本發(fā)明涉及導(dǎo)電性基材的制造方法、電子設(shè)備的制造方法、電磁波屏蔽膜的制造方法、面狀發(fā)熱體的制造方法以及導(dǎo)電性基材。

背景技術(shù)：

1、已知在基材上涂布含有導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電性組合物而設(shè)置導(dǎo)電性粒子含有層，將該導(dǎo)電性粒子含有層加熱、加壓等而形成具備導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性基材的技術(shù)。

2、作為一個(gè)例子，在專利文獻(xiàn)1的實(shí)施例中記載了如下內(nèi)容：將平均一次粒徑為7nm的銀微粒子分散在水/乙二醇中，將得到的溶液涂布在pet膜上而制成涂膜，將該涂膜在150℃下加熱、加壓；以及，通過這樣的工序而形成導(dǎo)電層。

3、作為其他例子，在專利文獻(xiàn)2的實(shí)施例中記載了如下內(nèi)容：在玻璃基材上旋涂具有中值粒徑約40nm的銅微粒子(銅納米粒子)、分散介質(zhì)和分散劑的銅微粒子分散液(銅納米墨液)而制成涂膜，然后通過燒成而形成導(dǎo)電膜。

4、作為又一個(gè)例子，在專利文獻(xiàn)3中記載了如下內(nèi)容：在基材上涂布含有(a)羥基羧酸、(b)含氮化合物、(c)銅粒子以及(d)分散介質(zhì)的導(dǎo)電性墨液組合物制成涂布膜，對(duì)該涂布膜進(jìn)行處理而形成導(dǎo)電性層。

5、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

6、專利文獻(xiàn)

7、專利文獻(xiàn)1：日本專利第6181608號(hào)公報(bào)

8、專利文獻(xiàn)2：日本特開2021－044308號(hào)公報(bào)

9、專利文獻(xiàn)3：日本特開2017－191723號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、使用含有導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電性組合物形成導(dǎo)電膜時(shí)，優(yōu)選形成的導(dǎo)電膜的電阻率盡可能變小。然而，對(duì)于例如根據(jù)專利文獻(xiàn)1～3這樣的以往已知的制造方法而得到的導(dǎo)電膜，仍存在進(jìn)一步減小電阻率的余地。

2、基于上述情況，本發(fā)明人等將使用含有導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電性組合物來制造具有電阻率小的導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性基材作為目的之一，進(jìn)行了各種研究。

3、本發(fā)明人等完成了以下提供的發(fā)明，從而解決了上述課題。

4、本發(fā)明如下。

5、1.一種導(dǎo)電性基材的制造方法，包括：

6、層疊工序，使用包含導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電性組合物在基材的表面形成導(dǎo)電性粒子含有層，得到具備基材層和導(dǎo)電性粒子含有層的層疊體；

7、浸透工序，使能夠除去上述導(dǎo)電性粒子的表面的氧化膜的成分(x)浸透到上述導(dǎo)電性粒子含有層內(nèi)；以及

8、導(dǎo)電膜形成工序，對(duì)浸透有上述成分(x)的導(dǎo)電性粒子含有層至少進(jìn)行加壓而形成導(dǎo)電膜。

9、2.根據(jù)1所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

10、在上述層疊工序和上述浸透工序之間包括加壓工序，對(duì)上述導(dǎo)電性粒子含有層至少進(jìn)行加壓。

11、3.根據(jù)2所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

12、將在上述加壓工序中施加于上述導(dǎo)電性粒子含有層的壓力設(shè)為p1，

13、將在上述導(dǎo)電膜形成工序中施加于上述導(dǎo)電性粒子含有層的壓力設(shè)為p2時(shí)，

14、p1＜p2。

15、4.根據(jù)1～3中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

16、在上述浸透工序中，使溶解或分散有上述成分(x)的液體浸透到上述導(dǎo)電性粒子含有層內(nèi)。

17、5.根據(jù)4所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

18、上述液體包含水。

19、6.根據(jù)4或5所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

20、在上述層疊工序和上述浸透工序之間，將溶解或分散有上述成分(x)的液體通過滴加、噴霧或浸漬的任意方法，至少供給至上述導(dǎo)電性粒子含有層的表面。

21、7.根據(jù)1～3中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

22、在上述浸透工序中，通過使包含上述成分(x)的片材與上述導(dǎo)電性粒子含有層接觸，從而使上述成分(x)浸透到上述導(dǎo)電性粒子含有層內(nèi)。

23、8.根據(jù)1～7中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

24、在上述導(dǎo)電膜形成工序中，一邊加熱上述導(dǎo)電性粒子含有層一邊加壓。

25、9.根據(jù)1～8中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

26、在上述導(dǎo)電膜形成工序中，用膜狀物覆蓋上述層疊體中設(shè)置有上述導(dǎo)電性粒子含有層的面的基礎(chǔ)上，對(duì)上述導(dǎo)電性粒子含有層至少進(jìn)行加壓。

27、10.根據(jù)1～9中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

28、上述浸透工序和上述導(dǎo)電膜形成工序同時(shí)進(jìn)行。

29、11.根據(jù)1～9中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

30、在上述浸透工序之后，進(jìn)行上述導(dǎo)電膜形成工序。

31、12.根據(jù)1～11中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

32、在上述導(dǎo)電膜形成工序之后，包括除去工序，除去上述導(dǎo)電膜的表面或內(nèi)部中殘留的上述成分(x)。

33、13.根據(jù)1～12中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

34、上述成分(x)包含選自有機(jī)酸、磷的含氧酸、以及肼或其衍生物中的至少任一種。

35、14.根據(jù)1～13中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

36、上述導(dǎo)電性組合物包含樹脂和粘結(jié)劑的一者或兩者。

37、15.根據(jù)1～13中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

38、上述導(dǎo)電性組合物實(shí)質(zhì)上不包含樹脂，另外，實(shí)質(zhì)上不包含粘結(jié)劑。

39、16.根據(jù)1～15中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

40、上述基材具有撓性。

41、17.根據(jù)1～16中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

42、上述基材是選自聚酯、聚烯烴、聚酰亞胺和紙中的至少任一種。

43、18.根據(jù)1～17中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

44、上述浸透工序是通過由擠壓部件對(duì)上述導(dǎo)電性粒子含有層施加壓力而進(jìn)行。

45、19.根據(jù)1～18中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

46、上述浸透工序按照以下(i)～(iii)的任一的方式進(jìn)行，

47、(i)通過一邊用對(duì)置的2個(gè)輥夾持上述層疊體，一邊在上述2個(gè)輥之間輸送而進(jìn)行。

48、(ii)將上述層疊體放置在平板上或具有平坦面的臺(tái)的上述平坦面上，從其上方接觸輥，通過一邊使該輥旋轉(zhuǎn)一邊對(duì)上述層疊體施加壓力而進(jìn)行。

49、(iii)通過具有第1平坦面的第1擠壓部件的上述第1平坦面、以及具有第2平坦面的第2擠壓部件的上述第2平坦面，夾持上述層疊體而進(jìn)行。

50、20.根據(jù)1～19中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法，其中，

51、上述導(dǎo)電膜具有圖案結(jié)構(gòu)。

52、21.一種電子設(shè)備的制造方法，使用通過1～20中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法而得到的導(dǎo)電性基材制造電子設(shè)備。

53、22.根據(jù)21所述的電子設(shè)備的制造方法，其中，

54、上述電子設(shè)備為rf標(biāo)簽。

55、23.一種電磁波屏蔽膜的制造方法，使用通過1～20中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法得到的導(dǎo)電性基材來制造電磁波屏蔽膜。

56、24.一種面狀發(fā)熱體的制造方法，使用通過1～20中的任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性基材的制造方法得到的導(dǎo)電性基材來制造面狀發(fā)熱體。

57、25.一種導(dǎo)電性基材，是具備基材和導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性基材，上述導(dǎo)電膜是使用包含導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電性組合物在上述基材的表面的至少一部分上設(shè)置的，

58、在上述導(dǎo)電膜的表面或內(nèi)部存在能夠除去上述導(dǎo)電性粒子的表面的氧化膜的成分(x)。

59、根據(jù)本發(fā)明，使用含有導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電性組合物，能夠形成電阻率小的導(dǎo)電膜。