背景技術：

1、這里提供的背景描述是為了總體呈現本公開的背景的目的。在在本背景部分中描述的信息以及在提交申請時不能確定為現有技術的說明書的各方面既不明確也不暗示地承認是針對本公開的現有技術。

2、本公開內容總體上涉及半導體設備的制造。更具體而言，此公開內容涉及用于制造半導體設備的等離子體室部件。

3、在半導體晶片處理期間，等離子體處理室用于處理半導體設備。等離子體處理室經歷等離子體。這些等離子體可使部件退化。可將涂層設置于等離子體處理室的部件的面向等離子體的表面上以保護該些表面。

4、一些涂層可利用等離子體噴涂來涂布。可使用的一種類型的涂層為鋁氧化物或氧化鋁(al2o3)。已經發現氧化鋁并未提供足夠的蝕刻抗性。另一類型可使用的涂層為釔氧化物或氧化釔(y2o3)。已發現，由于材料成本和/或處理成本的原因，高純度的氧化釔涂層制造成本高昂。盡管相較于氧化鋁，氧化釔有較佳的濺鍍抗性，但氧化釔比氧化鋁更容易發生自發性氟化反應或轉換作用。該氟反應或轉換作用可能是不合乎期望的且導致有害的行為。

技術實現思路

1、為了實現上述內容并根據此公開內容的目的，提供了一種用于等離子體處理室系統中的部件。部件本體具有面向等離子體的表面。該面向等離子體的表面包含燒綠石，該燒綠石包含鋯和鉿中的至少一者以及鑭(la)、釤(sm)、釔(y)、鉺(er)、鈰(ce)、釓(gd)、鐿(yb)和釹(nd)中的至少一者。

2、在另一具體示例中，提供一種形成用于等離子體處理室系統中的部件的方法。部件本體具有面向等離子體的表面。該面向等離子體的表面包含燒綠石，該燒綠石包含鋯(zr)和鉿(hf)中的至少一者以及鑭(la)、釤(sm)、釔(y)、鉺(er)、鈰(ce)、釓(gd)、鐿(yb)和釹(nd)中的至少一者。

3、本公開內容的這些特征和其它特征將在下文詳細描述中結合附圖進行更詳細的描述。

技術特征：

1.一種用于等離子體處理室系統中的部件，其包含具有面向等離子體的表面的部件本體，其中所述面向等離子體的表面包含燒綠石，所述燒綠石包含：

2.根據權利要求1所述的部件，其中所述燒綠石包含鋯和la。

3.根據權利要求1所述的部件，其中所述部件本體包含形成塊狀部件本體的所述燒綠石。

4.根據權利要求1所述的部件，其中所述面向等離子體的表面包含位于所述部件本體的表面上的涂層。

5.根據權利要求4所述的部件，其中所述部件本體包含導電金屬。

6.根據權利要求5所述的部件，其中所述導電金屬為耐火金屬。

7.根據權利要求4所述的部件，其中所述部件本體包含陶瓷。

8.根據權利要求4所述的部件，其中所述涂層具有100納米至300微米范圍的厚度。

9.根據權利要求1所述的部件，其中所述部件形成氣體注射器、室襯里、室壁和介電窗中的至少一者。

10.根據權利要求1所述的部件，其中所述部件本體包含陶瓷層壓層，所述陶瓷層壓層包含第一陶瓷粉末的陶瓷部件本體和在所述部件本體的表面上的燒綠石層。

11.根據權利要求10所述的部件，其中所述第一陶瓷粉末的所述陶瓷部件本體不是燒綠石。

12.一種形成用于等離子體處理室系統中的部件所述的方法，所述方法包含提供具有面向等離子體的表面的部件本體，其中所述面向等離子體的表面包含燒綠石，所述燒綠石包含鋯(zr)和鉿(hf)的至少一者，以及鑭(la)、釤(sm)、釔(y)、鉺(er)、鈰(ce)、釓(gd)、鐿(yb)和釹(nd)中的至少一者。

13.根據權利要求12所述的方法，形成所述部件本體包含：放電等離子體燒結陶瓷粉末。

14.根據權利要求12所述的方法，其中形成所述部件本體包含：

15.根據權利要求14所述的方法，其中形成所述燒綠石涂層是通過以下至少一者來進行：原子層沉積、氣溶膠沉積、熱噴涂、pvd和cvd。

16.根據權利要求12所述的方法，其中所述燒綠石包含鋯和la。

17.通過根據權利要求12所述的方法制成的產品。

技術總結
提供了一種用于等離子體處理室系統中的部件。部件本體具有面向等離子體的表面。該面向等離子體的表面包含燒綠石，該燒綠石包含鋯和鉿中的至少一者以及鑭(La)、釤(Sm)、釔(Y)、鉺(Er)、鈰(Ce)、釓(Gd)、鐿(Yb)和釹(Nd)中的至少一者。

技術研發人員：大衛·約瑟夫·韋策爾,許臨,劉磊,道格拉斯·德特爾特,阿米爾·A·亞瑟里,約翰·多爾蒂
受保護的技術使用者：朗姆研究公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28