1.一種用于制作柵極驅動單元的方法，其特征在于，包括圖案化第二金屬層，具體包括：
在所述第二金屬層上形成光阻層；
利用半色調掩膜版對所述光阻層進行曝光和顯影；
判斷是否執行燒光阻步驟；
在判斷出執行燒光阻步驟時，采用燒光阻工藝去除光阻層上對應所述半色調掩膜版的半透光區域的光阻，采用蝕刻工藝蝕刻掉所述第二金屬層上未被光阻覆蓋的金屬，并灰化剩余光阻，得到第一金屬圖案；
在判斷出不執行燒光阻步驟時，采用蝕刻工藝蝕刻掉所述第二金屬層上未被光阻覆蓋的金屬，并灰化剩余光阻，得到第二金屬圖案。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一/二金屬圖案包括所述柵極驅動單元中開關元件的漏極和源極。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一/二金屬圖案包括所述柵極驅動單元中電容的一個極板。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一/二金屬圖案包括所述柵極驅動單元中開關元件的漏極和源極，以及所述柵極驅動單元中電容的一個電極。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述燒光阻工藝包括氧等離子體燒光阻工藝。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述半色調掩膜版被配置為調整所述柵極驅動單元中開關元件的寬長比，和/或，調整所述柵極驅動單元中電容的極板的重疊面積。
7.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，還包括：
提供襯底基板；
在所述襯底基板上形成第一金屬層，并使所述第一金屬層包括所述柵極驅動單元中開關元件的柵極；
在所述第一金屬層上形成柵極絕緣層；
在所述柵極絕緣層上形成半導體層；
在所述半導體層上形成所述第二金屬層。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其特征在于，所述第二金屬層的材料為：
銅、鋁、鉬；或者
由銅、鋁和鉬中的兩種或三種制成的合金。
9.一種采用如權利要求1至8中任一項所述的制作方法制作的柵極驅動單元。
10.一種柵極驅動電路，包括多個如權利要求9所述的柵極驅動單元，其中每個柵極驅動單元被配置成驅動與其相對應的掃描線。