氧化物薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發明提供一種氧化物薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法和顯示裝置。該氧化物薄膜晶體管，包括襯底基板和依次設置在所述襯底基板上的柵極、柵絕緣層、氧化物有源層、源漏電極；還包括設置在氧化物有源層之上的紫外阻擋層，其中所述紫外阻擋層由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成。通過設置紫外阻擋層，阻擋紫外線對氧化物薄膜晶體管的影響，提高氧化物薄膜晶體管穩定性。
【專利說明】氧化物薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法和顯示裝置

【技術領域】
[0001] 本公開涉及液晶顯示領域，尤其涉及一種氧化物薄膜晶體管及其制造方法、陣列 基板及其制造方法，以及包括該氧化物薄膜晶體管陣列基板的顯示裝置。

【背景技術】
[0002] 隨著顯示器件的越發成熟，氧化物有源層的需求越來越高。氧化物半導體作為有 源層材料，相比傳統的非晶硅（a-Si)材料具有載流子遷移率高、制備溫度低、大面積均勻 性優良、光學透過率高等優勢，這些優勢也決定了氧化物薄膜晶體管（Oxide TFT)適用于制 備高分辨率的TFT-LCD、AM-〇LED、柔性顯示、透明顯示等新型顯示器件。
[0003] 然而，氧化物薄膜晶體管的穩定性問題是制造商們一直關注的問題，尤其是當氧 化物器件暴露于紫外照射下時，對器件會造成損傷。從材料特性上看，氧化物半導體的禁帶 寬度一般在3. 2eV?3. 6eV，對短波長紫外光有很好的吸收作用。因此，在光照和長時間負 偏柵壓作用下，氧化物薄膜晶體管（例如IGZO TFT)的閾值通常會大幅向負向移動，造成器 件功能失效。由于在不同的偏壓條件下、不同的界面狀態下、不同的制備工藝下該閾值會表 現出不同的變化趨勢，因此很難在光照下長期保持薄膜晶體管的穩定性。目前只能通過常 規的光生空穴的注入與捕獲原理以及光生載流子在溝道表面處產生不同能級的亞態從而 影響到空穴的注入與捕獲的總體效果來定性解釋。
[0004] 為此，很多研究機構提出了一些改善措施，如使用頂柵結構，或使用彩膜陣列基板 (C0A)結構，或使用Β0Α結構等，但這些方法不能及時有效的進行有源層的保護，而且體現 不出氧化物半導體透明性的特點，限制了氧化物半導體的應用范圍。


【發明內容】

[0005] 根據本發明第一方面，提供一種氧化物薄膜晶體管，包括：襯底基板；和依次設置 在所述襯底基板上的柵極、柵絕緣層、氧化物有源層、源漏電極；所述氧化物薄膜晶體管還 包括：設置在氧化物有源層之上的紫外阻擋層，其中所述紫外阻擋層由包括紫外吸收劑的 樹脂材料制成。
[0006] 根據本發明第二方面，提供一種氧化物薄膜晶體管的制造方法，包括：在襯底基板 上形成柵極、柵絕緣層和氧化物有源層；以及在氧化物有源層之上形成紫外阻擋層，其中所 述紫外阻擋層由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成。
[0007] 根據本發明第三方面，提供一種氧化物薄膜晶體管陣列基板，包括以上所述的氧 化物薄膜晶體管。
[0008] 根據本發明第四方面，提供一種氧化物薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括用 以上所述的方法制造氧化物薄膜晶體管。
[0009] 根據本發明第五方面，提供一種顯示裝置，包括以上所述的氧化物薄膜晶體管陣 列基板。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介 紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發明的一些實施例，而非對本發明的限制。 [0011] 圖1示意性示出了根據本發明實施例的氧化物薄膜晶體管；
[0012] 圖2示意性示出了根據本發明實施例的氧化物薄膜晶體管；
[0013] 圖3示意性示出了根據本發明實施例的氧化物薄膜晶體管陣列基板；
[0014] 圖4示意性示出了根據本發明實施例的氧化物薄膜晶體管陣列基板；
[0015] 圖5示意性示出了根據本發明實施例的氧化物薄膜晶體管陣列基板；
[0016] 圖6a至6i示意性示出了根據本發明實施例的氧化物薄膜晶體管陣列基板的制造 方法的各個步驟。

【具體實施方式】
[0017] 為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例 的附圖，對本發明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發 明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋景l明的實施例，本領域普通技術 人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0018] 除非另作定義，此處使用的技術術語或者科學術語應當為本發明所屬領域內具有 一般技能的人士所理解的通常意義。本發明專利申請說明書以及權利要求書中使用的"第 一"、"第二"以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的 組成部分。同樣，"一個"或者"一"等類似詞語也不表示數量限制，而是表示存在至少一個。 "包括"或者"包含"等類似的詞語意指出現在"包括"或者"包含"前面的元件或者物件涵 蓋出現在"包括"或者"包含"后面列舉的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物 件。"連接"或者"相連"等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電 性的連接，不管是直接的還是間接的。"上"、"下"、"左"、"右"等僅用于表示相對位置關系， 當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也可能相應地改變。
[0019] 實施例一
[0020] 本實施例提供一種氧化物薄膜晶體管（TFT)，包括：
[0021 ] 襯底基板；和
[0022] 依次設置在所述襯底基板上的柵極、柵絕緣層、氧化物有源層、源漏電極；
[0023] 所述氧化物薄膜晶體管還包括：
[0024] 設置在氧化物有源層之上的紫外阻擋層，其中所述紫外阻擋層由包括紫外吸收劑 的樹脂材料制成。
[0025] 在本實施例提供的氧化物薄膜晶體管中，通過在氧化物薄膜晶體管的氧化物有源 層之上設置紫外阻擋層，阻擋外界紫外線對氧化物TFT的影響，提高了氧化物TFT的穩定 性。
[0026] 實施例二
[0027] 如圖1所示，本實施例提供一種氧化物TFT，包括：
[0028] 襯底基板2 ;和
[0029] 依次設置在所述襯底基板2上的柵極4、柵絕緣層8、氧化物有源層10、刻蝕阻擋層 12、源漏電極14、16、第一鈍化層20和第一保護層22(也稱樹脂層）；
[0030] 其中刻蝕阻擋層12為紫外阻擋層。該紫外阻擋層由包括紫外吸收劑的樹脂材料 制成，用以吸收紫外光，例如波長范圍在280nm?380nm內的紫外光。
[0031] 紫外線吸收劑是一種光穩定劑，能吸收陽光及熒光光源中的紫外線部分，不同的 紫外線吸收劑可吸收不同波長的紫外線，使用時，應根據聚合物的種類選擇紫外線吸收劑。
[0032] 例如，紫外吸收劑包括水楊酸酯類、苯酮類、苯并三唑類、取代丙烯腈類、三嗪類和 受阻胺類等。水楊酸酯類及其衍生物（例如）對波長范圍在280nm?310nm內的紫外線有 較強吸收；苯并三唑類紫外吸收劑對波長范圍在280nm?380nm內的紫外線有良好的吸收； 二苯甲酮類紫外吸收劑對波長范圍在280nm?320nm內的紫外線有中等到較強的吸收；三 嗪類紫外吸收劑對波長范圍在280nm?380nm內的紫外線有很強的吸收。
[0033] 樹脂材料充當基材，其例如選自至少一個由環氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂或聚 酰胺樹脂構成的組。在制作紫外阻擋層時，將紫外吸收劑添加到樹脂材料中。樹脂材料可以 是光固化或熱固化的聚合單體或聚合物，因此可以通過光、熱、溶解蒸發等方法進行固化。
[0034] 紫外阻擋層的厚度典型地在0. 5 μ m?1. 5 μ m范圍內。樹脂材料中的紫外吸收劑 按重量百分比為0. lwt%?10. Owt%，如果添加量過少，難以阻擋紫外線對有源層10的影 響，如果添加量過大，發生反應產生的熱量將對器件產生額外影響。優選地，樹脂材料中的 紫外吸收劑按重量百分比為〇. lwt%?2. Owt%。
[0035] 在本實施例提供的氧化物TFT中，紫外阻擋層替代了現有氧化物TFT中由無機氧 化硅制成的刻蝕阻擋層12,不僅起到阻刻作用，還能吸收紫外光，從而避免了紫外光入射到 氧化物有源層10中，提高了氧化物TFT的穩定性。
[0036] 在本發明的其他實施例中，該紫外阻擋層還可以替代氧化物TFT中的其他絕緣層 或樹脂層。例如，第一鈍化層20和第一保護層22中的至少一個為紫外阻擋層。可替代地， 刻蝕阻擋層12、第一鈍化層20和第一保護層22中的至少一個為紫外阻擋層。這樣，當采用 一層紫外阻擋層時能阻擋入射到氧化物TFT中的紫外光，提高氧化物TFT的穩定性；當采用 兩層以上紫外阻擋層時，由于阻擋效果增強，氧化物TFT的穩定性更好。
[0037] 例如，如圖2所示，刻蝕阻擋層12和第一保護層22均由包括紫外吸收劑的樹脂材 料制成，這樣能雙重阻擋入射到氧化物有源層10中的紫外光。
[0038] 在本實施例的氧化物TFT中，當采用背溝道刻蝕（BCE)構造時，刻蝕阻擋層12可 以省略。在本發明所有實施例中，襯底基板2、柵極4、柵絕緣層8、氧化物有源層10、源漏電 極14、16可采用已知適合的材料制造。例如，襯底基板2由玻璃或塑料制成；柵極4、源漏 電極14、16由金屬或其合金制成；柵絕緣層8由氮化硅（SiNx)或氧化硅（Si0 2)制成；氧化 物有源層10由銦錫鋅氧（ΙΤΖ0)、鉿銦鋅氧（ΗΙΖ0)、氧化鋅（ZnO)、氧化錫（SnO)、二氧化錫 (Sn0 2)、氧化亞銅（Cu20)或氮氧化鋅（ΖηΝΟ)制成。當刻蝕阻擋層12不用作紫外阻擋層時， 其可由氮化硅（SiNx)、氧化硅（Si0 2)或氮氧化硅（SiON)制成。當第一鈍化層20不用作紫 外阻擋層時，其可由氮化硅（SiNx)、氧化硅（Si0 2)或氮氧化硅（SiON)。當第一保護層22不 用作紫外阻擋層時，其可由樹脂材料制成。
[0039] 實施例三
[0040] 本實施例提供一種制造實施例一的氧化物TFT的方法，包括：
[0041] 在襯底基板上形成柵極、柵絕緣層和氧化物有源層；以及
[0042] 在氧化物有源層之上形成紫外阻擋層，其中所述紫外阻擋層由包括紫外吸收劑的 樹脂材料制成。
[0043] 在本實施例提供的制造方法中，通過在氧化物TFT的氧化物有源層10之上形成紫 外阻擋層，阻擋外界紫外線對氧化物TFT的影響，提高了氧化物TFT的穩定性。
[0044] 實施例四
[0045] 本實施例提供一種制造實施例二的氧化物TFT的制造方法，包括：
[0046] 步驟101 :在襯底基板上形成柵極、柵絕緣層和氧化物有源層；
[0047] 步驟102 :在所述氧化物有源層上形成刻蝕阻擋層，其中刻蝕阻擋層為由包括紫 外吸收劑的樹脂材料制成的紫外阻擋層；以及
[0048] 步驟103 :在所述刻蝕阻擋層上依次形成源漏電極、第一鈍化層和第一保護層。
[0049] 在上述方法中，步驟101例如包括：
[0050] 步驟101a :提供襯底基板2,并且對襯底基板2進行清洗；
[0051] 例如，通過甲醇、丙酮、乙醇依次清洗襯底基板2,然后用氮氣吹干。
[0052] 步驟101b :在清洗過的襯底基板2上，通過物理或化學方法（例如濺射、蒸鍍、旋 涂等）形成柵金屬層，然后對柵金屬層進行圖形化處理以形成圖6a所示的柵極4 (同時形 成柵線6)。
[0053] 步驟101c :在形成有柵極4的襯底基板2上形成圖6b所示的柵絕緣層8 ;該形成 方法與前述形成柵金屬層的方法相同；
[0054] 步驟101d :在柵絕緣層8上形成氧化物層，然后對氧化物層進行圖形化處理以形 成氧化物有源層10 (圖6b)。
[0055] 在上述方法中，步驟102例如包括：
[0056] 步驟102a :按重量百分比為2. Owt%的紫外吸收劑添加至樹脂材料中以形成混合 液；
[0057] 步驟102b :將該混合液涂覆在形成有氧化物有源層10的襯底基板2上，然后通過 光、熱、溶解蒸發等方法固化；
[0058] 步驟102c :對固化后的紫外層進行圖形化處理，從而形成用作刻蝕阻擋層12的紫 外阻擋層，如圖6c所示。
[0059] 步驟102a中，紫外吸收劑在樹脂材料中的重量百分比僅為示例性的，在其他實施 例中，該重量百分比在〇. lwt %?10. Owt %范圍內。如果添加量過少，難以阻擋紫外線對有 源層10的影響，如果添加量過大，發生反應產生的熱量將對器件產生額外影響。優選地，樹 脂材料中的紫外吸收劑按重量百分比為〇. lwt%?2. Owt%。
[0060] 在上述方法中，步驟103例如包括：
[0061] 步驟103a :在所述刻蝕阻擋層12上形成源漏金屬層，然后對源漏金屬層進行圖形 化處理以形成圖6d所示的源漏電極14、16 (同時形成數據線18);
[0062] 步驟103b :在形成有源漏電極14、16的襯底基板2上形成第一鈍化膜，然后對第 一鈍化膜進行圖形化處理以形成圖6e所示的第一鈍化層20 ;
[0063] 步驟103c :在形成有第一鈍化層20的襯底基板2上形成第一保護膜，然后對第一 保護膜進行圖形化處理以形成圖6f所示的第一保護層22。
[0064] 術語"圖形化處理" 一般包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。本實施 例中的襯底基板2、柵極4、柵絕緣層8、氧化物有源層10、源漏電極14、16、第一鈍化層20和 第一保護層22采用與實施例二所述的相同材料制成，這里不再贅述。本實施例中，在形成 柵極4的同時可形成柵線6 ;在形成源漏電極14、16的同時可形成數據線18。在對第一鈍 化膜和第一保護膜進行圖形化的過程中，通常還要形成貫穿二者的第一過孔17a和第二過 孔17b，第一過孔17a構造用以連接漏極16與后續形成的第一電極24 (例如像素電極），第 二過孔17b構造用以連接數據線和第二電極28 (例如公共電極），對于該第一過孔17a和第 二過孔17b的具體形成過程，此處不再贅述。
[0065] 在上述制作方法中，紫外阻擋層替代了現有氧化物TFT中由無機氧化硅制成的刻 蝕阻擋層，不僅起到阻刻作用，還能吸收紫外光，從而避免了紫外光入射到氧化物有源層 中，提高了氧化物TFT的穩定性。
[0066] 在一個示例中，第一鈍化層20和第一保護層22中的至少一個由包括紫外吸收劑 的樹脂材料制成。可替代地，所述刻蝕阻擋層12、所述第一鈍化層20和所述第一保護層22 中的至少一個由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成。例如，如圖2所示，紫外阻擋層用作刻蝕 阻擋層12和第一保護層22。在此情況下，刻蝕阻擋層12和第一保護層22均采用與上述步 驟102相同的工藝形成，此處不再贅述。
[0067] 實施例五
[0068] 本實施例提供一種氧化物TFT陣列基板，包括實施例一或二所述的氧化物TFT。
[0069] 在本實施例提供的氧化物TFT陣列基板中，通過在氧化物TFT的氧化物有源層之 上設置紫外阻擋層，阻擋外界紫外線對氧化物TFT的影響，提高了氧化物TFT的穩定性。
[0070] 除了在氧化物TFT中設置紫外阻擋層外，還可以在氧化物TFT陣列基板的其他膜 層中設置紫外阻擋層。
[0071] 例如，如圖3所示，上述氧化物TFT陣列基板還包括依次設置在氧化物TFT上的第 一電極24和第二鈍化層26,其中該第二鈍化層26由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成。
[0072] 例如，如圖4所示，上述氧化物TFT陣列基板還包括依次設置在氧化物TFT上的第 一電極24、第二鈍化層26、第二電極28和第二保護層30,其中第二鈍化層26和第二保護 層30均由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成。在其他實施例中，第二鈍化層26和第二保護 層30中的至少一個由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成，同樣能實現本發明目的。
[0073] 例如，如圖5所示，上述氧化物TFT陣列基板，還包括依次設置在氧化物TFT上的 第一電極24、第二鈍化層26和取向膜32,其中取向膜32由包括紫外吸收劑的樹脂材料制 成。在其他實施例中，第二鈍化層26和取向膜32中的至少一個由包括紫外吸收劑的樹脂 材料制成，同樣能實現本發明目的。
[0074] 在本實施例中，第一電極24例如為像素電極，第二電極28例如為公共電極。像素 電極和公共電極的位置可互換?？梢岳斫獾氖牵诒緦嵤├峁┑难趸颰FT陣列基板中， 紫外阻擋層可以是刻蝕阻擋層12、第一鈍化層20、第一保護層22、第二鈍化層26、第二保護 層30和取向膜32中的至少一個，這樣能阻擋外界紫外線對氧化物器件的影響，提高氧化物 器件的穩定性。另外，當采用背溝道刻蝕（BCE)構造時，刻蝕阻擋層12可以省略。
[0075] 實施例六
[0076] 本實施例提供一種氧化物TFT陣列基板的制造方法，包括根據實施例三或實施例 四所述的方法制造氧化物TFT。
[0077] 在本實施例提供的氧化物TFT陣列基板的制造方法中，通過在氧化物TFT的氧化 物有源層之上形成紫外阻擋層，阻擋外界紫外線對氧化物TFT的影響，提高了氧化物TFT的 穩定性。
[0078] 除了在氧化物TFT中形成紫外阻擋層外，還可以在氧化物TFT陣列基板的其他膜 層中形成紫外阻擋層。
[0079] 例如，制作圖3所示的氧化物TFT陣列基板的方法包括：
[0080] 步驟201 :在襯底基板2上依次形成包括柵極4、柵絕緣層8、氧化物有源層10、刻 蝕阻擋層12、源漏電極14、16、第一鈍化層20和第一保護層22的氧化物TFT ;
[0081] 步驟202 :在形成有第一保護層22的襯底基板上形成第一金屬層，然后對第一金 屬層進行圖案化處理以形成圖6g所示的第一電極24,該第一電極24通過第一過孔17a與 漏極16連接；
[0082] 步驟203 :在形成有第一電極24的襯底基板上形成第二鈍化層26,其中該第二鈍 化層26由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成，如圖6h所示；該步驟與前述步驟102相同，此 處不再贅述。
[0083] 例如，制作圖4所示的氧化物TFT陣列基板的方法包括：
[0084] 步驟301 :在襯底基板2上依次形成包括柵極4、柵絕緣層8、氧化物有源層10、刻 蝕阻擋層12、源漏電極14、16、第一鈍化層20和第一保護層22的氧化物TFT ;
[0085] 步驟302 :在氧化物TFT上依次形成第一電極24、第二鈍化層26、第二電極28和 第二保護層30,其中第二鈍化層26和第二保護層30均由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成。 本步驟中，形成第二電極28后的襯底基板截面圖，第二電極28通過第二過孔17b與數據線 18連接。
[0086] 例如，制作圖5所示的氧化物TFT陣列基板的方法包括：
[0087] 步驟401 :在襯底基板2上依次形成包括柵極4、柵絕緣層8、氧化物有源層10、刻 蝕阻擋層12、源漏電極14、16、第一鈍化層20和第一保護層22的氧化物TFT ;
[0088] 步驟402 :在氧化物TFT上依次形成第一電極24、第二鈍化層26和取向膜32,其 中取向膜32由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成。
[0089] 在形成取向膜32時，例如可將紫外吸收劑添加到聚酰亞胺（Polyimide，PI)或聚 乙烯醇（PVA，Polyvinyl alcohol)等用于制備取向膜32的液體中，然后將其涂布到第二鈍 化層26上并且進行固化。
[0090] 在本實施例中，無論紫外阻擋層形成在氧化物TFT中，還是形成在氧化物TFT陣列 基板的其他膜層中，都能阻擋外界紫外線對氧化物器件的影響，提高氧化物器件的穩定性。
[0091] 實施例七
[0092] 本實施例提供一種顯示裝置包括實施例五或實施例六的氧化物TFT陣列基板。所 述顯示裝置可以是液晶面板、電子紙、0LED面板、等離子體面板、液晶電視、液晶顯示器、數 碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0093] 該顯示裝置的一個示例為液晶顯示裝置，其中，陣列基板與對置基板彼此對置以 形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。該對置基板例如為彩膜基板。陣列基板的每個 像素單元的像素電極用于施加電場對液晶材料的旋轉的程度進行控制從而進行顯示操作。 在一些示例中，該液晶顯示裝置還包括為陣列基板提供背光的背光源。
[0094] 該顯示裝置的另一個示例為有機電致發光顯示裝置（OLED)，其中，陣列基板上形 成有有機發光材料疊層，每個像素單元的像素電極作為陽極或陰極用于驅動有機發光材料 發光以進行顯示操作。
[0095] 該顯示裝置的再一個示例為電子紙顯示裝置，其中，陣列基板上形成有電子墨水 層，每個像素單元的像素電極作為用于施加驅動電子墨水中的帶電微顆粒移動以進行顯示 操作的電壓。
[0096] 在本實施例提供的顯示裝置中，通過在氧化物有源層之上設置紫外阻擋層，阻擋 外界紫外線對顯示裝置的影響，提高了顯示裝置的穩定性。
[0097] 以上所述僅是本發明的示范性實施方式，而非用于限制本發明的保護范圍，本發 明的保護范圍由所附的權利要求確定。
【權利要求】
1. 一種氧化物薄膜晶體管，包括： 襯底基板；和 依次設置在所述襯底基板上的柵極、柵絕緣層、氧化物有源層、源漏電極； 所述氧化物薄膜晶體管還包括： 設置在氧化物有源層之上的紫外阻擋層，其中所述紫外阻擋層由包括紫外吸收劑的樹 脂材料制成。
2. 根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，還包括設置在所述氧化物有源層和所述 源漏電極之間的刻蝕阻擋層，其中所述紫外阻擋層用作所述刻蝕阻擋層。
3. 根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，還包括依次設置在源漏電極上的第一鈍 化層和第一保護層，其中所述紫外阻擋層用作所述第一鈍化層和所述第一保護層中的至少 一個。
4. 根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，還包括設置在所述氧化物有源層和所 述源漏電極之間的刻蝕阻擋層，以及依次設置在源漏電極上的第一鈍化層和第一保護層， 其中所述紫外阻擋層用作所述刻蝕阻擋層、所述第一鈍化層和所述第一保護層中的至少一 個。
5. 根據權利要求1至4任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其中所述紫外吸收劑包括水 楊酸酯類、苯酮類、苯并三唑類、取代丙烯腈類、三嗪類和受阻胺類吸收劑。
6. 根據權利要求1至5任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其中所述樹脂材料選自至少 一個由環氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂或聚酰胺樹脂構成的組。
7. 根據權利要求1至6任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其中所述樹脂材料中的紫 外吸收劑按重量百分比為〇. lwt %?10. Owt %，并且所述紫外阻擋層的厚度為0. 5 μ m? L 5 μ m〇
8. -種氧化物薄膜晶體管的制造方法，包括： 在襯底基板上形成柵極、柵絕緣層和氧化物有源層；以及 在氧化物有源層之上形成紫外阻擋層，其中所述紫外阻擋層由包括紫外吸收劑的樹脂 材料制成。
9. 根據權利要求8所述的制造方法，還包括： 在所述氧化物有源層上形成刻蝕阻擋層，其中所述刻蝕阻擋層為所述紫外阻擋層。
10. 根據權利要求8所述的制造方法，還包括： 在所述氧化物有源層上依次形成源漏電極、第一鈍化層和第一保護層，其中所述第一 鈍化層和所述第一保護層中的至少一個為所述紫外阻擋層。
11. 根據權利要求8所述的制造方法，還包括： 在所述氧化物有源層上依次形成刻蝕阻擋層、源漏電極、第一鈍化層和第一保護層，其 中所述刻蝕阻擋層、所述第一鈍化層和所述第一保護層中的至少一個為所述紫外阻擋層。
12. 根據權利要求8至11任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其中所述紫外吸收劑包括 水楊酸酯類、苯酮類、苯并三唑類、取代丙烯腈類、三嗪類和受阻胺類吸收劑。
13. 根據權利要求8至12任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其中所述樹脂材料選自至 少一個由環氧樹脂、丙烯酸樹脂、酚醛樹脂或聚酰胺樹脂構成的組。
14. 根據權利要求8至13任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其中所述樹脂材料中的紫 外吸收劑按重量百分比為0. lwt %?10. Owt %，并且所述紫外阻擋層的厚度為0. 5 μ m? L 5 μ m〇
15. 根據權利要求8至14任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其中形成紫外阻擋層包 括： 將紫外吸收劑添加到樹脂材料中以形成混合物；以及 涂覆并且固化所述混合物以形成紫外阻擋層。
16. -種氧化物薄膜晶體管陣列基板，包括權利要求1至7任一項所述的氧化物薄膜晶 體管。
17. 根據權利要求16所述的氧化物薄膜晶體管陣列基板，還包括依次設置在所述氧化 物薄膜晶體管上的第一電極和第二鈍化層，所述第二鈍化層由包括紫外吸收劑的樹脂材料 制成。
18. 根據權利要求16所述的氧化物薄膜晶體管陣列基板，還包括依次設置在所述氧化 物薄膜晶體管上的第一電極、第二鈍化層、第二電極和第二保護層，其中所述第二鈍化層和 所述第二保護層中的至少一個由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成。
19. 根據權利要求16所述的氧化物薄膜晶體管陣列基板，還包括依次設置在所述氧化 物薄膜晶體管上的第一電極、第二鈍化層和取向膜，其中所述第二鈍化層和所述取向膜中 的至少一個由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成。
20. -種氧化物薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括如權利要求8-15所述的方法制 造氧化物薄膜晶體管。
21. 根據權利要求20所述的制造方法，還包括： 在所述氧化物薄膜晶體管上依次形成第一電極和第二鈍化層，所述第二鈍化層由包括 紫外吸收劑的樹脂材料制成。
22. 根據權利要求20所述的制造方法，還包括： 在所述氧化物薄膜晶體管上依次形成第一電極、第二鈍化層、第二電極和第二保護層， 其中所述第二鈍化層和所述第二保護層中的至少一個由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成。
23. 根據權利要求20所述的制造方法，還包括： 在所述氧化物薄膜晶體管上依次形成第一電極、第二鈍化層和取向膜，其中所述第二 鈍化層和所述取向膜中的至少一個由包括紫外吸收劑的樹脂材料制成。
24. -種顯示裝置，包括權利要求16-19任一項所述的氧化物薄膜晶體管陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK104157697SQ201410367658
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月29日 優先權日:2014年7月29日
【發明者】王燦, 劉芳 申請人:京東方科技集團股份有限公司