水溶液旋涂形成，其中PEDOT與PSS的質量比為3.5: 1，旋涂在室溫下進行；蒸鍍發(fā)光層，材料為TCTA:Firpic，摻雜比例為20%,厚度為30nm ;蒸鍍電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為80nm ;蒸鍍電子注入層,材料為CsF，厚度為0.5nm ;蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為250nm。最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極的條件基本一致，均在真空下進行，溫度為200°C，壓強為 l(T5Pa。
[0066]實施例3[0067]本實施例制備的結構為IT0/ZnAC2: (PEDOT: PSS: ZnAC2) 5/NPB:1r (MDQ) 2 (acac) /TAZ/CsN3/A1的有機電致發(fā)光器件。
[0068]先將ITO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；清洗干凈后對導電基底進行合適的處理:氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ;接著旋涂量子阱:醋酸鋅層/[空穴緩沖層/醋酸鋅層]5，醋酸鋅層的厚度為20nm，由質量濃度為10%的醋酸鋅溶液旋涂形成，空穴緩沖層的厚度為20nm，由質量濃度為10%的PED0T:PSS的水溶液旋涂形成，其中PEDOT與PSS的質量比為2: I，旋涂在室溫下進行；蒸鍍發(fā)光層，材料為NPB:1r(MDQ)2 (acac)，摻雜比例為1%，厚度為2nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為40nm ;蒸鍍電子注入層，材料為CsN3，厚度為IOnm ;蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為80nm。最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極的條件基本一致，均在真空下進行，溫度為200°C，壓強為 l(T5Pa。
[0069]實施例4
[0070]本實施例制備的結構為AZ0/ZnAC2: (PEDOT: PSS: ZnAC2) 3/TAPC:1r (ppy) 3/TPBi/Cs2C03/Pt的有機電致發(fā)光器件。
[0071]先將AZO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；清洗干凈后對導電基底進行合適的處理:氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W;接著旋涂量子阱接著旋涂量子阱:醋酸鋅層/[空穴緩沖層/醋酸鋅層]3，醋酸鋅層的厚度為lOOnm，由質量濃度為25%的醋酸鋅溶液旋涂形成，空穴緩沖層的厚度為20nm，由質量濃度為5%的PED0T:PSS的水溶液旋涂形成，其中PEDOT與PSS的質量比為6: 1，旋涂在室溫下進行；蒸鍍發(fā)光層，材料為TAPC:1r (ppy)3，摻雜比例為8%，厚度為12nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為70nm ；蒸鍍電子注入層，材料為Cs2CO3，厚度為5nm ;蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為180nm。最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極的條件基本一致，均在真空下進行，溫度為200°C，壓強為10_5Pa。
[0072]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，其特征在于，所述有機電致發(fā)光器件還包括形成于所述陽極及所述發(fā)光層之間的量子阱層，所述量子阱層包括依次層疊的至少兩層醋酸鋅層及設置于相鄰的兩層醋酸鋅層之間的空穴緩沖層，所述空穴緩沖層的材料為PEDOT與PSS的混合物。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述醋酸鋅層及所述空穴緩沖層的厚度均為20nnTl00nm。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴緩沖層的層數(shù)為大于等于I且小于等于5的整數(shù)。
4.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述PEDOT與PSS的質量比為 2:1?6:1。
5.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為發(fā)光材料與空穴傳輸材料摻雜形成的混合物，所述發(fā)光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥，所述空穴傳輸材料為1，1_ 二 [4-[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4/，4"-三(咔唑-9 -基)三苯胺或N，N，- (1-萘基)-N，N，- 二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺，所述發(fā)光材料的質量百分含量為1%?20%。
6.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、I, 2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。
7.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或氟化鋰。
8.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在基底表面形成陽極； 在陽極表面形成量子阱層，所述量子阱層包括依次層疊的至少兩層醋酸鋅層及設置于相鄰的兩層醋酸鋅層之間的空穴緩沖層，所述空穴緩沖層的材料為PEDOT與PSS的混合物； 在所述量子阱層表面形成發(fā)光層； 在所述發(fā)光層表面形成電子傳輸層； 在所述電子傳輸層表面形成電子注入層；及 在所述電子注入層表面形成陰極。
9.根據(jù)權利要求8所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述醋酸鋅層由醋酸鋅溶液旋涂后干燥形成。
10.根據(jù)權利要求9所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述醋酸鋅溶液由以下步驟配制得到:將水和醋酸溶液以體積比1: 2混合形成溶劑；將氧化鋅加入到所述溶劑中形成質量濃度為109^35%的醋酸鋅溶液。
【文檔編號】H01L51/56GK103427028SQ201210147457
【公開日】2013年12月4日 申請日期:2012年5月14日 優(yōu)先權日:2012年5月14日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司