本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體器件,并且更特別地涉及半導(dǎo)體器件以及制造雙面橋管芯封裝結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù):
1、半導(dǎo)體器件通常在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中找到。半導(dǎo)體器件執(zhí)行寬范圍的功能,諸如信號(hào)處理、高速計(jì)算、傳輸和接收電磁信號(hào)、控制電子設(shè)備、將太陽光轉(zhuǎn)換成電力以及為電視顯示器創(chuàng)建視覺圖像。半導(dǎo)體器件在通信、功率轉(zhuǎn)換、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算機(jī)、娛樂和消費(fèi)產(chǎn)品的領(lǐng)域中找到。半導(dǎo)體器件也在軍事應(yīng)用、航空、汽車、工業(yè)控制器和辦公裝備中找到。
2、半導(dǎo)體器件可以包含被部署在一個(gè)或多個(gè)襯底上以執(zhí)行必要的電氣功能的多個(gè)電氣組件,例如,一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體管芯和用以支撐半導(dǎo)體管芯的無數(shù)分立組件。具有若干個(gè)組件的高度集成的封裝通常被稱為系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)模塊。sip模塊經(jīng)常具有必須以非常高的帶寬相互通信的多個(gè)半導(dǎo)體管芯。在封裝級(jí)處形成的導(dǎo)電跡線可能不足以支持必要的帶寬。
3、許多sip封裝利用橋管芯來促進(jìn)sip設(shè)備中的組件之間的高帶寬通信。橋管芯是如下所述的半導(dǎo)體管芯:可以沒有形成在其有源表面中的電路,但是具有形成在它們之上的細(xì)間距的互連。橋管芯可以被部署在兩個(gè)其他半導(dǎo)體管芯之間,然后這兩個(gè)半導(dǎo)體管芯通過橋管芯相互連接,以增加它們之間的可用數(shù)據(jù)帶寬。
4、橋管芯對(duì)于復(fù)雜sip模塊是有幫助的,但是由于要求附加的組件而引入了附加的設(shè)計(jì)約束。因此,存在對(duì)于改進(jìn)的橋管芯拓?fù)涞男枰?/p>
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括形成穿過所述第一橋管芯的導(dǎo)電通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括形成穿過所述密封劑從所述第一互連結(jié)構(gòu)到所述第二互連結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電柱或?qū)щ娡住?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,進(jìn)一步包括在所述第二互連結(jié)構(gòu)之上部署第三半導(dǎo)體管芯,其中所述第二橋管芯位于所述第一半導(dǎo)體管芯和所述第三半導(dǎo)體管芯之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一橋管芯包括具有小于兩微米的線間距或線寬的第三互連結(jié)構(gòu)。
7.一種制造半導(dǎo)體器件的方法,包括:
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,進(jìn)一步包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,進(jìn)一步包括在所述第一互連結(jié)構(gòu)之上部署第三半導(dǎo)體管芯,其中所述第二橋管芯位于所述第一半導(dǎo)體管芯和所述第三半導(dǎo)體管芯之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中所述第一橋管芯包括具有小于兩微米的線間距或線寬的第二互連結(jié)構(gòu)。
11.一種半導(dǎo)體器件,包括:
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件,進(jìn)一步包括穿過所述第一橋管芯形成的導(dǎo)電通孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件,進(jìn)一步包括穿過密封劑從第一互連結(jié)構(gòu)到第二互連結(jié)構(gòu)形成的導(dǎo)電柱或?qū)щ娡住?/p>
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件,進(jìn)一步包括:
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件,還包括部署在所述第二互連結(jié)構(gòu)之上的第三半導(dǎo)體管芯,其中所述第二橋管芯位于所述第一半導(dǎo)體管芯和所述第三半導(dǎo)體管芯之間。