本公開涉及一種多層陶瓷電容器及其制造方法。

背景技術：

1、使用陶瓷材料的電子組件包括電容器、電感器、壓電元件、壓敏電阻器、熱敏電阻器等。陶瓷電子組件中的多層陶瓷電容器(mlcc)由于其小型化、高容量和易于安裝的優點而可用于各種電子裝置中。

2、例如，多層陶瓷電容器(mlcc)可安裝在各種電子產品(諸如成像裝置(諸如液晶顯示器(lcd)、等離子體顯示面板(pdp)、有機發光二極管(oled)顯示器等)、計算機、個人便攜式終端和智能電話)的基板，使得多層陶瓷電容器(mlcc)用作片式電容器，該片式電容器起到在其中充電或從其放電的作用。

3、另一方面，多層陶瓷電容器(mlcc)形成如下內部結構：包括batio3的介電層和包括ni的內電極層交替堆疊，并且多層陶瓷電容器(mlcc)的外部結構包括一定厚度的batio3層，以保護片免受各種外部刺激。外部結構具有由于外部應力而產生裂紋和由于在沒有內電極層的部分中產生的臺階差而導致的電特性劣化的問題。

技術實現思路

1、本公開的一些實施例通過改善內電極層的端部處的密度來提供一種具有優異的耐濕可靠性和優異的耐電壓特性的多層陶瓷電容器。

2、另一實施例提供一種制造多層陶瓷電容器的方法。

3、根據一些實施例的多層陶瓷電容器包括：電容器主體，包括介電層和內電極層；以及外電極，設置在所述電容器主體的外表面上。所述電容器主體包括交替設置所述介電層和所述內電極層的有效部、設置在所述有效部的彼此相對的兩個側端部上的側邊緣部以及分別設置在所述有效部和所述側邊緣部之間的結合部，并且所述有效部和所述側邊緣部中的至少一個包括包含鋇(ba)和鈦(ti)的鈦酸鋇基主成分以及鎵(ga)。

4、在所述側邊緣部中可包括所述鈦酸鋇基主成分和鎵(ga)。

5、如果所述側邊緣部中的每個側邊緣部在寬度方向上基本上相等地分成兩個區域，從而將所述兩個區域中的更靠近所述結合部的區域稱為第一側邊緣部，且將所述兩個區域中的剩余區域稱為第二側邊緣部，則在所述第一側邊緣部中可包括鎵(ga)。

6、基于所述第一側邊緣部內的100重量份的鋇(ba)，所述第一側邊緣部包括的鎵(ga)的含量可在大于0重量份且小于等于1.5重量份的范圍內。

7、在所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部中可包括鎵(ga)，并且在所述第一側邊緣部中包括的鎵(ga)的含量可比在所述第二側邊緣部中包括的鎵(ga)的含量高。

8、在所述有效部中可包括所述鈦酸鋇基主成分和鎵(ga)。

9、所述有效部可包括邊界鄰近區域，所述邊界鄰近區域被定義為從所述有效部與所述結合部之間的邊界在所述電容器主體的寬度方向上朝向所述有效部的長度對應于所述側邊緣部中的每個側邊緣部的寬度方向長度的兩倍至三倍的區域，并且在所述有效部的所述邊界鄰近區域中可包括鎵(ga)。

10、如果將所述有效部的所述邊界鄰近區域在所述寬度方向上基本上相等地分成兩個區域，并且將所述兩個區域中的更靠近所述結合部的區域稱為第一有效部，且將所述兩個區域中的剩余區域稱為第二有效部，則在所述第一有效部和所述第二有效部中可包括鎵(ga)，并且所述第一有效部中的鎵(ga)的含量可比所述第二有效部中的鎵(ga)的含量高。

11、在所述側邊緣部和所述有效部中的每個可包括所述鈦酸鋇基主成分和鎵(ga)。

12、在所述側邊緣部中包括的鎵(ga)的含量可比在所述有效部中包括的鎵(ga)的含量高。

13、所述結合部可包括包含鋇(ba)和鈦(ti)的鈦酸鋇基化合物以及鎵(ga)。

14、基于所述結合部內的100重量份的鋇(ba)，所述結合部包括的鎵(ga)的含量可在0.3重量份至1.5重量份的范圍內。

15、對于所述有效部和所述結合部之間的結合表面，通過下面的等式1獲得的所述內電極層的端部處的孔產生率可大于0％且小于等于40％。

16、[等式1]

17、所述內電極層的端部處的孔產生率＝(在所述內電極層的端部處具有孔的內電極層的數量/所述內電極層的總數)×100％。

18、根據一些實施例的制造多層陶瓷電容器的方法包括：通過將包括鈦酸鋇基化合物和鎵(ga)的涂覆組合物涂覆到邊緣片的至少一個表面上來制備具有粘性表面的邊緣片；使用介電漿料制造介電生片并在所述介電生片的表面上形成導電膏層；通過層疊其上形成有所述導電膏層的介電生片來制造介電生片層疊體；將所述介電生片層疊體切割為使所述導電膏層暴露而不保留未形成所述導電膏層的區域的狀態；將具有所述粘性表面的所述邊緣片結合到所述介電生片層疊體的切割表面；通過燒制結合有所述邊緣片的所述介電生片層疊體來制造電容器主體；以及在所述電容器主體的表面上形成外電極。電容器主體包括交替設置介電層和內電極層的有效部、設置在所述有效部的彼此相對的兩個側端部處的側邊緣部以及分別設置在所述有效部和所述側邊緣部之間的結合部，并且所述有效部和所述側邊緣部中的至少一個包括包含鋇(ba)和鈦(ti)的鈦酸鋇基主成分以及鎵(ga)。

19、基于100摩爾份的所述鈦酸鋇基化合物，所述涂覆組合物包括的鎵(ga)的含量可在大于0摩爾份且小于等于6摩爾份的范圍內。

20、鎵(ga)可以以含鎵氧化物、含鎵氮化物、含鎵鹽化合物或它們的組合的形式包括在所述涂覆組合物內。

21、所述涂覆組合物還可包括粘合劑。

22、根據一些實施例的多層陶瓷電容器可通過改善內電極層的端部的密度而具有優異的耐濕可靠性和優異的耐電壓特性。

技術特征：

1.一種多層陶瓷電容器，包括：

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述側邊緣部包括所述鈦酸鋇基主成分和鎵。

3.根據權利要求2所述的多層陶瓷電容器，其中，

4.根據權利要求3所述的多層陶瓷電容器，其中，基于所述第一側邊緣部中包括的100重量份的鋇，所述第一側邊緣部包括的鎵的含量在大于0重量份且小于等于1.5重量份的范圍內。

5.根據權利要求3所述的多層陶瓷電容器，其中，在所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部中包括鎵，并且在所述第一側邊緣部中包括的鎵的含量比在所述第二側邊緣部中包括的鎵的含量高。

6.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述有效部包括所述鈦酸鋇基主成分和鎵。

7.根據權利要求6所述的多層陶瓷電容器，其中，所述有效部包括邊界鄰近區域，所述邊界鄰近區域被定義為從所述有效部與所述結合部中的每個結合部之間的邊界在所述電容器主體的寬度方向上朝向所述有效部的長度對應于所述側邊緣部中的每個側邊緣部的寬度方向長度的兩倍至三倍的區域，并且在所述有效部的所述邊界鄰近區域中包括鎵。

8.根據權利要求7所述的多層陶瓷電容器，其中，所述有效部的所述邊界鄰近區域在所述寬度方向上被分成第一有效部和第二有效部，

9.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述側邊緣部和所述有效部中的每個包括所述鈦酸鋇基主成分和鎵。

10.根據權利要求9所述的多層陶瓷電容器，其中，在所述側邊緣部中包括的鎵的含量比在所述有效部中包括的鎵的含量高。

11.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述結合部包括包含鋇和鈦的鈦酸鋇基化合物以及鎵。

12.根據權利要求11所述的多層陶瓷電容器，其中，基于100重量份的鋇，所述結合部包括的鎵的含量在0.3重量份至1.5重量份的范圍內。

13.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，對于所述有效部和所述結合部之間的結合表面，通過下面的等式1獲得的所述內電極層的端部處的孔產生率大于0％且小于等于40％：

14.一種制造多層陶瓷電容器的方法，包括：

15.根據權利要求14所述的方法，其中，基于100摩爾份的所述鈦酸鋇基化合物，所述涂覆組合物包括的鎵的含量在大于0摩爾份且小于等于6摩爾份的范圍內。

16.根據權利要求14所述的方法，其中，鎵作為含鎵氧化物、含鎵氮化物、含鎵鹽化合物或它們的組合包括在所述涂覆組合物中。

17.根據權利要求14所述的方法，其中，所述涂覆組合物還包括粘合劑。

18.一種多層陶瓷電容器，包括：

19.根據權利要求18所述的多層陶瓷電容器，其中，基于所述至少一個結合部中的100重量份的鋇，所述至少一個結合部包括的鎵的含量在0.5重量份至1.2重量份的范圍內。

技術總結
本公開提供一種多層陶瓷電容器及其制造方法。所述多層陶瓷電容器包括：電容器主體，包括介電層和內電極層；以及外電極，設置在所述電容器主體的外表面上，其中，所述電容器主體包括交替設置所述介電層和所述內電極層的有效部、設置在所述有效部的彼此相對的兩個側端部處的側邊緣部以及分別設置在所述有效部和所述側邊緣部之間的結合部，并且所述有效部和所述側邊緣部中的至少一個包括包含鋇(Ba)和鈦(Ti)的鈦酸鋇基主成分以及鎵(Ga)。

技術研發人員：李丞鏞,李勇和,金珉洙,樸相珍,全忠燮,申眞福,沈大振,蔡現植,金孝珍,安重炫
受保護的技術使用者：三星電機株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28