本發明涉及半導體裝置。

背景技術：

1、公開了如下技術，即，通過保護膜將形成于半導體裝置的導通區域之上的表面電極的末端覆蓋，通過焊料將表面電極和外部電極接合(例如，參照專利文獻1)。

2、專利文獻1：日本專利第4640345號公報

3、但是，在保護膜的導熱率低的情況下，與如短路耐量試驗那樣的過載相伴地保護膜與導通區域的重疊區域發熱。存在由于該發熱，重疊區域中的短路耐量降低這一課題。

技術實現思路

1、本發明就是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供能夠改善短路耐量的半導體裝置。

2、本發明涉及的半導體裝置具有：半導體基板，其在表面形成有半導體元件；表面電極，其形成于表面之上，與半導體元件連接；金屬膜，其形成于表面電極之上；抑制膜，其形成于表面電極之上，對涂敷于金屬膜之上的焊料的擴展進行抑制；以及導熱膜，其在表面電極之上與金屬膜及抑制膜相比形成在外周側，該導熱膜的膜厚比金屬膜厚，導熱率比抑制膜高。

3、發明的效果

4、根據本發明，能夠改善半導體裝置的短路耐量。

技術特征：

1.一種半導體裝置，其具有：

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

8.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，

技術總結
本發明涉及半導體裝置，其目的在于提供能夠改善短路耐量的半導體裝置。本發明的半導體制造裝置構成為具有：半導體基板，其在表面形成有半導體元件；表面電極，其形成于表面之上，與半導體元件連接；金屬膜，其形成于表面電極之上；抑制膜，其形成于表面電極之上，對涂敷于金屬膜之上的焊料的擴展進行抑制；以及導熱膜，其在表面電極之上與金屬膜及抑制膜相比形成在外周側，該導熱膜的膜厚比金屬膜厚，導熱率比抑制膜高。

技術研發人員：中野誠也,濱田博也
受保護的技術使用者：三菱電機株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28