本公開涉及襯底處理系統(tǒng)，更具體地，涉及用于調(diào)制襯底處理系統(tǒng)的反應(yīng)室內(nèi)的等離子體環(huán)境的裝置。

背景技術(shù)：

1、晶片上的沉積和濺射均勻性與等離子體分布密切相關(guān)，例如反應(yīng)室中的密度。在等離子體增強(qiáng)原子層沉積(peald)過程中，等離子體分布的任何不均勻性直接影響晶片上的沉積和濺射均勻性。

2、本公開提供了一種等離子體調(diào)節(jié)硬件，其能夠解決在peald或?yàn)R射過程期間晶片上的不均勻性問題。

3、本公開提供了一種通過調(diào)制射頻(rf)返回路徑到地的阻抗來實(shí)現(xiàn)晶片上的沉積和濺射均勻性的裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、提供本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
是為了以簡化的形式介紹一些概念。這些概念在以下公開的示例實(shí)施例的詳細(xì)描述中被進(jìn)一步詳細(xì)描述。本發(fā)明內(nèi)容不旨在標(biāo)識(shí)所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護(hù)的主題的范圍。

2、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可以提供一種用于襯底處理系統(tǒng)的等離子體調(diào)制裝置，該裝置包括：連接到n個(gè)不同網(wǎng)格的多個(gè)射頻(rf)路徑，其中襯底處理系統(tǒng)的基座被分成n個(gè)不同網(wǎng)格，n是等于或大于2的整數(shù)，其中，每個(gè)rf路徑包括：rf桿，其連接到網(wǎng)格，并配置為從網(wǎng)格傳輸rf信號(hào)；電壓-電流(vi)傳感器，其連接到rf桿并配置為測(cè)量來自rf桿的電流；以及可變阻抗電路，其連接到vi傳感器，并配置為改變r(jià)f路徑的阻抗，還配置為接地，并且其中，每個(gè)rf路徑被單獨(dú)接地，并且每個(gè)rf路徑分別對(duì)應(yīng)于不同網(wǎng)格。

3、根據(jù)另一實(shí)施例，可以規(guī)定，該裝置還包括：rf濾波器，其配置為濾除來自rf桿的噪聲。

4、根據(jù)另一實(shí)施例，可以規(guī)定，該裝置還包括：控制器，其聯(lián)接到每個(gè)rf路徑，并且配置為監(jiān)測(cè)每個(gè)vi傳感器的電流，并且基于監(jiān)測(cè)的電流改變每個(gè)rf路徑的阻抗。

5、在至少一個(gè)方面，控制器配置為將每個(gè)rf路徑的阻抗改變?yōu)橄嗟取?/p>

6、根據(jù)另一實(shí)施例，可以規(guī)定，一種襯底處理系統(tǒng)，包括：反應(yīng)室，其設(shè)置有噴淋頭和用于支撐晶片的基座，基座分成n個(gè)不同網(wǎng)格，其中n是等于或大于2的整數(shù)；和等離子體調(diào)制裝置，包括：連接到n個(gè)不同網(wǎng)格的多個(gè)射頻(rf)路徑，其中，每個(gè)rf路徑包括：rf桿，其連接到網(wǎng)格，并配置為從網(wǎng)格傳輸rf信號(hào)；電壓-電流(vi)傳感器，其連接到rf桿并配置為測(cè)量來自rf桿的電流；以及可變阻抗電路，其連接到vi傳感器，并配置為改變r(jià)f路徑的阻抗，還配置為接地，并且其中，每個(gè)rf路徑被單獨(dú)接地，并且每個(gè)rf路徑分別對(duì)應(yīng)于不同網(wǎng)格。

7、根據(jù)另一實(shí)施例，可以規(guī)定，該系統(tǒng)還包括：rf濾波器，其配置為濾除來自rf桿的噪聲。

8、根據(jù)另一實(shí)施例，可以規(guī)定，該系統(tǒng)還包括：控制器，其連接到每個(gè)rf路徑，并配置為監(jiān)測(cè)每個(gè)vi傳感器的電流，并基于監(jiān)測(cè)的電流改變每個(gè)rf路徑的阻抗。

9、在至少一個(gè)方面，系統(tǒng)的控制器配置為將每個(gè)rf路徑的阻抗改變?yōu)橄嗟取?/p>

10、根據(jù)另一實(shí)施例，可以規(guī)定，一種在襯底處理系統(tǒng)中調(diào)制等離子體的方法，該系統(tǒng)包括設(shè)置有基座的反應(yīng)室，基座被分成n個(gè)不同網(wǎng)格，其中n是等于或大于2的整數(shù)，以及等離子體調(diào)制裝置，等離子體調(diào)制裝置包括連接到n個(gè)不同網(wǎng)格的多個(gè)射頻(rf)路徑，并且每個(gè)rf路徑設(shè)置有rf桿、電壓-電流(vi)傳感器和可變阻抗電路，該方法包括：從相應(yīng)rf路徑監(jiān)測(cè)所有vi傳感器的電流；判定監(jiān)測(cè)的電流具有相同值是否為真；以及如果判定為假，則將來自相應(yīng)rf路徑的可變阻抗電路的阻抗改變?yōu)橄嗟?，如果判定為真，則重復(fù)判定。

11、在至少一個(gè)方面，該方法還包括濾除來自每個(gè)rf桿的噪聲。

技術(shù)特征：

1.一種用于襯底處理系統(tǒng)的等離子體調(diào)制裝置，該裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的等離子體調(diào)制裝置，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體調(diào)制裝置，其中，所述控制器配置為將所述多個(gè)rf路徑的阻抗改變?yōu)楸舜讼嗟取?/p>

5.一種襯底處理系統(tǒng)，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理系統(tǒng)，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5-6中任一項(xiàng)所述的襯底處理系統(tǒng)，還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，所述控制器配置為將所述多個(gè)rf路徑的阻抗改變?yōu)楸舜讼嗟取?/p>

9.一種在襯底處理系統(tǒng)中調(diào)制等離子體的方法，該系統(tǒng)包括設(shè)置有基座的反應(yīng)室，基座被分成n個(gè)不同網(wǎng)格，其中n是等于或大于2的整數(shù)，以及等離子體調(diào)制裝置，等離子體調(diào)制裝置包括連接到n個(gè)不同網(wǎng)格的多個(gè)射頻(rf)路徑，并且每個(gè)rf路徑設(shè)置有rf桿、電壓-電流(vi)傳感器和可變阻抗電路，該方法包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的調(diào)制等離子體的方法，還包括：

技術(shù)總結(jié)
公開了一種用于襯底處理系統(tǒng)的等離子體調(diào)制裝置。該裝置包括：連接到N個(gè)不同網(wǎng)格的多個(gè)射頻(RF)路徑，其中襯底處理系統(tǒng)的基座被分成N個(gè)不同網(wǎng)格，N是等于或大于2的整數(shù)，其中，每個(gè)RF路徑包括：RF桿，其連接到網(wǎng)格，并配置為從網(wǎng)格傳輸RF信號(hào)；電壓?電流(VI)傳感器，其連接到RF桿并配置為測(cè)量來自RF桿的電流；以及可變阻抗電路，其連接到VI傳感器，并配置為改變RF路徑的阻抗，還配置為接地，其中，每個(gè)RF路徑被單獨(dú)接地，并且每個(gè)RF路徑分別對(duì)應(yīng)于不同網(wǎng)格。

技術(shù)研發(fā)人員：A·古納吉,S·戈洛夫科夫,B·孫,G·克里什納,金大淵
受保護(hù)的技術(shù)使用者：ASM IP私人控股有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/24