一種納米線紫外光探測(cè)器及其制備方法與應(yīng)用的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種納米線紫外光探測(cè)器及其制備方法與應(yīng)用，所述探測(cè)器包括基底層（1）、位于基底層上的光響應(yīng)層（2），第一電極（3）和第二電極（4），分別連接第一電極引線（5）和第二電極引線（6），所述光響應(yīng)層為Ni-NiO納米線。本發(fā)明的紫外光探測(cè)器的制備方法簡(jiǎn)單，成本低廉，易于工業(yè)化批量生產(chǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種納米線紫外光探測(cè)器及其制備方法與應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種納米線紫外光探測(cè)器及其制備方法與應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，納米線在紫外光探測(cè)方面的潛在用途引起了人們的極大興趣。而大多用于用于制作紫外光探測(cè)器的納米線為ZnO,例如文獻(xiàn):Suo Bai, Weiwei ffu, YongQinj Nuanyang Cuij Dylan J.Bayer,and Xudong Wang, High-Performance IntegratedZnO Nanowire UV Sensors on Rigid and Flexible Substrates, ADVANCED FUNCTIONALMATERIALS，2011，21:4464-4469 和 Venkata Chivukulaj Daumantas Ciplysj MichaelShurj and Partha Duttaj ZnO nanoparticle surface acoustic wave UV sensor, APPLIEDPHYSICS LETTERS96，233512 (2010)所介紹的。這類(lèi)以氧化鋅等材料制作的紫外探測(cè)器，因材料自身性質(zhì)(易被酸、堿、脂肪酸等材料腐蝕)，不適用于油氣田等惡劣環(huán)境下。
[0003]目前還沒(méi)有發(fā)現(xiàn)采用N1-NiO納米線制作紫外光納米線探測(cè)器的報(bào)道。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種新材料制備的納米線紫外光探測(cè)器。本發(fā)明的探測(cè)器是采用N1-NiO納米線制作，響應(yīng)快、制作簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉，在紫外光探測(cè)、目標(biāo)跟蹤方面具有廣闊前景。
[0005]本發(fā)明的另一目的在于提供所述納米線紫外光探測(cè)器的制備方法。
[0006]本發(fā)明的再一目的在于提供一種測(cè)量連續(xù)紫外光或者脈沖紫外光的強(qiáng)度的方法。
[0007]為達(dá)上述目的，一方面，本發(fā)明提供了一種納米線紫外光探測(cè)器，所述探測(cè)器包括:基底層1、位于基底層上的光響應(yīng)層2,第一電極3和第二電極4,分別連接第一電極引線5和第二電極引線6，所述光響應(yīng)層為N1-NiO納米線。
[0008]本發(fā)明主要在于光響應(yīng)層材料的選擇，即采用N1-NiO制成光響應(yīng)層。探測(cè)器本身結(jié)構(gòu)可以參照現(xiàn)有技術(shù)類(lèi)似產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)，即可得到本發(fā)明的N1-NiO納米線紫外光探測(cè)器。
[0009]然而為了進(jìn)一步提高本發(fā)明的探測(cè)器的性能，本發(fā)明優(yōu)選采用如下結(jié)構(gòu)的探測(cè)器:
[0010]根據(jù)本發(fā)明具體的實(shí)施方案，優(yōu)選所述第一電極3和第二電極4分別設(shè)置在所述基底層I和光響應(yīng)層2的上下兩端。
[0011]根據(jù)本發(fā)明具體的實(shí)施方案，優(yōu)選所述N1-NiO納米線垂直于基底層或平行于基底層；
[0012]所述N1-NiO納米線為納米線陣列或單根排列的N1-NiO納米線。
[0013]其中優(yōu)選所述納米線陣列的每個(gè)單元的面積為IcmX Icm ；
[0014]當(dāng)所述納米線垂直于基底層時(shí)，納米線分布密度為I?50根/um2，優(yōu)選為11根/
[0015] 當(dāng)所述納米線平行于基底層時(shí)，納米線分布密度為1000?16000根/mm2，優(yōu)選為8000 根 /mm2。
[0016]單根N1-NiO納米線為平行于基底排列。
[0017]根據(jù)本發(fā)明具體的實(shí)施方案，優(yōu)選所述N1-NiO納米線直徑為5?500nm，高度為10 ?500 μ m ；
[0018]受本發(fā)明的納米線結(jié)構(gòu)要求，納米線直徑過(guò)小會(huì)導(dǎo)致器件變形，而直徑過(guò)大則會(huì)導(dǎo)致性能下降。
[0019]其中再優(yōu)選直徑為250nm，高度為50 μ m。
[0020]根據(jù)本發(fā)明具體的實(shí)施方案，優(yōu)選所述探測(cè)器還包括連接于第一電極引線和第二電極引線之間的放大電路或電壓測(cè)試設(shè)備；
[0021 ] 所述的電壓測(cè)試設(shè)備用來(lái)測(cè)量光生電壓。
[0022]再優(yōu)選所述電壓測(cè)試設(shè)備為電壓放大器或示波器。
[0023]根據(jù)本發(fā)明具體的實(shí)施方案，優(yōu)選所述探測(cè)器還包括連接于第一電極引線和第二電極引線之間的電阻7和/或電容7’ ；
[0024]其中再優(yōu)選所述電阻阻值為I Ω?IM Ω，優(yōu)選所述電容容量為IpF?500 μ F ;
[0025]其中更優(yōu)選所述電阻阻值為1ΜΩ，所述電容容量為500 μ F。
[0026]通過(guò)設(shè)置電阻和/電容,可以加快響應(yīng)速度。
[0027]本發(fā)明所述的基底層的材質(zhì)可以參照現(xiàn)有技術(shù)類(lèi)似產(chǎn)品的材質(zhì)，為了進(jìn)一步提高本發(fā)明探測(cè)器的性能，本發(fā)明優(yōu)選采用金、銀或鉬中的一種。
[0028]本發(fā)明還可以進(jìn)一步優(yōu)選所述電極的形狀為點(diǎn)狀、線狀或平面狀；
[0029]所述電極可以?xún)?yōu)選用真空鍍膜、磁控濺射光刻或化學(xué)腐蝕方法制備；本領(lǐng)域技術(shù)人員均清楚知曉這些方法的操作。
[0030]另一方面，本發(fā)明還提供了所述納米線紫外光探測(cè)器的制備方法，
[0031]所述制備方法包括如下步驟:
[0032](I)納米線的生長(zhǎng):用模板制備納米線，去除未與基底層相接觸的模板，氧化處理，得到N1-NiO納米線陣列；
[0033](2)將制備好的N1-NiO納米線陣列切割，設(shè)置第一電極和第二電極，以及分別和第一電極、第二電極連接的第一電極引線和第二電極引線。
[0034]根據(jù)本發(fā)明具體的實(shí)施方案，優(yōu)選步驟(I)制備納米線是用刻蝕法、凝膠溶膠法、水熱法或直流電泳法制備，優(yōu)選用直流電泳法。
[0035]本發(fā)明所述的電泳條件可以參考現(xiàn)有技術(shù)，電泳條件的具體參數(shù)并不影響本發(fā)明首要目的的實(shí)現(xiàn)，然而為了進(jìn)一步提高本發(fā)明的納米線質(zhì)量，本發(fā)明還可以?xún)?yōu)選所述直流電泳條件為:直流電泳法，生長(zhǎng)參數(shù):1、反應(yīng)液(80.46g/L Ni2SO4.7H20，45g/L H3BO4,加入硫酸調(diào)節(jié)ph值至3);2、電流密度(電流:起始電流為6mA/cm2,兩分鐘后降低為3mA/cm2);3、反應(yīng)時(shí)間(3小時(shí))；4、反應(yīng)溫度(15至30攝氏度)。
[0036]根據(jù)本發(fā)明具體的實(shí)施方案，優(yōu)選步驟(I)所述模板為氧化鋁模板，模板孔徑為250nm，孔間隔為70nm ;所述氧化處理?xiàng)l件為:壓強(qiáng)為0.01?0.02Mpa，氧化溫度為400°C，氧化時(shí)間為8小時(shí)，升溫降溫速率均為10°C /min。
[0037]所述的氧化無(wú)需加入任何的氧化劑或者助劑，僅僅依靠空氣中的氧氣即可。
[0038]本發(fā)明還可以再進(jìn)一步優(yōu)選，所述的氧化操作為:在氧化之前，應(yīng)使用500g/L的氫氧化鈉溶液浸泡7分鐘左右，去除1/3至1/2模板；然后清洗，再氧化，得到部分氧化的納米線。
[0039]其中可以按照現(xiàn)有技術(shù)其他紫外光探測(cè)器中納米線氧化處理的過(guò)程，在相應(yīng)部位去除1/3至1/2模板，然后進(jìn)行部分氧化。
[0040]這種去除1/3至1/2模板的操作為本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)手段，無(wú)需本領(lǐng)域技術(shù)人員付出更多的創(chuàng)造性勞動(dòng)。
[0041]根據(jù)本發(fā)明具體的實(shí)施方案，優(yōu)選步驟(2)所述固定為用銀膠結(jié)，第一電極引線和第二電極弓I線用銀膠結(jié)在第一電極和第二電極上。
[0042]另一方面，本發(fā)明還提供了所述納米線紫外光探測(cè)器的應(yīng)用，由于本發(fā)明的納米線紫外光探測(cè)器輸出光敏信號(hào)反應(yīng)快，時(shí)間短，可達(dá)到100個(gè)納秒，隨著紫外光強(qiáng)度的變化，光生電壓信號(hào)的極值也清楚而且可分辨，可以用來(lái)測(cè)量連續(xù)紫外光或者脈沖紫外光的強(qiáng)度。即，本發(fā)明還提供了一種測(cè)量連續(xù)紫外光或者脈沖紫外光的強(qiáng)度的方法，其中是應(yīng)用本發(fā)明所述的納米線紫外光探測(cè)器進(jìn)行測(cè)量。
[0043]綜上所述，本發(fā)明提供了一種納米線紫外光探測(cè)器及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明所提供的納米線紫外光探測(cè)器具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0044]本發(fā)明的紫外光探測(cè)器的制備方法簡(jiǎn)單，成本低廉，易于工業(yè)化批量生產(chǎn)。該器件輸出光敏信號(hào)反應(yīng)快，時(shí)間短，可達(dá)到100個(gè)納秒，隨著紫外光強(qiáng)度的變化,光生電壓信號(hào)的極值也清楚而且可分辨，可以用來(lái)測(cè)量連續(xù)紫外光或者脈沖紫外光的強(qiáng)度，同時(shí)能夠在高溫、高壓以及酸堿等條件保持穩(wěn)定。該紫外探測(cè)器紫外光檢測(cè)波段較寬，不僅可以檢測(cè)各個(gè)波段的紫外光，也可用于連續(xù)波長(zhǎng)的紫外光檢測(cè)。由納米線陣列構(gòu)成的探測(cè)器結(jié)構(gòu)，可增大探測(cè)器對(duì)紫外光的吸收，大大增強(qiáng)光生電壓信號(hào)幅值。本發(fā)明提供的采用N1-NiO納米線制作的紫外光探測(cè)器件在工業(yè)(如，機(jī)床的位置控制、目標(biāo)跟蹤、精密定位)、國(guó)防(如，紫外光準(zhǔn)直、光源跟蹤)等方面具有廣泛的應(yīng)用前景。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0045]圖1是利用N1-NiO納米線制作的紫外光探測(cè)器件的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；[0046] 閱圖2是利用N1-NiO納米線制作的紫外光探測(cè)器件的另一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖; [0047]圖3是本發(fā)明的探測(cè)波長(zhǎng)為248nm紫外脈沖激光照射探測(cè)器所產(chǎn)生的光生伏特信號(hào)圖；[0048]圖4是入射角為90°時(shí)365nm紫外光照射下的光生伏特信號(hào)；[0049]圖5是本發(fā)明的探測(cè)波長(zhǎng)為365nm紫外光照射探測(cè)器所產(chǎn)生的光生伏特信號(hào)圖；[0050]圖6是本發(fā)明的探測(cè)模擬太陽(yáng)光照射探測(cè)器所產(chǎn)生的光生伏特信號(hào)圖；[0051]圖7為實(shí)施例3紫外探測(cè)器的1-V曲線測(cè)量圖；[0052]圖8為氧化鋅納米線紫外探測(cè)器的信號(hào)圖。[0053]附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明:[0054]I基底2光響應(yīng)層3第一電極4第二電極[0055]5第一電極引線6第二電極引線7電阻。【具體實(shí)施方式】
[0056]以下通過(guò)具體實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施過(guò)程和產(chǎn)生的有益效果，旨在幫助閱讀者更好地理解本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和特點(diǎn)，不作為對(duì)本案可實(shí)施范圍的限定。
[0057]本發(fā)明提供的紫外光探測(cè)器可以包括以下具體結(jié)構(gòu):
[0058]如圖1所示，該紫外光探測(cè)器包括:基底I ;厚度為50微米的光響應(yīng)層2，生長(zhǎng)于基底I上，光響應(yīng)層2為N1-NiO納米線陣列層；第一電極3和第二電極4分別設(shè)置在基底I和光響應(yīng)層2的上下兩端，分別連接第一電極引線5和第二電極引線6 ;阻值為I Ω-1ΜΩ的電阻(R) 7，連接于第一電極引線5和第二電極引線6之間。
[0059]如圖2所示，該紫外光探測(cè)器包括:基底I ;厚度為250nm的光響應(yīng)層2，生長(zhǎng)于基底I上，光響應(yīng)層2為單根N1-NiO納米線；第一電極3和第二電極4分別設(shè)置光響應(yīng)層2的左右兩端，分別連接第一電極引線5和第二電極引線6 ;阻值為1Ω-1ΜΩ的電阻(R)7，連接于第一電極引線5和第二電極引線6之間。
[0060]實(shí)施例1
[0061]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)施例提供的紫外光探測(cè)器的結(jié)構(gòu)以及制備進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
[0062]參考圖1，制備以N1-NiO納米線材料制作光響應(yīng)層的紫外光探測(cè)器件:選用直流電泳沉積設(shè)備，利用氧化鋁模板直接生長(zhǎng)Ni納米線，厚度為50um，直徑為250nm，在去除部分模板后，經(jīng)過(guò)高溫氧化，得到N1-NiO納米線樣品；所述直流電泳條件為:直流電泳法。生長(zhǎng)參數(shù):1、反應(yīng)液(80.46g/L Ni2SO4.7H20，45g/L H3BO4，加入硫酸調(diào)節(jié)ph值至3) ;2、電流密度(電流:起始電流為6mA/cm2，兩分鐘后降低為3mA/cm2);3、反應(yīng)時(shí)間(3小時(shí));4、反應(yīng)溫度(15至30攝氏度);所述的氧化操作為:在氧化之前,應(yīng)使用500g/L的氫氧化鈉溶液浸泡7分鐘左右，去除1/3至1/2模板；然后清洗，再氧化，通過(guò)控制氧化條件，得到部分氧化的納米線。所述的氧化條件為:壓強(qiáng)為0.01?0.02Mpa，氧化溫度為400°C，氧化時(shí)間為8小時(shí)，升溫降溫速率均為10°C /min。
[0063]把制備好的N1-NiO納米線樣品切割成尺寸為I X Icm2的芯片2，用銀膠在左右邊的表面對(duì)稱(chēng)位置上，設(shè)置第一電極3和第二電極4成為一組,其中第一電極為銀，第二電極為金，電極3約為Imm2 ;用Φ0.05mm的銅線作第一電極引線5和第二電極引線6,其一端分別用銀膠接在第一電極3和第二電極4上；在引線5、6之間并聯(lián)阻值為1ΜΩ的電阻(R)7，這樣探測(cè)器就制備完成。
[0064]用波長(zhǎng)為248nm的脈沖激光照射這個(gè)紫外光探測(cè)器，電極3、4間輸出光生伏特電壓信號(hào)，得到光生伏特信號(hào)。圖4是本發(fā)明的探測(cè)波長(zhǎng)為248nm紫外脈沖激光照射探測(cè)器所產(chǎn)生的光生伏特信號(hào)圖。
[0065]用波長(zhǎng)為365nm的連續(xù)紫外光照射這個(gè)紫外光探測(cè)器，電極3、4間輸出光生伏特電壓信號(hào)，得到光生伏特信號(hào)。圖5是本發(fā)明的探測(cè)波長(zhǎng)為365nm紫外光照射探測(cè)器所產(chǎn)生的光生伏特信號(hào)圖。
[0066]從圖4、圖5可以看出，該紫外探測(cè)器可探測(cè)脈沖紫外光，信號(hào)明顯，反應(yīng)迅速；也可探測(cè)連續(xù)紫外光，信號(hào)明顯、穩(wěn)定，反應(yīng)迅速；并且對(duì)248nm、365nm兩個(gè)波段的紫外光均有響應(yīng)。
[0067]實(shí)施例2[0068]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)施例提供的紫外光探測(cè)器的結(jié)構(gòu)以及制備進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
[0069]參考圖2，制備以N1-NiO納米線材料制作光響應(yīng)層的紫外光探測(cè)器件:選用直流電泳沉積設(shè)備，利用氧化鋁模板直接生長(zhǎng)Ni納米線，厚度為50um，直徑為250nm，在去除部分模板后，經(jīng)過(guò)高溫氧化，得到N1-NiO納米線樣品；所述直流電泳條件為:直流電泳法。生長(zhǎng)參數(shù):1、反應(yīng)液(80.46g/L Ni2SO4.7H20，45g/L H3BO4，加入硫酸調(diào)節(jié)ph值至3) ;2、電流密度(電流:起始電流為6mA/cm2，兩分鐘后降低為3mA/cm2);3、反應(yīng)時(shí)間(3小時(shí));4、反應(yīng)溫度(15至30攝氏度);所述的氧化操作為:在氧化之前,應(yīng)使用500g/L的氫氧化鈉溶液浸泡7分鐘左右，去除1/3至1/2模板；然后清洗，再氧化，通過(guò)控制氧化條件，得到部分氧化的納米線。所述的氧化條件為:壓強(qiáng)為0.01?0.02Mpa，氧化溫度為400°C，氧化時(shí)間為8小時(shí)，升溫降溫速率均為10°C /min。
[0070]把制備好的N1-NiO納米線樣品完全去除氧化鋁模板，得到單根N1-NiO納米線2，并排列在娃基底I上。設(shè)置第一電極3和第二電極4成為一組；用Φ 0.05mm的銅線作第一電極引線5和第二電極引線6，其一端分別接在第一電極3和第二電極4上；在引線5、6之間并聯(lián)阻值為1ΜΩ的電阻(R) 7，這樣探測(cè)器就制備完成。
[0071]用波長(zhǎng)為248nm的脈沖激光照射這個(gè)紫外光探測(cè)器，電極3、4間輸出光生伏特電壓信號(hào)，得到光生伏特信號(hào)圖與圖4類(lèi)似。
[0072]用波長(zhǎng)為365nm的連續(xù)紫外光照射這個(gè)紫外光探測(cè)器，電極3、4間輸出光生伏特電壓信號(hào)，得到光生伏特信號(hào)圖與圖5類(lèi)似。
[0073]實(shí)施例3
[0074]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)施例提供的紫外光探測(cè)器的結(jié)構(gòu)以及制備進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
[0075]參考圖3，制備以N1-NiO納米線材料制作光響應(yīng)層的紫外光探測(cè)器件:選用直流電泳沉積設(shè)備，利用氧化鋁模板直接生長(zhǎng)Ni納米線，厚度為50um，直徑為250nm，在去除部分模板后，經(jīng)過(guò)高溫氧化，得到N1-NiO納米線樣品；把制備好的N1-NiO納米線樣品切割成尺寸為IXlcm2的芯片2，用銀膠在左右邊的表面對(duì)稱(chēng)位置上，設(shè)置第一電極3和第二電極4成為一組，其中第一電極為銀，第二電極為金，電極3約為Imm2;用Φ0.05mm的銅線作第一電極引線5和第二電極引線6，其一端分別用銀膠接在第一電極3和第二電極4上；在引線5、6之間并聯(lián)電壓測(cè)量器或示波器(V) 7，這樣探測(cè)器就制備完成。
[0076]用波段ISOnm至2000nm的氙燈光源模擬同等光強(qiáng)的太陽(yáng)光，使用該紫外探測(cè)器測(cè)量該模擬太陽(yáng)光，測(cè)量電極3、4間輸出光生伏特電壓信號(hào)。圖6是本發(fā)明的探測(cè)模擬太陽(yáng)光照射探測(cè)器所產(chǎn)生的光生伏特信號(hào)圖。從圖6可以看出，該紫外探測(cè)器可測(cè)量連續(xù)波長(zhǎng)的紫外光，信號(hào)幅值大，信號(hào)差可達(dá)40V，反應(yīng)迅速，上升響應(yīng)時(shí)間為11秒。
[0077]圖7為該紫外探測(cè)器的1-V曲線測(cè)量，從圖中可以看出，暗場(chǎng)電流與亮場(chǎng)電流差值明顯，電流差值可達(dá)暗場(chǎng)電流10倍以上。
[0078]對(duì)比例I
[0079]圖8為現(xiàn)有氧化鋅納米線紫外探測(cè)器的信號(hào)圖。從圖中可以看出:該器件的上升響應(yīng)時(shí)間為300至400秒。而本發(fā)明的上升時(shí)間遠(yuǎn)遠(yuǎn)短于該文獻(xiàn)中的器件，僅為11至18秒。[0080]該氧化鋅納米線紫外探測(cè)器具體可以參考如下文獻(xiàn):
[0081]文獻(xiàn):High-Performance Integrated ZnO Nanowire UV Sensors on Rigid andFlexible Substrates，
[0082]
Wang,
[0083]
作者:Suo Baij Weiwei Wuj Yong Qinj Nuanyang Cuij Dylan J.Bayerlj and Xudong來(lái)源:Adv.Funct.Mater.2011，21，4464 - 4469。
【權(quán)利要求】
1.一種納米線紫外光探測(cè)器，其特征在于，所述探測(cè)器包括基底層(I)、位于基底層(I)上的光響應(yīng)層(2)，第一電極(3)和第二電極(4)，分別連接第一電極引線(5)和第二電極引線(6)，所述光響應(yīng)層為N1-NiO納米線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測(cè)器，其特征在于，所述N1-NiO納米線為納米線陣列，優(yōu)選所述納米線陣列的每個(gè)單元的面積為IcmX Icm;所述N1-NiO納米線垂直于基底層(I);或者所述N1-NiO納米線為單根納米線，所述N1-NiO納米線平行于基底層(I);當(dāng)所述納米線垂直于基底層(I)時(shí)，納米線分布密度為I?50根/um2，更優(yōu)選為11根/um2，當(dāng)納米線平行于基底層(I)時(shí)，納米線分布密度為1000?16000根/mm2，更優(yōu)選為8000根/mm2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的探測(cè)器，其特征在于，所述N1-NiO納米線直徑為5?500nm,長(zhǎng)度為10?500 μ m,優(yōu)選直徑為250nm,長(zhǎng)度為50 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的探測(cè)器，其特征在于，所述探測(cè)器還包括連接于第一電極引線(5)和第二電極引線(6)之間的放大電路或電壓測(cè)試設(shè)備，優(yōu)選所述電壓測(cè)試設(shè)備為電壓放大器或示波器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的探測(cè)器，其特征在于，所述探測(cè)器還包括連接于第一電極引線和第二電極引線之間的電阻(7)和/或電容(7’)，優(yōu)選所述電阻阻值為I Ω?1ΜΩ，所述電容容量為IpF?500 μ F ;更優(yōu)選所述電阻阻值為IM Ω，所述電容容量為500 μ F。
6.權(quán)利要求1?5任意一項(xiàng)所述納米線紫外光探測(cè)器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟:(1)納米線的生長(zhǎng):用模板制備納米線，去除未與基底層相接觸的模板，氧化處理，得到N1-NiO納米線陣列；(2)將制備好的N1-NiO納米線陣列切割，設(shè)置第一電極和第二電極，以及分別和第一電極、第二電極連接的第一電極引線和第二電極引線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，步驟(I)制備納米線是用刻蝕法、凝膠溶膠法、水熱法或直流電泳法制備，優(yōu)選用直流電泳法。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，步驟(I)中是利用氧化鋁模板的直流電泳方法制備納米線，模板孔徑為250nm，孔間隔為70nm ;所述氧化處理?xiàng)l件為:壓強(qiáng)為0.01?0.02Mpa，氧化溫度為400°C，氧化時(shí)間為8小時(shí)，升溫降溫速率均為10°C /min。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，步驟(2)所述固定為用銀膠結(jié)，第一電極引線和第二電極引線用銀膠結(jié)在第一電極和第二電極上。
10.一種測(cè)量連續(xù)紫外光或者脈沖紫外光的強(qiáng)度的方法，其中是應(yīng)用權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述的納米線紫外光探測(cè)器進(jìn)行測(cè)量。
【文檔編號(hào)】H01L31/032GK103441180SQ201310367119
【公開(kāi)日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月21日
【發(fā)明者】相文峰, 潘亞武 申請(qǐng)人:中國(guó)石油大學(xué)(北京)